深圳高速PCB培訓(xùn)功能

導(dǎo)入網(wǎng)表（1）原理圖和PCB文件各自之一的設(shè)計，在原理圖中生成網(wǎng)表，并導(dǎo)入到新建PCBLayout文件中，確認網(wǎng)表導(dǎo)入過程中無錯誤提示，確保原理圖和PCB的一致性。（2）原理圖和PCB文件為工程文件的，把創(chuàng)建的PCB文件的放到工程中，執(zhí)行更新網(wǎng)表操作。（3）將導(dǎo)入網(wǎng)表后的PCBLayout文件中所有器件無遺漏的全部平鋪放置，所有器件在PCBLAYOUT文件中可視范圍之內(nèi)。（4）為確保原理圖和PCB的一致性，需與客戶確認軟件版本，設(shè)計時使用和客戶相同軟件版本。（5）不允許使用替代封裝，資料不齊全時暫停設(shè)計；如必須替代封裝，則替代封裝在絲印字符層寫上“替代”、字體大小和封裝體一樣。在正式培訓(xùn)結(jié)束后，提供持續(xù)的學(xué)習(xí)資源和支持。深圳高速PCB培訓(xùn)功能

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。武漢正規(guī)PCB培訓(xùn)怎么樣大面積敷銅設(shè)計時敷銅上應(yīng)有開窗口，加散熱孔，并將開窗口設(shè)計成網(wǎng)狀。

5V一般可能是電源輸入，只需要在一小塊區(qū)域內(nèi)鋪銅。且盡量粗(你問我該多粗——能多粗就多粗，越粗越好)；1.2V和1.8V是內(nèi)核電源(如果直接采用線連的方式會在面臨BGA器件時遇到很大困難)，布局時盡量將1.2V與1.8V分開，并讓1.2V或1.8V內(nèi)相連的元件布局在緊湊的區(qū)域，使用銅皮的方式連接，如圖：總之，因為電源網(wǎng)絡(luò)遍布整個PCB，如果采用走線的方式會很復(fù)雜而且會繞很遠，使用鋪銅皮的方法是一種很好的選擇!4、鄰層之間走線采用交叉方式：既可減少并行導(dǎo)線之間的電磁干擾又方便走線。

折疊布線1、導(dǎo)線⑴寬度印制導(dǎo)線的最小寬度，主要由導(dǎo)線和絕緣基板間的粘附強度和流過它們的電流值決定。印制導(dǎo)線可盡量寬一些，尤其是電源線和地線，在板面允許的條件下盡量寬一些，即使面積緊張的條件下一般不小于1mm。特別是地線，即使局部不允許加寬，也應(yīng)在允許的地方加寬，以降低整個地線系統(tǒng)的電阻。對長度超過80mm的導(dǎo)線，即使工作電流不大，也應(yīng)加寬以減小導(dǎo)線壓降對電路的影響。⑵長度要極小化布線的長度，布線越短，干擾和串?dāng)_越少，并且它的寄生電抗也越低，輻射更少。特別是場效應(yīng)管柵極，三極管的基極和高頻回路更應(yīng)注意布線要短?！じ髟季謶?yīng)均勻、整齊、緊湊,盡量減小和縮短各元件之間的引線和連接。

電磁兼容問題沒有照EMC（電磁兼容）規(guī)格設(shè)計的電子設(shè)備，很可能會散發(fā)出電磁能量，并且干擾附近的電器。EMC對電磁干擾（EMI），電磁場（EMF）和射頻干擾（RFI）等都規(guī)定了大的限制。這項規(guī)定可以確保該電器與附近其它電器的正常運作。EMC對一項設(shè)備，散射或傳導(dǎo)到另一設(shè)備的能量有嚴(yán)格的限制，并且設(shè)計時要減少對外來EMF、EMI、RFI等的磁化率。換言之，這項規(guī)定的目的就是要防止電磁能量進入或由裝置散發(fā)出。這其實是一項很難解決的問題，一般大多會使用電源和地線層，或是將PCB放進金屬盒子當(dāng)中以解決這些問題。電源和地線層可以防止信號層受干擾，金屬盒的效用也差不多。對這些問題我們就不過于深入了。電路的速度得看如何照EMC規(guī)定做了。內(nèi)部的EMI，像是導(dǎo)體間的電流耗損，會隨著頻率上升而增強。如果兩者之間的的電流差距過大，那么一定要拉長兩者間的距離。這也告訴我們?nèi)绾伪苊飧邏海约白岆娐返碾娏飨慕档?span style="color:#f00;">低。布線的延遲率也很重要，所以長度自然越短越好。所以布線良好的小PCB，會比大PCB更適合在高速下運作。布局應(yīng)盡量滿足以下要求:總的連線盡可能短，關(guān)鍵信號線短；設(shè)計PCB培訓(xùn)布線

關(guān)鍵的線要盡量粗，并在兩邊加上保護地。高速線要短而直。深圳高速PCB培訓(xùn)功能

DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號，如果掛兩片DDR顆粒時拓撲建議采用對稱的Y型結(jié)構(gòu)，分支端靠近信號的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置（5mm以內(nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內(nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號拓撲結(jié)構(gòu)的一致性及長度上的匹配。地址、控制、時鐘線（遠端分支結(jié)構(gòu)）的等長范圍為≤200Mil。5、對于地址、控制信號的參考差分時鐘信號CK\CK#的拓撲結(jié)構(gòu)，布局時串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時要考慮差分線對內(nèi)的平行布線及等長(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對于控制芯片及DDR芯片，為每個IO2.5V電源管腳配備退耦電容并靠近管腳放置，在允許的情況下多扇出幾個孔，同時芯片配備大的儲能大電容；對于1.25VVTT電源，該電源的質(zhì)量要求非常高，不允許出現(xiàn)較大紋波，1.25V電源輸出要經(jīng)過充分的濾波，整個1.25V的電源通道要保持低阻抗特性，每個上拉至VTT電源的端接電阻為其配備退耦電容。深圳高速PCB培訓(xùn)功能