TI的大型非**投資組合-穩(wěn)壓IC:
直流/直流負載點解決方案解決了規(guī)模、效率、性能或成本問題約束條件。我們的解決方案范圍從分立器件到集成電源解決方案，集成電路封裝中包含磁性。由于工作電壓高達100V，TI的寬VIN產品組合消除了輸入保護組件，以降低成本和解決方案尺寸。降壓式DC/DC轉換器-集成MOSFET技術-穩(wěn)壓IC在過去幾年中達到了較高的密度，以在較小的封裝中提供更高的效率。
TI的DC/DC轉換器提供了許多高達30A的引人注目的解決方案。 電源穩(wěn)壓IC，就選特克集團，原廠現貨！歡迎新老客戶來旬！TPS53681RSBT穩(wěn)壓IC
升壓升壓轉換器-數據表規(guī)定了-穩(wěn)壓IC
集成功率MOSFET開關。可實現的實際輸出電流的粗略估計是占空比的函數，可以使用以下公式進行估計：IOUT=0.65xISwitch（**?。﹛（VIN/VOUT）降壓升壓轉換器-ADC/DC轉換器必須能夠在所有可能的輸入電壓條件下調節(jié)輸出電壓，無論VIN高于或低于VOUT。
TI的單電感buck-boost變換器在芯片上集成了四個功率MOSFET，以節(jié)省空間并在操作模式之間無縫過渡。
分軌變流器-TPS6513x分軌系列的每個成員
轉換器（+VOUT1/–VOUT2）從一個輸入軌產生調節(jié)的正負電源電壓。這降低了BOM成本和空間，同時為工業(yè)和汽車應用提供了前列的性能。
功率MOSFET概述：
TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術，與穩(wěn)壓IC完美結合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結合。它提供了一個低導通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標準封裝外形，這是以前現有硅平臺無法實現的組合。
NexFET技術為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設計師能夠實現90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負載到全負載的效率，**了離散設計的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。
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具有TILDO的處理器-穩(wěn)壓IC
在FPGA和處理器中，開關噪聲會威脅性能。TI的穩(wěn)壓IC-LDO為當今的處理器和FPGA提供干凈、準確和高效的電源。高PSRRLDO消除紋波，提供高輸出精度（比較大1%），并提供250mV及以下的低壓差。它們還具有***的電壓范圍和小型、堅固的封裝，適用于許多應用。使用高性能AEC-Q100LDO增強您的汽車電源穩(wěn)壓ICTI的AEC-Q100LDO通過低IQ、低噪音、高PSRR、反向電池和電流保護等功能優(yōu)化您的汽車應用，以提供可靠、清潔的電源。 TPS53681RSBT穩(wěn)壓IC
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