在分揀搬運(yùn)貨的傳統(tǒng)應(yīng)用問(wèn)題上，工業(yè)機(jī)器人已經(jīng)開(kāi)始應(yīng)用視覺(jué)和AI的技術(shù)，從而可以自動(dòng)識(shí)別外部搬運(yùn)物品，并且做出自動(dòng)規(guī)劃和學(xué)習(xí)，**方便了關(guān)于搬運(yùn)的一些應(yīng)用。在激光切割應(yīng)用上，工業(yè)機(jī)器人目前技術(shù)方向更多在于離線軌跡編程技術(shù)。同時(shí)，工業(yè)機(jī)器人也還有嘗試通過(guò)機(jī)器學(xué)習(xí)以...

PCD、PCBN等多種超硬刀具的斷屑槽適用于很多領(lǐng)域，從精加工到通用加工均能實(shí)現(xiàn)出眾的切屑處理，特別是帶斷屑槽的PCD刀片，斷屑性能優(yōu)異，排屑順暢，能有效改善鋁合金在精鏜加工過(guò)程中排屑困難的問(wèn)題，不但能延長(zhǎng)刀片使用壽命，也能保證被加工工件表面質(zhì)量，更能提高操作...

智能機(jī)器人廣泛應(yīng)用于汽車(chē)行業(yè)的自動(dòng)化、數(shù)字化、智能化車(chē)間，已經(jīng)成為汽車(chē)智能制造的重要載體。在這里，可以看到的工人越來(lái)越少，取而代之的是一只只效率和精細(xì)度更高的智能化機(jī)器手，越來(lái)越多的關(guān)鍵工序已經(jīng)由機(jī)器人代替工人。近年來(lái)更是出現(xiàn)了“無(wú)人化”車(chē)間，弧焊、點(diǎn)焊、裝配...

目前激光制造技術(shù)所用的光源主要是激光，激光束具有高能量密度、高單鈀性、高方向性的特點(diǎn)，使激光制造技術(shù)具有許多傳統(tǒng)制造技術(shù)所不及的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)所用的工具是“激光刀”，加工時(shí)無(wú)刀具磨損；在加工過(guò)程中無(wú)切削力對(duì)工件的影響，因此工件無(wú)冷加工變形；由于加工時(shí)能量注入速度...

光纖激光切割機(jī)優(yōu)勢(shì)有哪些？光纖激光具有短波長(zhǎng)的特性，從而提高切割材料對(duì)光束的吸收性，而且使得能夠切割如黃銅和銅以及非導(dǎo)電性材料。更加集中的光束產(chǎn)生較小的焦點(diǎn)和較深的焦深，這樣光纖激光可以快速切割較薄材料以及更加有效地切割中等厚度材料。切割厚至6mm的材料時(shí)，1...

維修光纖激光切割機(jī)的故障現(xiàn)象的方法都有哪些：A、機(jī)器不運(yùn)轉(zhuǎn)：檢查光纖激光切割機(jī)電源線開(kāi)關(guān)是否開(kāi)啟;檢查電源線是否連接好電源插頭，是否有松動(dòng);檢查面板電源是否開(kāi)啟。B、泵不能正常工作：檢查光纖激光切割機(jī)循環(huán)系統(tǒng)是否堵塞;檢查整個(gè)系統(tǒng)的液體水平，確保泵是否能接收液...

激光劃片在晶圓加工方面具備以下優(yōu)勢(shì)：1.激光劃片采用的高光束質(zhì)量的光纖激光器，對(duì)芯片的電性影響較小，可以提供更高的劃片成品率。2.激光劃片速度為150mm/s。劃片速度較**.激光可以切割厚度較薄的晶圓，可以勝任不同厚度的晶圓劃片?？梢郧懈钜恍┹^復(fù)雜的晶圓芯片...

金剛石表面的金屬化是通過(guò)表面處理技術(shù)在金剛石表面鍍覆金屬，使其表面具有金屬或類金屬的性能。一般是在金剛石的表面鍍Ti，Ti與C反應(yīng)生成TiC，TiC 與Ag-Cu合金釬料有較好的潤(rùn)濕性和結(jié)合強(qiáng)度。目前常用的鍍鈦方法有：真空物相沉積(PVD，主要包括真空蒸發(fā)鍍、...

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過(guò)研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國(guó)內(nèi)晶圓以 8英寸和 12 英寸為主。激光切割SiC晶圓的方案為激光內(nèi)部改質(zhì)切...

碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的**材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢(shì)。對(duì)于它的加工也有很多方式，其中激光劃片是目前較為理想的方式之一。激光劃片設(shè)備采用工業(yè)激光器，波長(zhǎng)主要有 1 064 nm、532 nm、35...

