雙向可控硅晶閘管使用中，應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)： 1.靈敏度 雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱(chēng)其兩極為陰陽(yáng)極，而是稱(chēng)作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無(wú)論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門(mén)極電流IGT是有區(qū)別的。 2.可控硅過(guò)載的保護(hù) 可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過(guò)載能力差，短時(shí)間的過(guò)流，過(guò)壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件： （1）外加電壓下允許超過(guò)正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用； （2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的...

任何的東西都有其使用的壽命，可控硅也不例外，可控硅模塊使用時(shí)間長(zhǎng)了，它的溫度就會(huì)升高，如果溫度過(guò)高就容易損壞，并且降低使用壽命，這就需要大家來(lái)看看可控硅模塊的升溫方法： 1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測(cè)定：在距被測(cè)可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì)，溫度計(jì)測(cè)點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線(xiàn)等高，溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來(lái)輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。 2 可控硅模塊溫升按下式計(jì)算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。 3 可控硅模塊工作溫度的測(cè)定：被測(cè)可控硅模塊溫升的測(cè)定，通常與減速機(jī)的承載能力及傳動(dòng)效率測(cè)定同時(shí)進(jìn)行，也可單獨(dú)進(jìn)行，...

可控硅模塊的分類(lèi)： 1、以關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式來(lái)分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。 2、以引腳和極性來(lái)分類(lèi)：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。 3、以封裝形式來(lái)分類(lèi)：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。 4、以電流容量來(lái)分類(lèi)：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中...

正高可控硅擁有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線(xiàn)簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，受到了眾多客戶(hù)的喜愛(ài)和歡迎。目前，正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點(diǎn)，應(yīng)用于各行業(yè)，**省內(nèi)外地區(qū)。 可控硅模塊的分類(lèi) 可控硅模板從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)**模塊MTG\...

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類(lèi)似于真空閘流管，所以國(guó)際上通稱(chēng)為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管T。又由于晶閘管開(kāi)始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱(chēng)為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR。 在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件(俗稱(chēng)“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。 可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此頻率，因元件開(kāi)關(guān)損耗明顯增加，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用。 可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、...

可控硅模塊主要優(yōu)點(diǎn)如下： （1）采用進(jìn)口方形可控硅支撐板，降低了可控硅模塊的電壓，功耗低，效率高，節(jié)能效果好。 （2）采用進(jìn)口插入元件，保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。 （3）（DCB）陶瓷銅板采用獨(dú)特的處理和特殊的焊接工藝，保證了晶閘管組件的焊接層無(wú)空腔，導(dǎo)熱性好。 （4）導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。 （5）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離，導(dǎo)熱基板不帶電，介電強(qiáng)度≥2500V，保證安全。 （6）通過(guò)輸入0-10V直流控制信號(hào)，可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。 （7）可采用手動(dòng)控制、儀表控制或微機(jī)控制。 （8）適用于電...

單向可控硅模塊有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽(yáng)極A1(T1)，二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。 單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在...

可控硅模塊的用途 可控硅模塊具有硅整流器件的特性，相當(dāng)于或類(lèi)似于可控制的單向（或雙向）二極管，利用其可控功能，實(shí)現(xiàn)了弱電流對(duì)強(qiáng)電的控制。此外，晶閘管具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)、重量輕、效率高、控制靈活等優(yōu)點(diǎn)。晶閘管可用于下列過(guò)程： 1、可控整流：將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電； 2、逆變器：將直流電轉(zhuǎn)換成交流電； 3、變頻：將一個(gè)頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個(gè)頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電； 4、交流調(diào)壓：將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓； 5、斬波：將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓； 6、無(wú)觸點(diǎn)通斷：用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替交流接觸器實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)控制。 淄...

雙向可控硅晶閘管使用中，應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)： 1.靈敏度 雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱(chēng)其兩極為陰陽(yáng)極，而是稱(chēng)作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無(wú)論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門(mén)極電流IGT是有區(qū)別的。 2.可控硅過(guò)載的保護(hù) 可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過(guò)載能力差，短時(shí)間的過(guò)流，過(guò)壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件： （1）外加電壓下允許超過(guò)正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用； （2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的...

可控硅鑒別三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以判斷出來(lái)。 陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）。 控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，...

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優(yōu)勢(shì)，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎，下面正高來(lái)詳細(xì)的說(shuō)下可控硅模塊。 可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）。剛開(kāi)始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。 可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線(xiàn)簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。 淄博正高電氣...

可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流，存在導(dǎo)通角問(wèn)題，負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。 推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I＞K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際 K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2； I負(fù)載：負(fù)載流過(guò)的強(qiáng)大電流； U實(shí)際：負(fù)載上的小電壓； U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）； I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱(chēng)的電流必須大于該值。 淄博正高電氣有限公司產(chǎn)品適用...

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類(lèi)似于真空閘流管，所以國(guó)際上通稱(chēng)為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管T。又由于晶閘管開(kāi)始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱(chēng)為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR。 在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件(俗稱(chēng)“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。 可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此頻率，因元件開(kāi)關(guān)損耗明顯增加，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用。 可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、...

