輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽?,但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。?,但是輸出電流的有效值很大,半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此,模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角...
可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱,谷稱可控硅模塊,它是1種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體元器件,在線路中用字母符號為“V”、“VT”表達(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表達)。可控硅模塊具備硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下運行,且其運行過...
主要應(yīng)用于各種光控及遙控發(fā)射電路中。紅外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)、原理與普通發(fā)光二極管相近,只是使用的半導(dǎo)體材料不同。紅外發(fā)光二極管通常使用砷化鎵(GaAs)、砷鋁化鎵(GaAlAs)等材料,采用全透明或淺藍色、黑色的樹脂封裝。常用的紅外發(fā)光二極管有SIR...
[4]二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件,簡稱LED(LightEmittingDiode)。和普通二發(fā)光二極管極管相似,發(fā)光二極管也是由一個PN結(jié)構(gòu)成。發(fā)光二極管的PN結(jié)封裝在透明塑料殼內(nèi),外形有方形、矩形和...
二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件[1]。它具有單向?qū)щ娦阅?,即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時,二極管導(dǎo)通。當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時,二極管截止。因此,二極管的導(dǎo)通和截止,則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開[2]。二極管是早誕生的半導(dǎo)體器件之一...
載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫(25℃)和高反向電壓作用,流過二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉?..
現(xiàn)在LED是用直流驅(qū)動的,所以不會存在頻閃現(xiàn)象)2、每個led燈泡的光線過亮,會強烈刺激眼睛,不可直視,哪怕短時間,而普通節(jié)能燈相對要柔和些!(研究發(fā)明LED是現(xiàn)代對眼睛好的照明工具,基本對眼睛沒傷害)3、照射角度有限制,一般只能照射120°,而普...
但尚未達到產(chǎn)業(yè)化的要求。其次,鈣鈦礦材料中鉛元素的毒性可能是其產(chǎn)業(yè)化道路上的一個障礙。研究發(fā)現(xiàn)許多元素(如錫、銅、鍺及銀等)在鈣鈦礦材料中可以替代鉛元素,但目前利用這些元素制備的器件性能還不及鉛基鈣鈦礦LED。此外,大面積模塊化制備鈣鈦礦LED仍處...
發(fā)光二極管簡稱為LED。由含鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。當(dāng)電子與空穴復(fù)合時能輻射出可見光,因而可以用來制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈,或者組成文字或數(shù)字顯示。砷化鎵二極管發(fā)紅光,磷化鎵二極管發(fā)綠光,碳化硅二極...
PT)技術(shù)會有比較高的載流子注入系數(shù),而由于它要求對少數(shù)載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞。另一方面,非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率,不過其載流子注入系數(shù)卻比較低。進而言之,非穿通(NPT)技術(shù)又被軟穿通(LP...
把交流電變成脈動直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示,另外,整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個外,還有大整流電流,是指整流二極管長時間的工作所允許通過的大電流值。它是整流二極管的主要參數(shù),是選項用整...
2)熔體與熔斷器額定電流的確定熔體額定電流大小與負載大小、負載性質(zhì)有關(guān)。對于負載平穩(wěn)、無沖擊電流,如一般照明電路、電熱電路可按負載電流大小來確定熔體的額定電流。對于有沖擊電流的電動機負載,為達到短路保護目的,又保證電動機正常起動,對籠型感應(yīng)電動機其...
1.選擇晶閘管的類型晶閘管有多種類型,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關(guān)電源保護電路等,可選用普通晶閘管。若用于交流開關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動機線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電...
熔斷器的分類:瓷插式RC螺旋式RL有填料式RT無填料密封式RM快速熔斷器RS自恢復(fù)熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護用。熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀...
一、IGBT是什么IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低...
廣泛應(yīng)用在斬波或逆變電路中,如軌道交通、電動汽車、風(fēng)力和光伏發(fā)電等電力系統(tǒng)以及家電領(lǐng)域。此外,半導(dǎo)體功率模塊主要包括igbt器件和fwd,在實際應(yīng)用中,為了保證半導(dǎo)體功率模塊能夠保證安全、可靠的工作,通常在半導(dǎo)體功率模塊的dcb板上增加電流傳感器以...
