24AA02E48T-I/SN存儲器原裝

來源: 發(fā)布時間:2023-08-10

主存的工作方式是按存儲單元的地址存放或讀取各類信息,統(tǒng)稱訪問存儲器。主存中匯集存儲單元的載體稱為存儲體,存儲體中每個單元能夠存放一串二進制碼表示的信息,該信息的總位數稱為一個存儲單元的字長。存儲單元的地址與存儲在其中的信息是一一對應的,單元地址只有一個,固定不變,而存儲在其中的信息是可以更換的。 指示每個單元的二進制編碼稱為地址碼。尋找某個單元時,先要給出它的地址碼。暫存這個地址碼的寄存器叫存儲器地址寄存器(MAR)。為可存放從主存的存儲單元內取出的信息或準備存入某存儲單元的信息,還要設置一個存儲器數據寄存器(MDR)。許多大型的機器都離不開存儲器的使用。24AA02E48T-I/SN存儲器原裝

存儲器是許多存儲單元的集中聚合,按單元號順序排列。每個單元由若干二進制位構成,以表示存儲單元中存放的數值,這種結構和數組的結構非常相似,故在VHDL語言中,通常由數組描述存儲器。存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內存)和輔助存儲器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。主存與緩存也有區(qū)別,主存主要是指能夠與CPU直接進行信息交換的存儲器,緩存則是指將信息暫時寄存在存儲器的意思。陜西24AA02E48T-E/OT存儲器可編程存儲器也可以作為單獨的記憶元件使用。

任何存儲芯片的存儲容量都是有限的。要構成一定容量的內存,單個芯片往往不能滿足字長或存儲單元個數的要求,甚至字長和存儲單元數都不能滿足要求。這時,就需要用多個存儲芯片進行組合,以滿足對存儲容量的需求,這種組合就稱為存儲器的擴展。存儲器擴展時要解決的問題主要包括位擴展、字擴展和字位擴展。異步SRAM的接口是一種非常典型的半導體存儲芯片接口,掌握了它的接口設計方法就意味著掌握了一系列半導體存儲芯片接口的設計方法(包括 NoR Flash、E2PROM等),同時也為學習其他半導體存儲芯片的接口設計打下了基礎。本節(jié)以異步SRAM的接口為例,介紹半導體存儲芯片接口設計的基本方法與原則。

存儲器中的三管組成是三管讀出時,先對T4置一預充電信號,使讀數據線達高電壓VDD,然后由讀選擇先打開T2,若T1的極間電容Cg存在足夠多的電荷"1",是T1導通,則因T2,T1導通接地,使讀數據線降為零電平,即“0”,若沒有足夠多的電荷“0”,T1截止,使讀數據線的高電平不變,讀出“1”信息。寫入時,由寫選擇線打開T3,這樣,Cg變能隨輸入信息充電(寫“1”)或放電(寫“0”)將寫入信號加到寫數據線上。單管(為了提高集成度)讀出時,字段上的高電平使T導通,若Cs有電荷,經T管在數據線產生電流,可視為讀出“1”。若Cs無電荷,則數據線上無電流,可視為讀出“0”。讀操作結束時,Cs的電荷已將破壞性對出,必須再生。寫入時,字段上的高電平使T導通,若數據線上為高電平,經T管對Cs充電,使其存“1”;若數據線為低電平,則Cs經T放電,使其無電荷而存“0”可以說動態(tài)RAM的讀過程就是檢測電容有無電,而寫過程就是對電容充電放電的過程注:T是mos管,不是電源,它能被導通,短的一端有電才能被導通許多人并不了解存儲器的使用方法。

PROM(ProgrammableROM):可編程程序只讀存儲器,是需要利用電流將其燒斷,寫入所需的資料,但只能寫錄一次EPROM(ErasableProgrammableROM):可抹除可編程只讀存儲器,可利用高電壓將資料編程寫入,抹除時將線路曝光于紫外線下,則資料可被清空,并且可重復使用EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory):電子式可抹除可編程只讀存儲器,運作原理類似EPROM,但是抹除的方式是使用高電場來完成,完成之后的結果是會再次導入至相關的記憶存儲器之中存儲器是現(xiàn)在社會市場上相對便捷使用的工具。陜西24AA02E48T-E/OT存儲器可編程

能夠在計算機領域被使用的是存儲器。24AA02E48T-I/SN存儲器原裝

存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設備,用來存放程序和數據1.存儲器的分類(RAM,ROM),工作原理(芯片讀寫),CPU的連接2.Cache(高速緩沖存儲器)3.輔存一丶存儲器的分類和層次CPU不能直接訪問輔存,輔存只能與主存交換信息,因此輔存的速度可以比主存慢得多存儲器系統(tǒng)層次主要體現(xiàn),緩存-主存,主存-輔存兩個存儲層前者解決CPU與主存速度不匹配問題,這層數據調用是硬件自動完成,對程序員透明后者解決存儲器系統(tǒng)容量問題,這層數據調用是硬件和OS共同完成的主存-輔存逐漸形成虛擬存儲系統(tǒng)24AA02E48T-I/SN存儲器原裝

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