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(3)電源線、地線及印制導(dǎo)線在印制板上的排列要恰當(dāng)，盡量做到短而直，以減小信號(hào)線與回線之間所形成的環(huán)路面積。(4)時(shí)鐘發(fā)生器盡量*近到用該時(shí)鐘的器件。(5)石英晶體振蕩器外殼要接地。(6)用地線將時(shí)鐘區(qū)圈起來(lái)，時(shí)鐘線盡量短。(7)印制板盡量使用45°折線而不用90°折線布線以減小高頻信號(hào)對(duì)外的發(fā)射與耦合。(8)單面板和雙面板用單點(diǎn)接電源和單點(diǎn)接地；電源線、地線盡量粗。(9)I/O驅(qū)動(dòng)電路盡量*近印刷板邊的接插件，讓其盡快離開印刷板。一些元器件或?qū)Ь€有可能有較高的電位差，應(yīng)加大他們的距離，以免放電引起意外短路。深圳高效PCB培訓(xùn)銷售

整體布局整體布局子流程：接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括：常見(jiàn)接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。（1）常見(jiàn)接口模塊：常用外設(shè)接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信號(hào)流向?qū)⒏鹘涌谀K電路靠近其所對(duì)應(yīng)的接口擺放，采用“先防護(hù)后濾波”的思路擺放接口保護(hù)器件，常用接口模塊參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。（2）電源接口模塊：根據(jù)信號(hào)流向依次擺放保險(xiǎn)絲、穩(wěn)壓器件和濾波器件，按照附表4-8，留足夠的空間以滿足載流要求。高低電壓區(qū)域要留有足夠間距，參考附表4-8。（3）射頻接口模塊：靠近射頻接口擺放，留出安裝屏蔽罩的間距一般為2-3mm，器件離屏蔽罩間距至少0.5mm。具體擺放參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。（5）連接器模塊：驅(qū)動(dòng)芯片靠近連接器放置。湖北正規(guī)PCB培訓(xùn)包括哪些盡可能縮短高頻元器件之間的連接，設(shè)法減少他們的分布參數(shù)及和相互間的電磁干擾。

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來(lái)制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。

目前的電路板，主要由以下組成線路與圖面(Pattern):線路是做為原件之間導(dǎo)通的工具，在設(shè)計(jì)上會(huì)另外設(shè)計(jì)大銅面作為接地及電源層。線路與圖面是同時(shí)做出的。介電層(Dielectric):用來(lái)保持線路及各層之間的絕緣性，俗稱為基材?？?Throughhole/via):導(dǎo)通孔可使兩層次以上的線路彼此導(dǎo)通，較大的導(dǎo)通孔則做為零件插件用，另外有非導(dǎo)通孔(nPTH)通常用來(lái)作為表面貼裝定位，組裝時(shí)固定螺絲用。防焊油墨(Solderresistant/SolderMask):并非全部的銅面都要吃錫上零件，因此非吃錫的區(qū)域，會(huì)印一層隔絕銅面吃錫的物質(zhì)(通常為環(huán)氧樹脂)，避免非吃錫的線路間短路。根據(jù)不同的工藝，分為綠油、紅油、藍(lán)油。絲印(Legend/Marking/Silkscreen):此為非必要之構(gòu)成，主要的功能是在電路板上標(biāo)注各零件的名稱、位置框，方便組裝后維修及辨識(shí)用。表面處理(SurfaceFinish):由于銅面在一般環(huán)境中，很容易氧化，導(dǎo)致無(wú)法上錫(焊錫性不良)，因此會(huì)在要吃錫的銅面上進(jìn)行保護(hù)。保護(hù)的方式有噴錫(HASL)，化金(ENIG)，化銀(ImmersionSilver)，化錫(ImmersionTin)，有機(jī)保焊劑(OSP)，方法各有優(yōu)缺點(diǎn)，統(tǒng)稱為表面處理。按照均勻分布、重心平衡、版面美觀的標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化布局；

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號(hào)線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在布局時(shí)保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號(hào)是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時(shí)良好的信號(hào)完整性。2、對(duì)于DDR信號(hào)數(shù)據(jù)信號(hào)DQ是參考選通信號(hào)DQS的，數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號(hào)+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號(hào)+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號(hào)組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成8組，每組里面的所有信號(hào)在布局布線時(shí)要保持拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性和長(zhǎng)度上匹配，這樣才能保證良好的信號(hào)完整性和時(shí)序匹配關(guān)系，要保證過(guò)孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內(nèi)等長(zhǎng)為20Mil，不同組的等長(zhǎng)范圍為200Mil，時(shí)鐘線和數(shù)據(jù)線的等長(zhǎng)范圍≤1000Mil。培訓(xùn)機(jī)構(gòu)會(huì)根據(jù)市場(chǎng)上的熱點(diǎn)和需求，選取一些好的PCB設(shè)計(jì)案例進(jìn)行解析。湖北高速PCB培訓(xùn)加工

大面積敷銅設(shè)計(jì)時(shí)敷銅上應(yīng)有開窗口，加散熱孔，并將開窗口設(shè)計(jì)成網(wǎng)狀。深圳高效PCB培訓(xùn)銷售

⑶間距相鄰導(dǎo)線之間的距離應(yīng)滿足電氣安全的要求，串?dāng)_和電壓擊穿是影響布線間距的主要電氣特性。為了便于操作和生產(chǎn)，間距應(yīng)盡量寬些，選擇小間距至少應(yīng)該適合所施加的電壓。這個(gè)電壓包括工作電壓、附加的波動(dòng)電壓、過(guò)電壓和因其它原因產(chǎn)生的峰值電壓。當(dāng)電路中存在有市電電壓時(shí)，出于安全的需要間距應(yīng)該更寬些。⑷路徑信號(hào)路徑的寬度，從驅(qū)動(dòng)到負(fù)載應(yīng)該是常數(shù)。改變路徑寬度對(duì)路徑阻抗(電阻、電感、和電容)產(chǎn)生改變，會(huì)產(chǎn)生反射和造成線路阻抗不平衡。所以，保持路徑的寬度不變。在布線中，避免使用直角和銳角，一般拐角應(yīng)該大于90°。直角的路徑內(nèi)部的邊緣能產(chǎn)生集中的電場(chǎng)，該電場(chǎng)產(chǎn)生耦合到相鄰路徑的噪聲，45°路徑優(yōu)于直角和銳角路徑。當(dāng)兩條導(dǎo)線以銳角相遇連接時(shí)，應(yīng)將銳角改成圓形。深圳高效PCB培訓(xùn)銷售