存儲(chǔ)模塊介紹:存儲(chǔ)器分類(lèi)在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下:DDR采用TSSOP封裝技術(shù),而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大,呈長(zhǎng)方形,其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高,缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差,容易受干擾,散熱不理想,而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧,體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一,有效地縮短信號(hào)傳輸距離,在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì),而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量,封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高,從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存,其制造工藝都在不斷改善,更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好,成本更低;DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝,而DDR2采用了0.09微米制造工藝,DDR3則采用了全新65nm制造工藝,而DDR4使用20nm以下的工藝來(lái)制造,從DDR~DDR4的具體參數(shù)如下表所示。ADC和DAC前端電路布線(xiàn)規(guī)則。荊州哪里的PCB設(shè)計(jì)銷(xiāo)售
規(guī)則設(shè)置子流程:層疊設(shè)置→物理規(guī)則設(shè)置→間距規(guī)則設(shè)置→差分線(xiàn)規(guī)則設(shè)置→特殊區(qū)域規(guī)則設(shè)置→時(shí)序規(guī)則設(shè)置◆層疊設(shè)置:根據(jù)《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》上的層疊信息,在PCB上進(jìn)行對(duì)應(yīng)的規(guī)則設(shè)置。◆物理規(guī)則設(shè)置(1)所有阻抗線(xiàn)線(xiàn)寬滿(mǎn)足《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》中的阻抗信息,非阻抗線(xiàn)外層6Mil,內(nèi)層5Mil。(2)電源/地線(xiàn):線(xiàn)寬>=15Mil。(3)整板過(guò)孔種類(lèi)≤2,且過(guò)孔孔環(huán)≥4Mil,Via直徑與《PCBLayout工藝參數(shù)》一致,板厚孔徑比滿(mǎn)足制造工廠(chǎng)或客戶(hù)要求,過(guò)孔設(shè)置按《PCBLayout工藝參數(shù)》要求?!糸g距規(guī)則設(shè)置:根據(jù)《PCBLayout工藝參數(shù)》中的間距要求設(shè)置間距規(guī)則,阻抗線(xiàn)距與《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》要求一致。此外,應(yīng)保證以下參數(shù)與《PCBLayout工藝參數(shù)》一致,以免短路:(1)內(nèi)外層導(dǎo)體到安裝孔或定位孔邊緣距離;(2)內(nèi)外層導(dǎo)體到郵票孔邊緣距離;(3)內(nèi)外層導(dǎo)體到V-CUT邊緣距離;(4)外層導(dǎo)體到導(dǎo)軌邊緣距離;(5)內(nèi)外層導(dǎo)體到板邊緣距離;◆差分線(xiàn)規(guī)則設(shè)置(1)滿(mǎn)足《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》中差分線(xiàn)的線(xiàn)寬/距要求。(2)差分線(xiàn)信號(hào)與任意信號(hào)的距離≥20Mil。襄陽(yáng)高效PCB設(shè)計(jì)怎么樣PCB設(shè)置中PCI-E板卡設(shè)計(jì)要求是什么?
ICT測(cè)試點(diǎn)添加ICT測(cè)試點(diǎn)添加注意事項(xiàng):(1)測(cè)試點(diǎn)焊盤(pán)≥32mil;(2)測(cè)試點(diǎn)距離板邊緣≥3mm;(3)相鄰測(cè)試點(diǎn)的中心間距≥60Mil。(4)測(cè)試點(diǎn)邊緣距離非Chip器件本體邊緣≥20mil,Chip器件焊盤(pán)邊緣≥10mil,其它導(dǎo)體邊緣≥12mil。(5)整板必須有3個(gè)孔徑≥2mm的非金屬化定位孔,且在板子的對(duì)角線(xiàn)上非對(duì)稱(chēng)放置。(6)優(yōu)先在焊接面添加ICT測(cè)試點(diǎn),正面添加ICT測(cè)試點(diǎn)需經(jīng)客戶(hù)確認(rèn)。(7)電源、地網(wǎng)絡(luò)添加ICT測(cè)試點(diǎn)至少3個(gè)以上且均勻放置。(8)優(yōu)先采用表貼焊盤(pán)測(cè)試點(diǎn),其次采用通孔測(cè)試點(diǎn),禁止直接將器件通孔管腳作為測(cè)試點(diǎn)使用。