襄陽高速PCB設(shè)計(jì)布局

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應(yīng)用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號(hào)的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導(dǎo)體和接地平面構(gòu)成。微帶線的結(jié)構(gòu)如下圖中的圖1所示它是由導(dǎo)體條帶（在基片的一邊）和接地板（在基片的另一邊）所構(gòu)成的傳輸線。微帶線是由介質(zhì)基片，接地平板和導(dǎo)體條帶三部分組成。在微帶線中，電磁能量主要是集中在介質(zhì)基片中傳播的，3、屏蔽罩：是無線設(shè)備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：當(dāng)在電磁發(fā)射源和需要保護(hù)的電路之間插入一高導(dǎo)電性金屬時(shí)，該金屬會(huì)反射和吸收部分輻射電場，反射與吸收的量取決于多種不同的因素，這些因素包括輻射的頻率，波長，金屬本身的導(dǎo)電率和滲透性，以及該金屬與發(fā)射源的距離。4、模塊分腔的必要性：腔體內(nèi)腔器件間或RF信號(hào)布線間的典型隔離度約在50－70dB，對某些敏感電路，有強(qiáng)烈輻射源的電路模塊都要采取屏蔽或隔離措施，例如：a.接收電路前端、VCO電路的電源、環(huán)路濾波電路是敏感電路。b.發(fā)射的后級(jí)電路、功放的電路、數(shù)字信號(hào)處理電路、參考時(shí)鐘和晶體振蕩器是強(qiáng)烈的輻射源。PCB設(shè)計(jì)工藝的規(guī)則和技巧。襄陽高速PCB設(shè)計(jì)布局

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時(shí)鐘，DDR的所有命令信號(hào)，地址信號(hào)都是以CK/CK#為時(shí)序參考的。2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，與SDRAM不同的是，在進(jìn)行讀寫操作時(shí)CKE要保持為高電平，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，器件進(jìn)入斷電模式（所有BANK都沒有時(shí)）或自刷新模式（部分BANK時(shí)），當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效。當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號(hào)，低電平有效。這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組成了DDR的命令信號(hào)。黃岡什么是PCB設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)中FPGA管腳的交換注意事項(xiàng)。

DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號(hào)，如果掛兩片DDR顆粒時(shí)拓?fù)浣ㄗh采用對稱的Y型結(jié)構(gòu)，分支端靠近信號(hào)的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置（5mm以內(nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內(nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號(hào)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及長度上的匹配。地址、控制、時(shí)鐘線（遠(yuǎn)端分支結(jié)構(gòu)）的等長范圍為≤200Mil。5、對于地址、控制信號(hào)的參考差分時(shí)鐘信號(hào)CK\CK#的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，布局時(shí)串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時(shí)要考慮差分線對內(nèi)的平行布線及等長(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對于控制芯片及DDR芯片，為每個(gè)IO2.5V電源管腳配備退耦電容并靠近管腳放置，在允許的情況下多扇出幾個(gè)孔，同時(shí)芯片配備大的儲(chǔ)能大電容；對于1.25VVTT電源，該電源的質(zhì)量要求非常高，不允許出現(xiàn)較大紋波，1.25V電源輸出要經(jīng)過充分的濾波，整個(gè)1.25V的電源通道要保持低阻抗特性，每個(gè)上拉至VTT電源的端接電阻為其配備退耦電容。

調(diào)整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號(hào)要放在對應(yīng)的1管腳處；對BGA器件用英文字母和阿拉伯?dāng)?shù)字構(gòu)成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標(biāo)識(shí)放在正極旁；對于管腳較多的器件要每隔5個(gè)管腳或者收尾管腳都要標(biāo)出管腳號(hào)（6）對于二極管正極標(biāo)注的擺放需要特別注意：首先在原理圖中確認(rèn)正極對應(yīng)的管腳號(hào)（接高電壓），然后在PCB中，找到對應(yīng)的管腳，將正極極性標(biāo)識(shí)放在對應(yīng)的管腳旁邊7）穩(wěn)壓二級(jí)管是利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)制成的二極管。所以正極標(biāo)注放在接低電壓的管腳處。如何設(shè)計(jì)PCB布線規(guī)則？

SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統(tǒng)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的，SDRAM所有的輸入信號(hào)都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發(fā)內(nèi)部計(jì)數(shù)器和輸出寄存器；2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，高電平時(shí)時(shí)鐘有效，低電平時(shí)時(shí)鐘無效，CKE為低電平時(shí)SDRAM處于預(yù)充電斷電模式和自刷新模式。此時(shí)包括CLK在內(nèi)的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效，當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部所有的命令信號(hào)都被屏蔽，同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號(hào)，低電平有效，這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數(shù)據(jù)掩碼信號(hào)。寫數(shù)據(jù)時(shí)，當(dāng)DQM為高電平時(shí)對應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)無效，DQML與DQMU分別對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號(hào)，在讀寫命令時(shí)行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號(hào)，用以確定當(dāng)前的命令操作對哪一個(gè)BANK有效。8、DQ<0..15>為數(shù)據(jù)總線信號(hào)，讀寫操作時(shí)的數(shù)據(jù)信號(hào)通過該總線輸出或輸入。在布線過程中如何添加 ICT測試點(diǎn)？湖北常規(guī)PCB設(shè)計(jì)布線

ADC和DAC前端電路布線規(guī)則。襄陽高速PCB設(shè)計(jì)布局

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串?dāng)_檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡(luò)需確認(rèn)并記錄《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進(jìn)行檢查、修改、確認(rèn)、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對在分隔帶上的阻抗線進(jìn)行調(diào)整。（5）走線串?dāng)_檢查：所有相鄰層走線檢查并調(diào)整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進(jìn)行調(diào)整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。襄陽高速PCB設(shè)計(jì)布局

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