發(fā)光二極管是一種符合綠色照明要求的光源。目前，發(fā)光二極管在很多領域得到普遍應用，下面介紹幾點其主要應用：（1）電子用品中的應用發(fā)光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應用。從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機等...

整流橋模塊的損壞原因及解決辦法：-整流橋模塊損壞，通常是由于電網電壓或內部短路引起。在排除內部短路情況下，我們可以更換整流橋模塊。而導致整流橋損壞的原因有以下5個原因1、散熱片不夠大，過載沖擊電流過大，熱量散發(fā)不出來。2、負載短路，絕緣不好，負荷電流過大引起；...

電流從LED陽極流向陰極時，半導體晶體就發(fā)出從紫外到紅外不同顏色的光線，光的強弱與電流有關。以下是傳統(tǒng)發(fā)光二極管所使用的無機半導體物料和所它們發(fā)光的顏色LED材料材料化學式顏色鋁砷化鎵砷化鎵砷化鎵磷化物磷化銦鎵鋁磷化鎵（摻雜氧化鋅）AlGaAsGa...

IGBT功率模塊如何選擇？在說IGBT模塊該如何選擇之前，小編先帶著大家了解下什么是IGBT？IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一個有MOSGate的BJT晶體管，可以簡單理解...

b)整流橋自帶散熱器。1、整流橋不帶散熱器對于整流橋不帶散熱器而采用強迫風冷這種情況，其分析的過程同自然冷卻一樣，只不過在計算整流橋外殼向環(huán)境間散熱的熱阻和PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻時，對其換熱系數的選擇應該按照強迫風冷情形來進行，其數值通常為20~30W/m...

在恢復電流快速衰減時，由于外電路電感的作用，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零，到反向恢復電流衰減至接近于零的時間，就是晶閘管的反向阻斷恢復時間t。[1]反向恢復過程結束后，由于載流子復合過程比較慢，晶閘管要恢復其對反向電壓的阻斷能力還需要一...

二極管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管，具有穩(wěn)定電壓穩(wěn)壓管的作用。穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于，穩(wěn)壓管是工作在PN結的反向擊穿狀態(tài)。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小，能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會因過熱而損壞...

絕緣柵雙極晶體管IGBT是MOSFET和GTR相結合的產物。其主體部分與晶體管相同，也有集電極和發(fā)射極，但驅動部分卻和場效應晶體管相同，是絕緣柵結構。IGBT的工作特點是，控制部分與場效應晶體管相同，控制信號為電壓信號UGE，輸人阻抗很高，柵極電流...

所述負載連接于所述第三電容的兩端；所述第二采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結構的采樣管腳，另一端接地。為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結構，第四電容，變壓器，二極管，第五電容，負載及第...

認識半導體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產品，并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導體結構，形成三個PN結，分別稱：陽極，陰極和控制極。圖1晶閘管的結構晶閘管在工作過程中，它...

2）熔體與熔斷器額定電流的確定熔體額定電流大小與負載大小、負載性質有關。對于負載平穩(wěn)、無沖擊電流，如一般照明電路、電熱電路可按負載電流大小來確定熔體的額定電流。對于有沖擊電流的電動機負載，為達到短路保護目的，又保證電動機正常起動，對籠型感應電動機其熔斷器熔體的...

在現代電力電子技術中得到了越來越的應用，在較高頻率的大、率應用中占據了主導地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通...

該igbt芯片上設置有：工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域；其中，igbt芯片還包括第1表面和第二表面，且，第1表面和第二表面相對設置；第1表面上設置有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共柵極單元，以及，工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極...

以及設置于所述塑封體內的整流橋、功率開關管、邏輯電路、至少兩個基島；其中，所述整流橋的一交流輸入端通過基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過基島或引線連接所述零線管腳，一輸出端通過基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過基島或引線連接所述信號地管...

IGBT裸片是硅基的絕緣柵雙極晶體管芯片。裸片和晶圓級別的芯片可幫助模塊制造商提高產品集成度和功率密度，并有效節(jié)約電路板空間。另外，英飛凌還提供完善的單獨塑封IGBT系列：IGBT單管。該系列芯片包括單片IGBT，以及和續(xù)流二極管集成封裝的產品，廣...

所有人都知道IGBT的標準定義，但是很少有人詳細地、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭，一層一層地分析為什么定義里說IGBT是由BJT和MOS組成的，它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系，在應用的時候，什么時候能選擇IGBT、什么時候選擇BJT、什么時候又選擇MOSFET管。這些問題...

