武漢無源插件晶振

當(dāng)晶體不振動時，可把它看成一個平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān)，一般約幾個PF到幾十PF。當(dāng)晶體振蕩時，機(jī)械振動的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十mH到幾百mH。晶片的彈性可用電容C來等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1pF。晶片振動時因摩擦而造成的損耗用R來等效，它的數(shù)值約為100Ω。由于晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大，可達(dá)1000～10000。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關(guān)，而且可以做得精確，因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。常見的插件晶振（DIP）封裝尺寸：3*8，2*6，1*5，1*4，49S。武漢無源插件晶振

晶振的參數(shù):標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱值。頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫（25℃±2℃）下相對于標(biāo)稱頻率的偏差。調(diào)整頻差：在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值的蕞大允許頻率偏差。負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時（產(chǎn)生諧振）的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的蕞大允許頻偏。廣州有源插件晶振誠信經(jīng)營小到手機(jī)、電腦，大到汽車、飛機(jī)、導(dǎo)彈、衛(wèi)星都需要晶體振蕩器。

晶振有正負(fù)極嗎普通壓電無源石英晶體是一種無極性元件，晶體內(nèi)部本身只有經(jīng)過加工的單一石英晶片，需要借助設(shè)計的電路才能產(chǎn)生振蕩信號，單晶振本身是無非發(fā)生振蕩的，插件的一般常規(guī)都是二個腳，當(dāng)然也會有三個腳的，中間那個腳一般用來接地，當(dāng)然隨著科技的發(fā)展，后來有了四個腳的普通貼片諧振器，四個腳其實只要二個腳才是真正通電工作的，剩余兩個腳一個是懸空，一個是可以用來接地（可接可不接）。四個腳的用途是：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓，

晶振主要的參數(shù)1、頻率，頻率決定著單片機(jī)能否高速運行，如果使用過程中對于頻率要求不是很嚴(yán)格，可以考慮用單片機(jī)內(nèi)部晶振，例如對于STM32內(nèi)部晶振它可以達(dá)到8MHz，甚至16Hz，如果對頻率要求不高的話，也就是普通類型的驅(qū)動之類，不涉及兩個單片機(jī)通訊、不涉及串口通信、不涉及時間方面，例如定時等，這時候可以考慮用單片機(jī)內(nèi)部晶振，例如ST單片機(jī)內(nèi)部自帶的RC時鐘HSI(High-speedinternal(HSI)RCoscillator)，2、精度，如果對于精度要求很高的話，例如電路當(dāng)中會涉及到時間的準(zhǔn)確精度的話那就只能用外部晶振了，因為外部晶振比較穩(wěn)定而內(nèi)部晶振的誤差比較大，時間久了對于時間的累積產(chǎn)生很大誤差，特別是對于RC振蕩器對于溫度比較敏感，容易受其影響。3、環(huán)境溫度，環(huán)境溫度對于內(nèi)部晶振，也就是RC振蕩器影響較大，。4、封裝尺寸，晶振的封裝有很多，有貼片的、插件陶瓷、圓柱體的等，特別是現(xiàn)在的貼片晶振尺寸越來越小，可以滿足不同的場合，在選用晶振時候需要考慮晶振尺寸對電路板的影響。晶振現(xiàn)在的主流封裝尺寸是多少？

1、振動模式與頻率關(guān)系：基頻1～35MHz3次泛音10～75MHz5次泛音50～150MHz7次泛音100～200MHz9次泛音150～250MHz2、晶體電阻：對于同一頻率，當(dāng)工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。3、工作溫度范圍與溫度頻差：在提出溫度頻差時，應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。4、負(fù)載電容與頻率牽引：在許多應(yīng)用中，都有用一負(fù)載電抗元件來牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要，大多數(shù)情況下，這個負(fù)載電抗呈容性5、負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。6、激勵電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵電平過低時則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。7、濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度晶振本身的原因，晶片碎裂、過大、頻率不良、晶體牽引力不足過大寄生反應(yīng)。上海無源插件晶振售后服務(wù)

不同的參數(shù)對晶振的影響是什么？武漢無源插件晶振

晶振有一個重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。一般的晶振的負(fù)載電容為15皮或12.5皮，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22皮的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。武漢無源插件晶振

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