激光劃片在晶圓加工方面具備以下優(yōu)勢(shì)：1.激光劃片采用的高光束質(zhì)量的光纖激光器，對(duì)芯片的電性影響較小，可以提供更高的劃片成品率。2.激光劃片速度為150mm/s。劃片速度較**.激光可以切割厚度較薄的晶圓，可以勝任不同厚度的晶圓劃片?？梢郧懈钜恍┹^復(fù)雜的晶圓芯片...

設(shè)備介紹超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備，配備好品質(zhì)皮秒激光器，通過(guò)超高峰值功率的皮秒激光在玻璃晶圓內(nèi)部產(chǎn)生非線性自聚焦效應(yīng)，達(dá)到激光成絲切割的效果。該設(shè)備還可應(yīng)用于各類透明脆性材料的快速劃線、切割。二、設(shè)備特點(diǎn)?高性能皮秒激光器具有超高峰值功率、高光束質(zhì)量和穩(wěn)定性、...

碳化硅是ⅠⅤ-ⅠⅤ族二元化合物半導(dǎo)體，具有很強(qiáng)的離子共價(jià)鍵，結(jié)合能量穩(wěn)定，具有優(yōu)越的力學(xué)、化學(xué)性能。材料帶隙即禁帶能量決定了器件很多性能，包括光譜響應(yīng)、抗輻射、工作溫度、擊穿電壓等，碳化硅禁帶寬度大。如**常用的 4H-SiC禁帶能量是 3.23 eV，因此，...

晶圓切割是半導(dǎo)體芯片制造工藝流程中的一道必不可少的工序，在晶圓制造中屬后道工序。將做好芯片的整片晶圓按芯片大小分割成單一的芯片，稱之為晶圓劃片。激光作為新型的加工方式之一，屬于無(wú)接觸式加工，不對(duì)晶圓產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力的作用，對(duì)晶圓損傷較小。由于激光在聚焦上的優(yōu)點(diǎn)，聚...

晶圓是半導(dǎo)體產(chǎn)品與芯片的基礎(chǔ)材料，晶圓生長(zhǎng)后需要經(jīng)過(guò)機(jī)械拋光，后期尤為重要的是晶圓切割加工，也叫晶圓劃片。早期短脈沖DPSS激光器切割晶圓技術(shù)已經(jīng)在歐洲、美國(guó)發(fā)展成熟。隨著超快激光器的快速發(fā)展和功率提升，超快激光切割晶圓未來(lái)將會(huì)逐漸成為主流，特別在晶圓切割、微...

半導(dǎo)體材料的另一個(gè)大量應(yīng)用是光伏電池產(chǎn)業(yè)，是目前世界上增長(zhǎng)**快、發(fā)展比較好的清潔能源市場(chǎng)。太陽(yáng)能電池分為晶體硅太陽(yáng)能電池、薄膜電池以及III-V族化合物電池，其中以硅晶圓材料為基礎(chǔ)應(yīng)用**為***。光伏電池恰恰與激光器相反，它是把光轉(zhuǎn)換為電的一種設(shè)備，而這個(gè)...

在激光切割晶圓過(guò)程中，從光斑直徑上來(lái)分析，光斑直徑是指光強(qiáng)降落到中心值的點(diǎn)所確定的范圍，這個(gè)范圍內(nèi)包含了光束能量的86.5%。在理想情況下，直徑范圍內(nèi)的激光可以實(shí)現(xiàn)切割。實(shí)際上，劃片寬度略大于光斑直徑。在劃片時(shí)，聚焦后的光斑直徑當(dāng)然是越小越好，這樣劃片所需的劃...

相較于機(jī)械法，透過(guò)激光劃線及切割晶圓的方法仍處于發(fā)展階段。隨著晶圓直徑加大、激光器更為便宜且產(chǎn)能增長(zhǎng)，其生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)也***提升。本文將探討激光切割晶圓的許多研究，包含使用具有各種波長(zhǎng)范圍輻射[8,9]、不同脈沖寬度（飛秒、皮秒至納秒[10-13]）與功率之激光。...

晶圓切割是封裝過(guò)程中十分關(guān)鍵的一步，因?yàn)樵诖诉^(guò)程中容易產(chǎn)生大的機(jī)械損傷導(dǎo)致嚴(yán)重的可靠性問(wèn)題，甚至是芯片的損壞。晶圓的切割方式有多種，**傳統(tǒng)的切割方式為刀片切割，這也是至今使用*****的一種方式。金剛石劃片刀切割晶圓有多重因素會(huì)對(duì)切割質(zhì)量造成影響，包括材料，...