1.倒閘操作的概念當電氣設備由一種狀態(tài)轉換到另一種狀態(tài)或改變電力系統(tǒng)的運行方式時，需要進行一系列的操作，這種操作叫做電氣設備的倒閘操作。2.電氣設備狀態(tài)（1）運行狀態(tài)：指設備的斷路器及隔離開關都在合閘位置，將電源至受電端間的電路接通（包括輔助設備，如電壓互感器...

保證電弧熄滅的熔絲展開長度按下式計算：l=160+70Umm式中U—熔斷器的額定電壓kV2、石英砂顆粒度石英砂的顆粒度，對限流式熔斷器的滅弧性能有很大影響。試驗表明，顆粒直徑在。3、限制過電壓措施由于限流式熔斷器開斷電路時，電弧電流被強迫過零，因而易產生過電壓...

什么是熔斷器熔斷器是一種簡單的保護電器。在農村，配電變壓器高、低壓側都裝有熔斷器作為短路保護，以防止短路電流對變壓器的損害。另外，各種動力和照明裝置也常常采用熔斷器作短路故障或連續(xù)過負荷的保護裝置。熔斷器是當電流超出限定值時借助熔體熔化而分斷電路的...

保險絲分斷能力編輯當介于常規(guī)不熔斷電流與相關標準規(guī)定的額定分斷能力（的電流）之間的電流作用于保險絲時，保險絲應能滿意地動作，而且不會危及周圍環(huán)境。保險絲被安置的電路的預期故障電流必須小于標準規(guī)定的額定分斷能力電流，否則，當故障發(fā)生保險絲熔斷時會出現持續(xù)飛弧、引...

2）熔體與熔斷器額定電流的確定熔體額定電流大小與負載大小、負載性質有關。對于負載平穩(wěn)、無沖擊電流，如一般照明電路、電熱電路可按負載電流大小來確定熔體的額定電流。對于有沖擊電流的電動機負載，為達到短路保護目的，又保證電動機正常起動，對籠型感應電動機其熔斷器熔體的...

所述柜體的內壁固定有散熱扇，且散熱扇的頂部固定有豎桿，所述豎桿的內部設置有轉軸，且轉軸的外壁固定有太陽能電板。推薦的，所述防震塊等間距分布于緩沖塊的外壁，且緩沖塊通過***凹槽與柜體構成滑動結構。推薦的，所述緩沖塊關于收納箱的中軸線對稱設置，且收納箱與柜體的中...

封閉式熔斷器：封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無填料熔斷器兩種，如圖3和圖4所示。有填料熔斷器一般用方形瓷管，內裝石英砂及熔體，分斷能力強，用于電壓等級500V以下、電流等級1KA以下的電路中。無填料密閉式熔斷器將熔體裝入密閉式圓筒中，分斷能力稍小，用于500V以...

而這正是所希望的結果。在正常工作狀態(tài)，電路內部的**取樣電阻對負載電流周期性地進行采樣，因此避免了因過流導致災難性后果出現。因此，內部過熱保護電路為變換器提供了安全工作區(qū)（SAO）。其中MAX668是一個開關控制器，由它完成升壓功能。電流反饋型升壓控制器（MA...

其目的為了使熔絲在過載情況下迅速斷開?？焖偃蹟嗥骶屯怀觥翱臁?，也就靈敏度高，當電路電流一過載，熔絲在焊點的作用下，迅速發(fā)熱，迅速斷開熔絲，好的快速熔斷體其效率相當高，主要用來保護可控硅和一些電子功率元器件?？焖偃蹟嗥骺焖偃蹟嗥鞯慕Y構、工作原理和特性...

快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結構和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔...

所述負載連接于所述第三電容的兩端；所述第二采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結構的采樣管腳，另一端接地。為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結構，第四電容，變壓器，二極管，第五電容，負載及第...

折疊摘要應用整流橋到電路中，主要考慮它的大工作電流和大反向電壓。針對整流橋不同冷卻方式的選擇和對其散熱過程的詳細分析，來闡述元器件廠家提供的元器件熱阻(Rja和Rjc)的具體含義，并在此基礎上提出一種在技術上可行、使用上操作性強的測量整流橋殼溫的方...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。中文名可控硅模塊外文名semicondu...

因此我們可以用散熱器的基板溫度的數值來代替整流橋的殼溫，這樣不在測量上易于實現，還不會給終的計算帶來不可容忍的誤差。折疊仿真分析整流橋在強迫風冷時的仿真分析前面本文從不同情形下的傳熱途徑著手，用理論的方法分析了整流橋在三種不同冷卻方式下的傳熱過程，...