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1、振動(dòng)模式與頻率關(guān)系：基頻1～35MHz3次泛音10～75MHz5次泛音50～150MHz7次泛音100～200MHz9次泛音150～250MHz2、晶體電阻：對(duì)于同一頻率，當(dāng)工作在高次泛音振動(dòng)時(shí)其電阻值將比工作在低次振動(dòng)時(shí)大。3、工作溫度范圍與溫度頻差：在提出溫度頻差時(shí)，應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。4、負(fù)載電容與頻率牽引：在許多應(yīng)用中，都有用一負(fù)載電抗元件來(lái)牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要，大多數(shù)情況下，這個(gè)負(fù)載電抗呈容性5、負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時(shí)，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。6、激勵(lì)電平的影響：一般來(lái)講，AT切晶體激勵(lì)電平的增大，其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過(guò)高會(huì)引起非線(xiàn)性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過(guò)應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過(guò)低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。7、濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時(shí)，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度晶振內(nèi)部水晶片上附有雜質(zhì)或者塵埃等也會(huì)導(dǎo)致晶振不起振。上海什么是插件晶振服務(wù)至上

晶體是指其中的原子、分子、或離子以規(guī)則、重復(fù)的模式朝各方向延伸的一種固體。晶體與幾乎所有的彈性物質(zhì)都具有自然共振頻率，透過(guò)適當(dāng)?shù)膫鞲衅骺杉右岳?。例如鋼鐵具有良好彈性、音速快，在石英晶體大量應(yīng)用以前，鋼鐵被用作機(jī)械式濾波器。共振頻率取決于晶體的尺寸、形狀、彈性、與物質(zhì)內(nèi)的音速。高頻用的晶體通常是切成簡(jiǎn)單的形狀，如方形片狀。典型的低頻用晶體則常切成音叉形，例如手表所使用的。如不需要太高的精確度，則也可以使用陶瓷諧振器取代石英晶體諧振器。在數(shù)字應(yīng)用中使用晶體振蕩器有很多好處。晶體可以制造成具有***的特定頻率。與調(diào)諧電路相比，晶體具有比RC振蕩器或LC振蕩器更高的Q因子、更好的溫度穩(wěn)定性和更好的頻率穩(wěn)定性。晶體振蕩器中使用的晶體*表現(xiàn)出非常低的相位噪聲。晶體振蕩器主要用于提供穩(wěn)定時(shí)鐘信號(hào)的數(shù)字集成電路和需要高頻參考的特定應(yīng)用中。北京常見(jiàn)插件晶振售后服務(wù)晶振具有壓電效應(yīng)，即在晶片兩極外加電壓后晶體會(huì)產(chǎn)生變形。

49S晶振頻率片49S晶振頻率片是把人造石英利用切割的方法切成一定切型、一定形狀、一定尺寸的晶片.49S頻率片采用的是矩形片，目前用的外形尺寸有8*2和6.5*2規(guī)格的。49S晶振外殼不同高度產(chǎn)品使用的外殼高度不同,高度有1.7mm,1.8mm,2.0mm,2.2mm,2.86mm等,對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品高度為2.0～3.5mm.材質(zhì)也有所不同,有鐵殼和銅殼，不同要求的產(chǎn)品可能選擇不同。49S晶振電極不同頻率點(diǎn)石英晶振采用的電極尺寸不同，電極材料一般利用純度99.99%以上的銀，目的是為了提高電極的附著強(qiáng)度，在鍍銀之前先鍍少量的鉻（Cr）或鎳(Ni)效果會(huì)更好，鍍銀是在高真空度下進(jìn)行的,真空度至少達(dá)到5*10-5乇以上，電極面積直接與靜態(tài)電容、動(dòng)態(tài)電感、動(dòng)態(tài)電容等參數(shù)有關(guān)，電極面積大時(shí)，C0較大，晶體易起振，但易激勵(lì)寄生振動(dòng)，產(chǎn)生跳頻；電極面積小時(shí)，C0較小,有利于抑制寄生，而不利于起振。

晶振的參數(shù):負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率FL的有效外界電容，用CL表示。負(fù)載電容系列：8PF12PF15PF20PF30PF50PF100PF激勵(lì)電平：晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。激勵(lì)電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等老化率：在確定時(shí)間內(nèi)輸出頻率的相對(duì)變化。基頻：在振動(dòng)模式蕞低階次的振動(dòng)頻率。泛音：晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。晶振現(xiàn)在的主流封裝尺寸是多少？

貼片晶振的手工焊接方法1、首先在鑿子形(扁鏟形)或刀口烙鐵頭處加適量的焊錫,用細(xì)毛筆蘸助焊劑或用助焊筆在兩端焊盤(pán)上涂少量助焊劑,并在焊盤(pán)上鍍上焊錫;一只手用鑷子夾持貼片晶振,居中貼放在相應(yīng)的焊盤(pán)上,對(duì)準(zhǔn)后不要移動(dòng);另一只手拿起烙鐵加熱其中一個(gè)焊盤(pán)大約2秒左右,撤離烙鐵;然后用同樣的方法加熱另一端焊盤(pán)大約2秒左右.注意焊接過(guò)程中注意保持貼片晶振要始終緊貼焊盤(pán)放正,避免晶振一端翹起或焊歪.如果焊盤(pán)上的焊錫不足,可以一手拿烙鐵一手拿焊錫絲進(jìn)行補(bǔ)焊,時(shí)間大約1秒左右.2、先在焊盤(pán)上鍍上適量的焊錫,熱風(fēng)槍使用小嘴噴頭,溫度調(diào)到200℃～300℃,風(fēng)速調(diào)至1～2擋,當(dāng)溫度和風(fēng)速穩(wěn)定后,一只手用鑷子夾住元器件放置到焊接的位置上,注意要放正.另一只手拿穩(wěn)熱風(fēng)槍,使噴頭離待拆元器件保持垂直,距離1cm～3cm,均勻加熱,待貼片晶振周?chē)稿a熔化后移走熱風(fēng)槍,焊錫冷卻后移走鑷子無(wú)源晶振沒(méi)有自帶電壓，所以要外加電源，而且必須使用兩個(gè)合適的電容。上海什么是插件晶振服務(wù)至上

晶振失效可分為三類(lèi)：整機(jī)電路設(shè)計(jì)原因造成、PCB組裝制造工藝原因造成、采購(gòu)參數(shù)錯(cuò)誤造成。上海什么是插件晶振服務(wù)至上

晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏?，在這個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個(gè)電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會(huì)組成并聯(lián)諧振電路。這個(gè)并聯(lián)諧振電路加到一個(gè)負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數(shù)變化很大，這個(gè)振蕩器的頻率也不會(huì)有很大的變化。晶振有一個(gè)重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱(chēng)的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請(qǐng)注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。一般的晶振的負(fù)載電容為15皮或12.5皮，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個(gè)22皮的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。上海什么是插件晶振服務(wù)至上

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