可控硅模塊的使用注意事項(xiàng) 1.在選擇可控硅模塊的額定電流時(shí)，應(yīng)注意的是，除考慮通過(guò)元件的平均電流外，還必須注意正常運(yùn)行過(guò)程中傳導(dǎo)角的大小、散熱和通風(fēng)條件等因素，同時(shí)，管殼的溫度不得超過(guò)相應(yīng)電流的允許值。 2.使用可控硅模塊時(shí)，使用萬(wàn)用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài)，如有短路或斷路，應(yīng)立即更換。 3.嚴(yán)禁使用兆歐表來(lái)檢查部件的絕緣情況。 4.率大于5A的可控硅模塊，應(yīng)安裝散熱器，并保證規(guī)定的冷卻條件。同時(shí)，為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好，應(yīng)在兩者之間涂一層有機(jī)硅油或硅脂，以利于更好的散熱。 5.根據(jù)規(guī)定，主電路中的可控硅模塊采用過(guò)電壓和過(guò)電流保護(hù)裝置。 ...

可控硅模塊的接線(xiàn)方法 可控硅模塊在電力工業(yè)中占有重要地位。很多人知道可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)和使用方法，但不知道如何連接可控硅模塊。我們來(lái)談?wù)効煽毓枘K的連接方法。 單個(gè)晶閘管反向并聯(lián)。記得增加RC保護(hù)電路?？刂平涣麟?，單向晶閘管一定要反向并聯(lián)，因此2和3應(yīng)短接使用。 可控硅的介紹： 這是一種由三個(gè)晶閘管引起的共正晶閘管模塊，主要用于三相半波整流電路。 或者三相全控橋可以由一個(gè)普通的負(fù)三相半波整流器構(gòu)成。 調(diào)速器：紅色，藍(lán)色，黑色，3根電線(xiàn)，紅色電池正極，黑色電池負(fù)極，藍(lán)色連接電機(jī)負(fù)極，電機(jī)正極帶一根線(xiàn)到電池正極。 淄博正高電氣有限公司重信譽(yù)、守合同，嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)...

可控硅模塊的特性 單向晶閘管模塊具有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽(yáng)極連接到反向電壓時(shí)，或陽(yáng)極連接到正向電壓時(shí)，但控制極不增加電壓，則不會(huì)導(dǎo)通，當(dāng)陽(yáng)極和控制極同時(shí)連接到正向電壓時(shí)，將變?yōu)榻油顟B(tài)。一旦接通，控制電壓將失去控制作用。無(wú)論有無(wú)控制電壓，無(wú)論控制電壓的極性如何，都將始終處于接通狀態(tài)。若要關(guān)閉，只能將陽(yáng)極電壓降到某個(gè)臨界值或反向。 雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列（當(dāng)電極管腳朝著帶有字符的一側(cè)向下時(shí)）。當(dāng)改變施加到控制極G的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間時(shí)，其接通電流的大小可以改變。 地理位置優(yōu)越，交通十分便利。菏澤可控硅模塊價(jià)格 正高可控硅擁有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)...

只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來(lái)得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱(chēng)為電角度。 這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。 淄博...

可控硅模塊的操控端口與操控線(xiàn) 可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法，別離對(duì)應(yīng)于5芯、9芯、15芯的操控線(xiàn)。選用電壓信號(hào)的商品只用**腳端口，其他為空腳，選用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入，操控線(xiàn)的屏蔽層銅線(xiàn)應(yīng)焊接到直流電源地線(xiàn)上,聯(lián)接時(shí)注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業(yè)或能夠燒壞模塊。 可控硅模塊操控端口插座和操控線(xiàn)插座上都有編號(hào)，請(qǐng)一一對(duì)應(yīng)，不要接反。以上六個(gè)端口為模塊根柢端口，其它端口為分外端口，只在具有多功用商品中運(yùn)用，一般調(diào)壓商品其他腳為空腳。 淄博正高電氣有限公司愿與各界朋友攜手共進(jìn)，共創(chuàng)未來(lái)！貴州快恢復(fù)可控硅模塊哪家好 可控硅是P1N1P2N2四層三...

導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系：山東可控硅模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的器強(qiáng)大電流有直接關(guān)系，模塊的標(biāo)稱(chēng)電流是強(qiáng)大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的強(qiáng)大電流。在小導(dǎo)通角（輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽螅娏鞯挠行е岛苄。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。?，但是輸出電流的有效值很大，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，山東可控硅模塊應(yīng)選擇在強(qiáng)大導(dǎo)通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上。淄博正高電氣有限公司愿與各界朋友攜手共進(jìn)，共創(chuàng)未來(lái)！日照高壓可控硅模塊供應(yīng)商 選擇可控硅模塊時(shí)不能只看表面，應(yīng)參考實(shí)際工作條件來(lái)選擇，選用可控硅模塊的額...

