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振蕩電路不匹配導(dǎo)致晶振不起振影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo)：頻率誤差、負(fù)性阻抗、激勵(lì)電平。頻率誤差太大，導(dǎo)致實(shí)際頻率偏移標(biāo)稱頻率從而引起晶振不起振。解決辦法：選擇合適的PPM值的產(chǎn)品。負(fù)性阻抗過(guò)大太小都會(huì)導(dǎo)致晶振不起振。解決辦法：負(fù)性阻抗過(guò)大，可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)大來(lái)降低負(fù)性阻抗；負(fù)性阻抗太小，則可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)小來(lái)增大負(fù)性阻抗。一般而言，負(fù)性阻抗值應(yīng)滿足不少于晶振標(biāo)稱阻抗3-5倍。激勵(lì)電平過(guò)大或者過(guò)小也將會(huì)導(dǎo)致晶振不起振。解決辦法：通過(guò)調(diào)整電路中的Rd的大小來(lái)調(diào)節(jié)振蕩電路對(duì)晶振輸出的激勵(lì)電平。一般而言，激勵(lì)電平越小越好，處理功耗低之外，還跟振蕩電路的穩(wěn)定性和晶振的使用壽命有關(guān)。按封裝形式一般分為兩種： 插件晶振(DIP)和貼片晶振(SMD)。珠海常見(jiàn)插件晶振廠家供應(yīng)

當(dāng)晶體不振動(dòng)時(shí)，可把它看成一個(gè)平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān)，一般約幾個(gè)PF到幾十PF。當(dāng)晶體振蕩時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的慣性可用電感L來(lái)等效。一般L的值為幾十mH到幾百mH。晶片的彈性可用電容C來(lái)等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1pF。晶片振動(dòng)時(shí)因摩擦而造成的損耗用R來(lái)等效，它的數(shù)值約為100Ω。由于晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大，可達(dá)1000～10000。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關(guān)，而且可以做得精確，因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。浙江SMD插件晶振推薦貨源規(guī)格書(shū)有什么作用，怎么看晶振的規(guī)格書(shū)？

晶振的參數(shù):標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱值。頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫（25℃±2℃）下相對(duì)于標(biāo)稱頻率的偏差。調(diào)整頻差：在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測(cè)量值的蕞大允許頻率偏差。負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)（產(chǎn)生諧振）的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的蕞大允許頻偏。

恒溫晶振和溫補(bǔ)晶振的區(qū)別恒溫晶振與溫補(bǔ)晶振都是在較寬的溫度范圍內(nèi)輸出一個(gè)較穩(wěn)定的信號(hào)頻率，但其工作方式不同。恒溫晶振是將石英晶體裝入一個(gè)保溫箱中，并將其溫度加溫到石英晶體溫度曲線高溫拐點(diǎn)溫度，使晶體始終工作在恒溫環(huán)境中。有些**恒溫晶振還要加雙層恒溫槽，以達(dá)到更高的精度。溫補(bǔ)晶振是利用熱敏電阻搭成溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)計(jì)算來(lái)補(bǔ)償石英晶體溫度頻率曲線使其平滑，來(lái)實(shí)現(xiàn)在寬溫度范圍的頻率穩(wěn)定度。一般的恒溫晶振要比溫補(bǔ)晶振頻率穩(wěn)定度高兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。如溫補(bǔ)晶振一般能達(dá)到-7量級(jí)，而恒溫晶振可達(dá)到-9量級(jí)。因此恒溫晶振一般用于**測(cè)量?jī)x器，如頻率計(jì)、信號(hào)發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。而溫補(bǔ)晶振的開(kāi)機(jī)特性較好。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在比較好的加熱元件，也需要一個(gè)加溫過(guò)程。想達(dá)到-7量級(jí)，怎么也需要5分鐘左右，而達(dá)-9以上量級(jí)甚至需要***；因此開(kāi)機(jī)即需要工作的設(shè)備就不太適合。晶振按材質(zhì)分類：金屬封裝、陶瓷封裝、玻璃殼封裝、塑料封裝。

如果在晶片的兩極上加交變電壓，晶片就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，同時(shí)晶片的機(jī)械振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)。在一般情況下，晶片機(jī)械振動(dòng)的振幅和交變電場(chǎng)的振幅非常微小，但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時(shí)，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。當(dāng)晶體不振動(dòng)時(shí)，可把它看成一個(gè)平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān)，一般約幾個(gè)皮法到幾十皮法。當(dāng)晶體振蕩時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的慣性可用電感L來(lái)等效。一般L的值為幾十豪亨到幾百豪亨。晶片的彈性可用電容C來(lái)等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振動(dòng)時(shí)因摩擦而造成的損耗用R來(lái)等效，它的數(shù)值約為100歐。由于晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大，可達(dá)1000～10000。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關(guān)，而且可以做得精確，因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。日本的晶振品牌有哪些？深圳32.768KHZ插件晶振推薦貨源

常見(jiàn)的貼片晶振（SMD）封裝尺寸:2016、2016、2520、3225、5032。珠海常見(jiàn)插件晶振廠家供應(yīng)

如何選擇合適的晶振?？梢哉f(shuō)現(xiàn)在的晶振很多，我說(shuō)的是單片機(jī)外接的晶振，有石英晶振，有溫度補(bǔ)償?shù)木д竦鹊?，那么我們?cè)谶x擇晶振時(shí)候需要注意哪些細(xì)節(jié)呢？晶振主要的參數(shù)無(wú)非主要是這幾個(gè)：頻率；精度；適用的環(huán)境溫度，封裝尺寸。1、頻率，這應(yīng)該主要的參數(shù)，頻率決定著單片機(jī)能否高速運(yùn)行，如果使用過(guò)程中對(duì)于頻率要求不是很嚴(yán)格，可以考慮用單片機(jī)內(nèi)部晶振，例如對(duì)于STM32內(nèi)部晶振它可以達(dá)到8MHz，甚至16Hz，如果對(duì)頻率要求不高的話，也就是普通類型的驅(qū)動(dòng)之類，不涉及兩個(gè)單片機(jī)通訊、不涉及串口通信、不涉及時(shí)間方面，例如定時(shí)等，這時(shí)候可以考慮用單片機(jī)內(nèi)部晶振，例如ST單片機(jī)內(nèi)部自帶的RC時(shí)鐘HSI(High-speedinternal(HSI)RCoscillator)，頻率一般是8MHz或16MHz，一般的貼片無(wú)源晶振都要幾毛錢，如果使用內(nèi)部振蕩，可以省去不少錢呢，同時(shí)電路也省去了不少元器件；2、精度，如果對(duì)于精度要求很高的話，例如電路當(dāng)中會(huì)涉及到時(shí)間的準(zhǔn)確精度的話那就只能用外部晶振了，因?yàn)橥獠烤д癖容^穩(wěn)定而內(nèi)部晶振的誤差比較大，時(shí)間久了對(duì)于時(shí)間的累積產(chǎn)生很大誤差，特別是對(duì)于RC振蕩器對(duì)于溫度比較敏感，容易受其影響。珠海常見(jiàn)插件晶振廠家供應(yīng)

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