深圳芯片電容

電解電容器是按結(jié)構(gòu)和制造工藝劃分的一種電容器。一般來說，電解電容是極化電容。電解電容器的陽極采用可鈍化的金屬材料，如鋁、鉭、鈮、鈦等，介質(zhì)材料是陽極金屬材料表面形成的致密氧化膜。電解電容器的陰極采用電解質(zhì)。電解電容器的主要特點(diǎn)是它們可以獲得比普通電容器大得多的電容（假設(shè)耐受電壓相同）。電解電容器因其使用電解質(zhì)作為陰極而得名。標(biāo)稱電壓是指在很低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下，可連續(xù)施加于電容器的直流電壓的很大有效值。一般直接標(biāo)在電容器外殼上。如果工作電壓超過電容器的耐受電壓，它們將被擊穿并造成不可修復(fù)的長久性損壞。電容的工作原理是通過兩個(gè)導(dǎo)體之間的電場存儲電荷。深圳芯片電容

貼片鉭電容的封裝是分為A型(3216)，B型(3528)，C型(6032)，D型(7343)，E型(7845)。有斜角的是表示正極,可以從腳來判斷,長的是正極,短的是負(fù)極.電容身上,有半邊顏色涂料的是負(fù)極。固態(tài)電解或液態(tài)電容的說法指的則是其陰極的用料。使用電解液做陰極的好處是電容量可以做到很大。但是電解液在高溫環(huán)境下容易揮發(fā)、滲漏，對壽命和穩(wěn)定性影響很大。而固態(tài)電容采用功能性導(dǎo)電性高分子作為介電材料，在長期未使用的情形下通電不致于發(fā)生爆漿現(xiàn)象。且在低溫時(shí)亦不會因電解質(zhì)離子移動緩慢而達(dá)不到應(yīng)有特性及功能，相比液態(tài)電解質(zhì)，固態(tài)電容具備環(huán)保、低阻抗、高低溫穩(wěn)定、耐高紋波及高信賴度等優(yōu)越特性等。玻璃釉電容器電容可以通過改變壓縮率來調(diào)節(jié)其電容值。

電解電容器的內(nèi)部有儲存電荷的電解質(zhì)材料，分正、負(fù)極性，類似于電池，不可接反。正極為粘有氧化膜的金屬基板，負(fù)極通過金屬極板與電解質(zhì)（固體和非固體）相連接。無極性（雙極性）電解電容器采用雙氧化膜結(jié)構(gòu)，類似于兩只有極性電解電容器將兩個(gè)負(fù)極相連接后構(gòu)成，其兩個(gè)電極分別為兩個(gè)金屬極板（均粘有氧化膜）相連，兩組氧化膜中間為電解質(zhì)。有極性電解電容器通常在電源電路或中頻、低頻電路中起電源濾波，退耦（ǒu）、信號耦合及時(shí)間常數(shù)設(shè)定、隔直流等作用。無極性電解電容器通常用于音響分頻器電路、電視機(jī)S校正電路及單相電動機(jī)的起動電路。

電容（或稱電容量）是表現(xiàn)電容器容納電荷本領(lǐng)的物理量。電容從物理學(xué)上講，它是一種靜態(tài)電荷存儲介質(zhì)，可能電荷會長久存在，這是它的特征，它的用途較廣，它是電子、電力領(lǐng)域中不可缺少的電子元件。主要用于電源濾波、信號濾波、信號耦合、諧振、濾波、補(bǔ)償、充放電、儲能、隔直流等電路中。電容器所帶電量Q與電容器兩極間的電壓U的比值，叫電容器的電容。在電路學(xué)里，給定電勢差，電容器儲存電荷的能力，稱為電容（capacitance），標(biāo)記為C。采用國際單位制，電容的單位是法拉（farad），標(biāo)記為F。電容的容量與電極面積、電極間距和介質(zhì)常數(shù)有關(guān)。

電容器儲存電荷的能力，常用的單位是F、uF、pF。電容器上標(biāo)有的電容數(shù)是電容器的標(biāo)稱容量。電容器的標(biāo)稱容量和它的實(shí)際容量會有誤差。一般，電容器上都直接寫出其容量，也有用數(shù)字來標(biāo)志容量的，通常在容量小于10000pF的時(shí)候，用pF做單位，大于10000pF的時(shí)候，用uF做單位。為了簡便起見，大于100pF而小于1uF的電容常常不注單位。沒有小數(shù)點(diǎn)的，它的單位是pF，有小數(shù)點(diǎn)的，它的單位是uF。如有的電容上標(biāo)有“332”（3300pF）三位有效數(shù)字，左起兩位給出電容量的一、二位數(shù)字，而第三位數(shù)字則表示在后加0的個(gè)數(shù)，單位是pF。電容還可以用來制作振蕩電路和濾波器等電子元件。河南聚苯乙烯電容廠家

電容可以與電感器一起構(gòu)成諧振電路，用于無線電通訊。深圳芯片電容

電容是描述導(dǎo)體或?qū)w系容納電荷的性能的物理量。孤立導(dǎo)體的電容把電荷Q充到孤立導(dǎo)體上,它的電位U與Q成正比，Q/U與Q無關(guān)，取決于孤立導(dǎo)體的形狀和大小，它反映了孤立導(dǎo)體容納電荷的能力，因而定義為孤立導(dǎo)體的電容，用C表示，C=Q/U。孤立導(dǎo)體的電容等于導(dǎo)體升高單位電位所需的電量。電容的國際制單位為法拉，簡稱法，用F表示,是一個(gè)非常大的單位。如將地球看作孤立導(dǎo)體，其電容只有709×-6法，所以通常采用μF(=-6F)或pF(=10-12F)為單位。如果把另一個(gè)帶負(fù)電的導(dǎo)體移近孤立導(dǎo)體，后者的電位就下降，可見非孤立導(dǎo)體的電位不只與它自己所帶電量的多少有關(guān)，還取決于周圍其他導(dǎo)體的相對位置。深圳芯片電容