可控硅模塊的操控端口與操控線(xiàn) 可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法，別離對(duì)應(yīng)于5芯、9芯、15芯的操控線(xiàn)。選用電壓信號(hào)的商品只用**腳端口，其他為空腳，選用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入，操控線(xiàn)的屏蔽層銅線(xiàn)應(yīng)焊接到直流電源地線(xiàn)上,聯(lián)接時(shí)注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業(yè)或能夠燒壞模塊。 可控硅模塊操控端口插座和操控線(xiàn)插座上都有編號(hào)，請(qǐng)一一對(duì)應(yīng)，不要接反。以上六個(gè)端口為模塊根柢端口，其它端口為分外端口，只在具有多功用商品中運(yùn)用，一般調(diào)壓商品其他腳為空腳。 歡迎各界朋友蒞臨參觀。廣東小功率可控硅模塊配件 選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具...

選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。 所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態(tài)平均電流）均應(yīng)高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。 可控硅模塊的正向壓降、門(mén)極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路（指門(mén)極的控制電路）的各頂要求，不能偏高或偏低，否則會(huì)影響可控硅模塊的正常工作。 上就是可控硅模塊在不同設(shè)備中的種類(lèi)選擇，希望對(duì)您有所幫助。 淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。萊蕪快恢復(fù)可控硅模塊價(jià)格 可控硅元件在電氣設(shè)備中發(fā)揮重大作用，但可控硅使用中必須...

斷一個(gè)可控硅元件是否完好，工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查，首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當(dāng)陰極與陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通，第三是當(dāng)控制極開(kāi)路時(shí)，陽(yáng)極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿(mǎn)足以上四個(gè)條件的可控硅元件，才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。 想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求，其實(shí)非常簡(jiǎn)單，只需要用萬(wàn)用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻，就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽(yáng)極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個(gè)...

選擇可控硅模塊時(shí)不能只看表面，應(yīng)參考實(shí)際工作條件來(lái)選擇，選用可控硅模塊的額定電流時(shí)，除了考慮通過(guò)元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。 1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件: (1)強(qiáng)迫風(fēng)冷：風(fēng)速≥6m/s，風(fēng)溫≤40℃； (2)水冷：流量≥4L/mm，壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8； (3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃； (4)空氣相對(duì)濕度≤85%； (5)空氣中無(wú)腐蝕性氣體和破壞絕緣...

斷一個(gè)可控硅元件是否完好，工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查，首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當(dāng)陰極與陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通，第三是當(dāng)控制極開(kāi)路時(shí)，陽(yáng)極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿(mǎn)足以上四個(gè)條件的可控硅元件，才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。 想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求，其實(shí)非常簡(jiǎn)單，只需要用萬(wàn)用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻，就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽(yáng)極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個(gè)...

滿(mǎn)足可控硅模塊工作的必要條件： （1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。 ①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。 ②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱(chēng)電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A，標(biāo)稱(chēng)電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A。 （2）可控硅模塊控制信號(hào)：0～10V或4～20mA控制信號(hào)，用于對(duì)輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào)，正極接CON10V或CON20mA，負(fù)極接GND1。 （3）可控硅模塊供電電源和負(fù)載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子...

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極，陽(yáng)極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。 可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說(shuō)明介紹： 可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、**等各類(lèi)電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過(guò)可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺相等保護(hù)功能。 淄博正高電氣有限公司歡迎朋友們指導(dǎo)和業(yè)務(wù)洽談。濰坊可控硅模塊生產(chǎn)廠家 可控硅模塊的接線(xiàn)方法 可控硅模塊在電力工業(yè)中占有重要地位。很多人知道可控硅模塊...

過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過(guò)電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來(lái)講講過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過(guò)電壓產(chǎn)生的原因。 可控硅模塊對(duì)過(guò)電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)udrm值時(shí)，可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)urrm值時(shí)，可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此，需要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和過(guò)電壓的方法。 過(guò)電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過(guò)電壓主要有兩種類(lèi)型，如雷擊和開(kāi)關(guān)開(kāi)啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)...

可控硅模塊的分類(lèi)可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。青島小功率可控硅模塊組件 可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題...

可控硅模塊的使用注意事項(xiàng) 1.在選擇可控硅模塊的額定電流時(shí)，應(yīng)注意的是，除考慮通過(guò)元件的平均電流外，還必須注意正常運(yùn)行過(guò)程中傳導(dǎo)角的大小、散熱和通風(fēng)條件等因素，同時(shí)，管殼的溫度不得超過(guò)相應(yīng)電流的允許值。 2.使用可控硅模塊時(shí)，使用萬(wàn)用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài)，如有短路或斷路，應(yīng)立即更換。 3.嚴(yán)禁使用兆歐表來(lái)檢查部件的絕緣情況。 4.率大于5A的可控硅模塊，應(yīng)安裝散熱器，并保證規(guī)定的冷卻條件。同時(shí)，為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好，應(yīng)在兩者之間涂一層有機(jī)硅油或硅脂，以利于更好的散熱。 5.根據(jù)規(guī)定，主電路中的可控硅模塊采用過(guò)電壓和過(guò)電流保護(hù)裝置。 ...

可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成。當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過(guò)，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通。 由于BG1和BG2所構(gòu)成的...