從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機等的顯示屏都將發(fā)光二極管用作屏背光源。[6](2)汽車以及大型機械中的應(yīng)用發(fā)光二極管在汽車以及大型機械中得到廣應(yīng)用。汽車以及大型機械設(shè)備中的方向燈、車內(nèi)照明、機械設(shè)備儀表照明、大前燈、轉(zhuǎn)...
輸出電壓與輸入電壓比值很小)下輸出的電流峰值很大,但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?,半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此,模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角...
熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣應(yīng)用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中,作為短路和過電流的保護器,是應(yīng)用普遍的保護器件之一。常見熔斷器圓筒形帽熔斷器...
晶閘管又被稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅。關(guān)鍵字:晶閘管單結(jié)晶體管構(gòu)成晶閘管觸發(fā)電路用單結(jié)晶體管構(gòu)成的晶閘管觸發(fā)電路如圖1所示,觸發(fā)電路的有關(guān)電壓波形如圖2所示。與單結(jié)晶體管構(gòu)成弛張振蕩電路相比較,電路的振蕩部分相同,同步是關(guān)鍵字:單結(jié)晶體觸...
一個空穴電流(雙極)。當(dāng)UCE大于開啟電壓UCE(th),MOSFET內(nèi)形成溝道,為晶體管提供基極電流,IGBT導(dǎo)通。2)導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小,通態(tài)壓降小。所謂通態(tài)壓降,是指IGBT進入導(dǎo)通狀態(tài)的管壓降UDS,這個電壓隨UCS上升而下...
若用于交流開關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動機線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中,應(yīng)選用雙向晶閘管。若用于交流電動機變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開關(guān)電路等,可選用門極關(guān)斷晶閘管。若用于鋸齒波發(fā)生器、長時間延時器、過電壓保護器及大功...
測量任意兩腳間的電阻,當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時,電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。(此處指的模擬表,電子式萬用表紅表筆與電池正極相連,模擬表紅表筆與電池負極相連)光控晶閘管晶閘管光控晶閘管(Li...
若用于交流開關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動機線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中,應(yīng)選用雙向晶閘管。若用于交流電動機變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開關(guān)電路等,可選用門極關(guān)斷晶閘管。若用于鋸齒波發(fā)生器、長時間延時器、過電壓保護器及大功...
熔絲座及斷開開關(guān),半導(dǎo)體熔斷器,中高壓熔斷器,高速熔斷器,通訊保護產(chǎn)品,國際標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)熔斷器,熔斷器附件、顯示器、工具包,熔斷器技術(shù),功率磁性元器件,超級電容,接線盒,車用熔斷器和斷路器。如同人們會出現(xiàn)過度勞累一樣,電氣和電子系統(tǒng)也會出現(xiàn)電路過載的情...
5、其它要求(1)當(dāng)模塊控制變壓器負載時,如果變壓器空載,輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流,導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量,嚴(yán)重時會燒掉保險絲。為了避免出現(xiàn)上述情況,可在模塊輸出端接一固定電阻,一般每相輸出電流不小于500mA(具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗...
PT)技術(shù)會有比較高的載流子注入系數(shù),而由于它要求對少數(shù)載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞。另一方面,非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率,不過其載流子注入系數(shù)卻比較低。進而言之,非穿通(NPT)技術(shù)又被軟穿通(LP...
促使整流管加速老化,并被過早地擊穿損壞。(3)運行管理欠佳。值班運行人員工作不負責(zé)任,對外界負荷的變化(特別是在深夜零點至第二天上午6點之間)不了解,或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負荷故障,運行人員沒有及時進行相應(yīng)的操作處理,產(chǎn)生過電壓而將整流管擊穿損壞。(4...
把交流電變成脈動直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示,另外,整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個外,還有大整流電流,是指整流二極管長時間的工作所允許通過的大電流值。它是整流二極管的主要參數(shù),是選項用整...
igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(igbt)構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu),igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機,變頻器,變頻家電等領(lǐng)域。目錄1特點2應(yīng)用3注意事項4發(fā)展趨...