(9)優(yōu)先在信號(hào)線(xiàn)上直接添加測(cè)試點(diǎn)或者用扇出的過(guò)孔作為測(cè)試點(diǎn),采用Stub方式添加ICT測(cè)試點(diǎn)時(shí),Stub走線(xiàn)長(zhǎng)不超過(guò)150Mil。(10)2.5Ghz以上的高速信號(hào)網(wǎng)絡(luò)禁止添加測(cè)試點(diǎn)。(11)測(cè)試點(diǎn)禁止在器件、散熱片、加固件、拉手條、接插件、壓接件、條形碼、標(biāo)簽等正下方,以防止被器件或物件覆蓋。(12)差分信號(hào)增加測(cè)試點(diǎn),必須對(duì)稱(chēng)添加,即同時(shí)在差分線(xiàn)對(duì)的兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)的同一個(gè)地方對(duì)稱(chēng)加測(cè)試點(diǎn)
整板扇出(1)對(duì)板上已處理的表層線(xiàn)和過(guò)孔按照規(guī)則進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。(2)格點(diǎn)優(yōu)先選用25Mil的,其次采用5Mil格點(diǎn),過(guò)孔扇出在格點(diǎn)上,相同器件過(guò)孔走線(xiàn)采用復(fù)制方式,保證過(guò)孔上下左右對(duì)齊、常見(jiàn)分立器件的扇出形式(3)8MIL過(guò)孔中心間距35MIL以上,10MIL過(guò)孔中心間距40MIL以上,以免將平面層隔斷;差分過(guò)孔間距一般為30Mil(或過(guò)孔邊緣距為8Mil)。(4)芯片電源管腳先過(guò)電容再打過(guò)孔(5)所有電源/地管腳就近打孔,高速差分過(guò)孔附近30-50Mil內(nèi)加回流地孔,模塊內(nèi)通過(guò)表層線(xiàn)直連,無(wú)法連接的打過(guò)孔處理。(6)電源輸出過(guò)孔打在輸出濾波電容之后,電源輸入過(guò)孔扇出在輸入濾波電容之前,過(guò)孔數(shù)目滿(mǎn)足電源載流要求,過(guò)孔通流能力參照,地孔數(shù)不少于電源過(guò)孔數(shù)。京曉科技給您帶來(lái)PCB設(shè)計(jì)布線(xiàn)的技巧。
SDRAM模塊SDRAM介紹:SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)的簡(jiǎn)稱(chēng),是使用很的一種存儲(chǔ)器,一般應(yīng)用在200MHz以下,常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時(shí)鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時(shí)鐘頻率與CPU前端總線(xiàn)的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率相同,并且內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準(zhǔn);動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線(xiàn)性一次存儲(chǔ),而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)。為了配合SDRAM控制芯片的總線(xiàn)位寬,必須配合適當(dāng)數(shù)量的SDRAM芯片顆粒,如32位的CPU芯片,如果用位寬16bit的SDRAM芯片就需要2片,而位寬8bit的SDRAM芯片則就需要4片。是某廠(chǎng)家的SDRAM芯片封裝示意圖,圖中列出了16bit、8bit、4bit不同位寬的信號(hào)網(wǎng)絡(luò)管腳分配情況以及信號(hào)網(wǎng)絡(luò)說(shuō)明。LDO外圍電路布局要求是什么?武漢哪里的PCB設(shè)計(jì)布局
PCB設(shè)計(jì)中常用的電源電路有哪些?荊州哪里的PCB設(shè)計(jì)銷(xiāo)售
評(píng)估平面層數(shù),電源平面數(shù)的評(píng)估:分析單板電源總數(shù)與分布情況,優(yōu)先關(guān)注分布范圍大,及電流大于1A以上的電源(如:+5V,+3.3V此類(lèi)整板電源、FPGA/DSP的核電源、DDR電源等)。通常情況下:如果板內(nèi)無(wú)BGA封裝的芯片,一般可以用一個(gè)電源層處理所有的電源;如果有BGA封裝的芯片,主要以BGA封裝芯片為評(píng)估對(duì)象,如果BGA內(nèi)的電源種類(lèi)數(shù)≤3種,用一個(gè)電源平面,如果>3種,則使用2個(gè)電源平面,如果>6則使用3個(gè)電源平面,以此類(lèi)推。備注:1、對(duì)于電流<1A的電源可以采用走線(xiàn)層鋪銅的方式處理。2、對(duì)于電流較大且分布較集中或者空間充足的情況下采用信號(hào)層鋪銅的方式處理。地平面層數(shù)的評(píng)估:在確定了走線(xiàn)層數(shù)和電源層數(shù)的基礎(chǔ)上,滿(mǎn)足以下疊層原則:1、疊層對(duì)稱(chēng)性2、阻抗連續(xù)性3、主元件面相鄰層為地層4、電源和地平面緊耦合(3)層疊評(píng)估:結(jié)合評(píng)估出的走線(xiàn)層數(shù)和平面層數(shù),高速線(xiàn)優(yōu)先靠近地層的原則,進(jìn)行層疊排布。荊州哪里的PCB設(shè)計(jì)銷(xiāo)售
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