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FPGA管換注意事項，首先和客戶確認是否可以交換以及交換原則，其次，在FPGA交換管腳期間，不允許有原理圖的更改，如果原理圖要更改，在導入更改之后再調(diào)整管腳，管換的一般原則如下，在調(diào)整時應嚴格意遵守：（1）基本原則：管腳不能調(diào)整，I/O管腳、Input管腳或者Output管腳可調(diào)整。（2）FPGA的同一BANK的供電電壓相同，如果兩個Bank電壓不同，則I/O管腳不能交換；如果電壓相同，應優(yōu)先考慮在同一BANK內(nèi)交換，其次在BANK間交換。（3）對于全局時鐘管腳，只能在全局時鐘管腳間進行調(diào)整，并與客戶進行確認。（4）差分信號對要關聯(lián)起來成對調(diào)整，成對調(diào)整，不能單根調(diào)整，即N和N調(diào)整，P和P調(diào)整。（5）在管腳調(diào)整以后，必須進行檢查，查看交換的內(nèi)容是否滿足設計要求。（6）與調(diào)整管腳之前的PCB文件對比，生產(chǎn)交換管腳對比的表格給客戶確認和修改原理圖文件。什么是模擬電源和數(shù)字電源？黃岡專業(yè)PCB設計功能

疊層方案，疊層方案子流程：設計參數(shù)確認→層疊評估→基本工藝、層疊和阻抗信息確認。設計參數(shù)確認（1）發(fā)《PCBLayout業(yè)務資料及要求》給客戶填寫。（2）確認客戶填寫信息完整、正確。板厚與客戶要求一致,注意PCI或PCIE板厚1.6mm等特殊板卡板厚要求;板厚≤1.0mm時公差±0.1mm，板厚＞1.0mm是公差±10%。其他客戶要求無法滿足時，需和工藝、客戶及時溝通確認，需滿足加工工藝要求。層疊評估疊層評估子流程：評估走線層數(shù)→評估平面層數(shù)→層疊評估。（1）評估走線層數(shù)：以設計文件中布線密集的區(qū)域為主要參考，評估走線層數(shù)，一般為BGA封裝的器件或者排數(shù)較多的接插件，以信號管腳為6排的1.0mm的BGA，放在top層，BGA內(nèi)兩孔間只能走一根信號線為例，少層數(shù)的評估可以參考以下幾點：及次信號需換層布線的過孔可以延伸至BGA外（一般在BGA本體外擴5mm的禁布區(qū)范圍內(nèi)），此類過孔要擺成兩孔間穿兩根信號線的方式。次外層以內(nèi)的兩排可用一個內(nèi)層出線。再依次內(nèi)縮的第五，六排則需要兩個內(nèi)層出線。根據(jù)電源和地的分布情況，結合bottom層走線，多可以減少一個內(nèi)層。結合以上5點，少可用2個內(nèi)走線層完成出線。隨州什么是PCB設計哪家好在PCB設計中如何繪制結構特殊區(qū)域及拼板？

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，是使用很的一種存儲器，一般應用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時鐘頻率與CPU前端總線的系統(tǒng)時鐘頻率相同，并且內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性一次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)的讀寫。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當數(shù)量的SDRAM芯片顆粒，如32位的CPU芯片，如果用位寬16bit的SDRAM芯片就需要2片，而位寬8bit的SDRAM芯片則就需要4片。是某廠家的SDRAM芯片封裝示意圖，圖中列出了16bit、8bit、4bit不同位寬的信號網(wǎng)絡管腳分配情況以及信號網(wǎng)絡說明。

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。PCB設計布局中光口的要求有哪些？

PCBLAYOUT規(guī)范PCBLayout整個流程是：網(wǎng)表導入-結構繪制-設計規(guī)劃-布局-布線-絲印調(diào)整-Gerber輸出。1.1網(wǎng)表導入網(wǎng)表導入子流程如下：創(chuàng)建PCB文件→設置庫路徑→導入網(wǎng)表。創(chuàng)建PCB文件（1）建立一個全新PCBLayout文件，并對其命名。（2）命名方式：“項目名稱+日期+版本狀態(tài)”，名稱中字母全部大寫，以日期加上版本狀態(tài)為后綴，用以區(qū)分設計文件進度。舉例：ABC123_1031A1其中ABC123為項目名稱，1031為日期，A1為版本狀態(tài)，客戶有特殊指定要求的除外。（3）改版沿用上一版的PCB文件。設置庫路徑（1）將封裝庫文件放入LIB文件夾內(nèi)或庫文件內(nèi)，由客戶提供的封裝及經(jīng)我司封裝組確認的封裝可直接加入LIB文件夾內(nèi)或庫文件內(nèi)，未經(jīng)審核的封裝文件，不得放入LIB文件夾內(nèi)或庫文件內(nèi)。（2）對設計文件設置庫路徑，此路徑指向該項目文件夾下的LIB文件夾或庫文件，路徑指向必須之一，禁止設置多指向路徑。不同存儲容量及不同數(shù)據(jù)寬度的器件有所不同。黃岡專業(yè)PCB設計功能

屏蔽腔的設計具體步驟流程。黃岡專業(yè)PCB設計功能

關鍵信號布線（1）射頻信號：優(yōu)先在器件面走線并進行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點接地。（2）中頻、低頻信號：優(yōu)先與器件走在同一面并進行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號不要進入中頻、低頻信號布線區(qū)域。（3）時鐘信號：時鐘走線長度＞500Mil時必須內(nèi)層布線，且距離板邊＞200Mil，時鐘頻率≥100M時在換層處增加回流地過孔。（4）高速信號：5G以上的高速串行信號需同時在過孔處增加回流地過孔。黃岡專業(yè)PCB設計功能

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