Gerber輸出Gerber輸出前重新導(dǎo)入網(wǎng)表,保證終原理圖與PCB網(wǎng)表一致,確保Gerber輸出前“替代”封裝已更新,根據(jù)《PCBLayout檢查表》進(jìn)行自檢后,進(jìn)行Gerber輸出。PCBLayout在輸出Gerber階段的所有設(shè)置、操作、檢查子流程步驟如下:Gerber參數(shù)設(shè)置→生成Gerber文件→IPC網(wǎng)表自檢。(1)光繪格式RS274X,原點(diǎn)位置設(shè)置合理,光繪單位設(shè)置為英制,精度5:5(AD精度2:5)。(2)光繪各層種類齊全、每層內(nèi)容選擇正確,鉆孔表放置合理。(3)層名命名正確,前綴統(tǒng)一為布線層ART,電源層PWR,地層GND,與《PCB加工工藝要求說明書》保持一致。(4)檢查Drill層:(5)孔符層左上角添加CAD編號(hào),每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。
PCB設(shè)計(jì)中常用的電源電路有哪些?鄂州定制PCB設(shè)計(jì)銷售電話射頻、中頻電路(2)屏蔽腔的設(shè)計(jì)1、應(yīng)把不同模塊的射頻單元用腔體隔離,特別是敏感電路和強(qiáng)烈輻射源之間,在大功率多級(jí)放大器中,也應(yīng)保證級(jí)與級(jí)之間隔開。2、印刷電路板的腔體應(yīng)做開窗處理、方便焊接屏蔽殼。3、在屏蔽腔體上設(shè)計(jì)兩排開窗過孔屏,過孔應(yīng)相互錯(cuò)開,同排過孔間距為150Mil。4、在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計(jì)3mm的金屬化固定孔,保證其固定屏蔽殼。5、腔體的周邊為密封的,一般接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu);而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu),這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開槽處理,開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。6、屏蔽罩設(shè)計(jì)實(shí)例咸寧設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)多少錢PCB設(shè)置中PCI-E板卡設(shè)計(jì)要求是什么?
布線,PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》、《PCBLayout工藝參數(shù)》、《PCB加工工藝要求說明書》對(duì)整板布線約束的要求。同時(shí)也應(yīng)該符合客戶對(duì)過孔工藝、小線寬線距等的特殊要求,無法滿足時(shí)需和客戶客戶溝通并記錄到《設(shè)計(jì)中心溝通記錄》郵件通知客戶確認(rèn)。布線的流程步驟如下:關(guān)鍵信號(hào)布線→整板布線→ICT測(cè)試點(diǎn)添加→電源、地處理→等長(zhǎng)線處理→布線優(yōu)化,關(guān)鍵信號(hào)布線關(guān)鍵信號(hào)布線的順序:射頻信號(hào)→中頻、低頻信號(hào)→時(shí)鐘信號(hào)→高速信號(hào)。關(guān)鍵信號(hào)的布線應(yīng)該遵循如下基本原則:★優(yōu)先選擇參考平面是地平面的信號(hào)層走線?!镆勒詹季智闆r短布線?!镒呔€間距單端線必須滿足3W以上,差分線對(duì)間距必須滿足20Mil以上
DDR2模塊相對(duì)于DDR內(nèi)存技術(shù)(有時(shí)稱為DDRI),DDRII內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取,這就意味著,DDRII擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力,因此,DDRII則簡(jiǎn)單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力;DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標(biāo)準(zhǔn),而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標(biāo)準(zhǔn);DDR采用的是TSOP封裝,而DDRII采用的是FBGA封裝,相對(duì)于DDR,DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬,而且在低功耗、低發(fā)熱量及電器穩(wěn)定性方面有著更好的表現(xiàn)。DDRII內(nèi)存技術(shù)比較大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力,而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下,DDRII可以獲得更快的頻率提升,突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。PCB典型的電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。
整板扇出(1)對(duì)板上已處理的表層線和過孔按照規(guī)則進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。(2)格點(diǎn)優(yōu)先選用25Mil的,其次采用5Mil格點(diǎn),過孔扇出在格點(diǎn)上,相同器件過孔走線采用復(fù)制方式,保證過孔上下左右對(duì)齊、常見分立器件的扇出形式(3)8MIL過孔中心間距35MIL以上,10MIL過孔中心間距40MIL以上,以免將平面層隔斷;差分過孔間距一般為30Mil(或過孔邊緣距為8Mil)。(4)芯片電源管腳先過電容再打過孔(5)所有電源/地管腳就近打孔,高速差分過孔附近30-50Mil內(nèi)加回流地孔,模塊內(nèi)通過表層線直連,無法連接的打過孔處理。(6)電源輸出過孔打在輸出濾波電容之后,電源輸入過孔扇出在輸入濾波電容之前,過孔數(shù)目滿足電源載流要求,過孔通流能力參照,地孔數(shù)不少于電源過孔數(shù)。PCB設(shè)計(jì)中IPC網(wǎng)表自檢的方法。宜昌正規(guī)PCB設(shè)計(jì)原理
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DDR與SDRAM信號(hào)的不同之處,1、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)與地址\控制信號(hào)是參考不同的時(shí)鐘信號(hào),數(shù)據(jù)信號(hào)參考DQS選通信號(hào),地址\控制信號(hào)參考CK\CK#差分時(shí)鐘信號(hào);而SDRAM信號(hào)的數(shù)據(jù)、地址、控制信號(hào)是參考同一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)。2、數(shù)據(jù)信號(hào)參考的時(shí)鐘信號(hào)即DQS信號(hào)是上升沿和下降沿都有效,即DQS信號(hào)的上升沿和下降沿都可以觸發(fā)和鎖存數(shù)據(jù),而SDRAM的時(shí)鐘信號(hào)只有在上升沿有效,相對(duì)而言DDR的數(shù)據(jù)速率翻倍。3、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)通常分成幾組,如每8位數(shù)據(jù)信號(hào)加一位選通信號(hào)DQS組成一組,同一組的數(shù)據(jù)信號(hào)參考相同組里的選通信號(hào)。4、為DDRSDRAM接口同步工作示意圖,數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)分成多組,同組內(nèi)的數(shù)據(jù)信號(hào)參考同組內(nèi)的選通信號(hào);地址、控制信號(hào)參考CK\CK#差分時(shí)鐘信號(hào)。鄂州定制PCB設(shè)計(jì)銷售電話
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