LM5175PWPR穩(wěn)壓IC

來源: 發(fā)布時間:2023-05-17

TI穩(wěn)壓IC-火棒? 包裹

熱棒封裝翻轉(zhuǎn)硅芯片,并將其直接放置在引線框架上,以比較大限度地減少由運行開關(guān)電流的引腳上的鍵合線引起的寄生電感。圖16顯示了HotRod軟件包的結(jié)構(gòu)和優(yōu)點。
隨著功率回路電感的改善,熱棒式封裝也有助于降低功率路徑中的電阻,從而提高效率,同時使較小的解決方案尺寸成為可能。
HotRod封裝中設(shè)備的另一個好處是,它們有助于并行輸入路徑引腳,即DC/DC轉(zhuǎn)換器輸入電容的布局安排。通過優(yōu)化DC/DC轉(zhuǎn)換器的引腳,使輸入電容器的布局具有對稱性,輸入功率回路產(chǎn)生的反向磁場位于對稱回路內(nèi),從而將對附近系統(tǒng)的發(fā)射降至比較低。平行輸入路徑進一步將高頻EMI降至比較低,尤其是在**嚴格的FM頻段,如下圖17所示。

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低靜態(tài)電流(IQ)-穩(wěn)壓IC趨勢知識
在不影響電池操作系統(tǒng)的系統(tǒng)性能的情況下延長電池和保質(zhì)期,在空載或輕載條件下實現(xiàn)高效率需要電源解決方案在保持**電源電流的同時嚴格調(diào)節(jié)輸出。
憑借TI的**智商技術(shù)和產(chǎn)品組合,您可以比較大限度地延長電池運行時間,并在下一次設(shè)計中實現(xiàn)低功耗。
低待機功率
?使用**泄漏組件和新型控制拓撲延長電池運行時間
快速響應(yīng)時間
?通過快速喚醒電路和自適應(yīng)偏置增強系統(tǒng)功能,以提高動態(tài)響應(yīng)時間,同時保持**靜態(tài)功耗
小外形尺寸
?應(yīng)用程序支持模具和封裝尺寸,無需通過TI的**電路技術(shù),降低靜態(tài)功耗。
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穩(wěn)壓IC-電源發(fā)展趨勢

功率密度功率更大,布板空間更小。

TI的高功率密度器件產(chǎn)品系列的設(shè)計亮點在于采用了SWIFT?降壓穩(wěn)壓器系列,在緊湊的熱增強型封裝中提供高性能功能集和高輸出電流功能。高密度開關(guān)穩(wěn)壓器是為FPGA和處理器等高電流數(shù)字負載供電的理想選擇。使用我們的處理器連接工具,查找可優(yōu)化FPGA或處理器的合適產(chǎn)品。低EMI降低開關(guān)穩(wěn)壓器的EMI可能是許多電源設(shè)計人員面臨的一項主要挑戰(zhàn)。采用內(nèi)置EMI消減技術(shù)的器件不僅能縮短設(shè)計時間,還有助于符合CISPR255類等嚴苛標準。


德州儀器(TI)提供完整的電源解決方案-穩(wěn)壓IC擁有全系列高性能產(chǎn)品。這些產(chǎn)品從標準線性穩(wěn)壓器到高效DC/DC轉(zhuǎn)換器和電池管理,都是為滿足您的設(shè)計挑戰(zhàn)而定制的。此外,TI使用的支持工具(如WEBENCH®電路設(shè)計和選擇模擬)簡化了設(shè)計服務(wù)、選擇的評估模塊(EVM)、應(yīng)用說明、的技術(shù)文檔等。此外,TI商店有30000多種產(chǎn)品庫存,是您購買IC和評估工具的一站式商店。本選擇指南包括設(shè)計因素、特色產(chǎn)品、公文包的圖形表示、參數(shù)表和設(shè)備索引,以幫助您快速查找單個設(shè)備。有關(guān)HiRel和***版本電源管理穩(wěn)壓IC產(chǎn)品的信息,請訪問TECH-TREK官網(wǎng),有關(guān)automotivequalified的穩(wěn)壓IC信息電源管理穩(wěn)壓IC產(chǎn)品,請訪問TECH-TREK官**克電子十年IC代理,海量現(xiàn)貨,經(jīng)營德州儀器穩(wěn)壓IC,專業(yè)顧問為您服務(wù)!

穩(wěn)壓IC專題

由于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率路徑中存在寄生電感,高轉(zhuǎn)換率還會導致高頻開關(guān)節(jié)點振鈴,從而進一步增加振鈴頻率及以上的發(fā)射。 電源穩(wěn)壓IC,就選特克就夠了,原廠現(xiàn)貨!期待您的光臨!TL1464IPT穩(wěn)壓IC


下頁的圖7顯示了切換節(jié)點上的轉(zhuǎn)換速率和相關(guān)振鈴如何影響排放。限制開關(guān)轉(zhuǎn)換引起的EMI發(fā)射的傳統(tǒng)方法是通過在開關(guān)設(shè)備的柵極驅(qū)動路徑中添加有意的電阻來降低它們的速度。這會導致轉(zhuǎn)換速度變慢,導致更快的發(fā)射衰減,并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發(fā)射。然而,這種開關(guān)邊緣的減速會導致開關(guān)轉(zhuǎn)換器的峰值電流效率降低2%-3%。

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功率MOSFET概述:

TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù),與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個低導通電阻,需要極低的柵極電荷和行業(yè)標準封裝外形,這是以前現(xiàn)有硅平臺無法實現(xiàn)的組合。

NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比,從輕負載到全負載的效率,**了離散設(shè)計的突破。
功率MOSFET,穩(wěn)壓IC主要包括:N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。 LM5175PWPR穩(wěn)壓IC

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