超通智能研發(fā)了一款超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備，與傳統(tǒng)的切割設(shè)備相比，新型半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割機(jī)的性能優(yōu)勢(shì)明顯。首先，激光晶圓切割機(jī)采用特殊材料、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和運(yùn)動(dòng)平臺(tái)，可在加工平臺(tái)高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)保持穩(wěn)定性和精細(xì)性，轉(zhuǎn)速和效率較高。其次，激光晶圓切割機(jī)采用了合適的波長(zhǎng)、...

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過(guò)研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國(guó)內(nèi)晶圓以 8英寸和 12 英寸為主。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同...

硅作為第三代半導(dǎo)體材料，一直受到業(yè)界追捧，可材料始終是材料，就好比礦，沒(méi)有復(fù)雜的工藝處理，他就是一堆石頭，那半導(dǎo)體材料這樣偏精細(xì)的物質(zhì)，那自然得有一套成熟的工藝，那首要的就是晶圓的加工。我們常用的半導(dǎo)體材料精細(xì)，成本高，而且刀片劃片容易產(chǎn)生圓晶破損和刀具損壞，...

激光功率是影響劃片深度和劃片寬度的主要因素，在其他參數(shù)固定不變時(shí)，劃片寬度和劃片深度隨著激光功率的增加而增大，這是因?yàn)?，紫外激光雖然屬于“冷切割”，但還是存在一定的熱效應(yīng)，熱量會(huì)積累在切割處。當(dāng)激光功率一定時(shí)，晶圓受到照射的時(shí)間越長(zhǎng)，獲得的能量就越多，燒蝕現(xiàn)象...

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過(guò)研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國(guó)內(nèi)晶圓以 8英寸和 12 英寸為主。激光切割SiC晶圓的方案為激光內(nèi)部改質(zhì)切...

金屬切削過(guò)程中，切屑是否容易折斷，與切屑的變形有直接聯(lián)系，所以研究切屑折斷原理必須從研究切屑變形的規(guī)律入手。切削過(guò)程中所形成的切屑，由于經(jīng)過(guò)了比較大的塑性變形，它的硬度將會(huì)有所提高，而塑性和韌性則***降低，這種現(xiàn)象叫冷作硬化。經(jīng)過(guò)冷作硬化以后，切屑變得硬而脆...

四種不同激光打標(biāo)機(jī)的區(qū)別:第一種:當(dāng)前的CO2激光打標(biāo)機(jī)通常都是選用的進(jìn)口CO2射頻激光管，其使用壽命可達(dá)2-4萬(wàn)小時(shí)，該款機(jī)型**快打標(biāo)速度可達(dá)7000mm/s。CO2激光打標(biāo)機(jī)適合在絕大多數(shù)的非金屬材質(zhì)上打標(biāo)，例如紙質(zhì)包裝、塑料制品、皮革布料、玻璃陶瓷等。...

光纖激光切割對(duì)比水切割的區(qū)別和優(yōu)勢(shì)解析： 1、光纖激光切割對(duì)比水切割之應(yīng)用范圍：激光切割機(jī)的應(yīng)用范圍很廣,無(wú)論金屬、非金屬，都可以切割，切割非金屬，如布料、皮革等可以用CO2激光切割機(jī)，切割金屬可以用光纖激光切割機(jī)，板材變形小。水切割屬于冷態(tài)切割，無(wú)...

激光打標(biāo)技術(shù)已經(jīng)從工業(yè)領(lǐng)域逐漸普及到了日常生活中的產(chǎn)品，比如充電器打標(biāo)、手機(jī)外殼打標(biāo)、衣服布料打標(biāo)雕花、首飾打標(biāo)等等。激光打標(biāo)技術(shù)是一種非接觸、無(wú)污染、無(wú)損害的新型標(biāo)記工藝，集激光技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)和機(jī)電一體化技術(shù)為一身，是目前激光加工技術(shù)應(yīng)用很流行的一項(xiàng)先進(jìn)制...

隨著我國(guó)汽車(chē)、摩托車(chē)、航空航天、計(jì)算機(jī)、核工程、IT、醫(yī)療器械、精密儀器等行業(yè)的飛速發(fā)展，數(shù)控機(jī)床和加工中心機(jī)床的普遍使用，對(duì)零件的切削加工精度、尺寸一致性、切削可靠性、生產(chǎn)效率和刀具壽命的要求越來(lái)越高。由于金剛石集力學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)、聲學(xué)等眾多的優(yōu)異性能于一身...

雕刻成型是通過(guò)燒蝕材料創(chuàng)造三維形狀。盡管燒蝕的尺寸可能會(huì)超過(guò)傳統(tǒng)意義上所說(shuō)的微加工的范疇，但是它所需的精度還是使它被劃分到這類激光應(yīng)用領(lǐng)域。皮秒激光可以用于加工銑床的多晶金剛石刀具邊緣。激光是加工多晶金剛石的理想工具，多晶金剛石是可以制作銑刀刀刃的極為堅(jiān)硬的材...