汕頭半導(dǎo)體晶圓誠信經(jīng)營

    可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強(qiáng)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。所謂的回字型，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的，以便簡化設(shè)計(jì)。在另一實(shí)施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的。在更一實(shí)施例當(dāng)中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應(yīng)的。舉例來說，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的，但大小不同?？虻膶挾瓤梢耘c內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例。在一實(shí)施例當(dāng)中，可以具有兩個(gè)以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。請參考圖11b所示，其為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。圖11b所示的實(shí)施例，為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本申請所欲保護(hù)的技術(shù)特征在于，晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)的內(nèi)部至少具有一個(gè)或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)，用于加強(qiáng)該一個(gè)或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的個(gè)數(shù)。請參考圖12所示，其為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1200的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面1200可以是圖10a所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖12理解到，本申請并不限定該樹酯層1040a與1040b外緣的形狀，其可以是正方形、矩形、橢圓形、圓形。西安怎么樣半導(dǎo)體晶圓?汕頭半導(dǎo)體晶圓誠信經(jīng)營

    氣穴振蕩是一種混沌現(xiàn)象。空化氣泡的產(chǎn)生及其破裂受到很多物理參數(shù)的影響。這些猛烈的氣穴振蕩例如不穩(wěn)定的氣穴振蕩或微噴射將損傷這些圖案結(jié)構(gòu)(鰭結(jié)構(gòu)、槽和通孔)。在傳統(tǒng)的超聲波或兆聲波清洗過程中，只有當(dāng)功率足夠高，例如大于5-10瓦時(shí)，才會產(chǎn)生***的顆粒去除效率(“pre”)。然而，當(dāng)功率大于約2瓦時(shí)，晶圓開始有明顯的損傷。因此，很難找到功率窗口使得晶圓在被有效清洗時(shí)避免重大的損傷。因此，維持穩(wěn)定或可控的氣穴振蕩是控制聲波機(jī)械力低于損傷限度而仍然能夠有效地去除圖案結(jié)構(gòu)中的雜質(zhì)顆粒的關(guān)鍵。因此，提供一種系統(tǒng)和方法，用于控制在晶圓清洗過程中由超聲波或兆聲波設(shè)備產(chǎn)生的氣泡氣穴振蕩，以便能夠有效地去除細(xì)小的雜質(zhì)顆粒，而不會損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提出一種清洗半導(dǎo)體晶圓的方法，包括在清洗過程中輸送清洗液到半導(dǎo)體晶圓表面；在該清洗過程中通過聲波換能器向清洗液傳遞聲能，以在***預(yù)定時(shí)段以***預(yù)定設(shè)置及在第二預(yù)定時(shí)段以第二預(yù)定設(shè)置交替向聲波換能器供電，其中，清洗液中的氣泡氣穴振蕩在***預(yù)定時(shí)段內(nèi)增大，在第二預(yù)定時(shí)段內(nèi)減小，***預(yù)定時(shí)段和第二預(yù)定時(shí)段連續(xù)的一個(gè)接著一個(gè)，因此。咸陽12英寸半導(dǎo)體晶圓代工安徽半導(dǎo)體晶圓制作流程。

    清洗液中的氣泡可以在每次***時(shí)段的清洗后充分冷卻，以避免損傷晶圓。根據(jù)以下實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其他方面、特征及技術(shù)對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將是顯而易見的。附圖說明構(gòu)成本說明書一部分的附圖被包括以描述本發(fā)明的某些方面。對本發(fā)明以及本發(fā)明提供的系統(tǒng)的組成和操作的更清楚的概念，通過參考示例將變得更加顯而易見，因此，非限制性的，在附圖中示出的實(shí)施例，其中類似的附圖標(biāo)記(如果它們出現(xiàn)在一個(gè)以上的視圖)指定相同的元件，通過參考這些附圖中的一個(gè)或多個(gè)附圖并結(jié)合本文給出的描述，可以更好地理解本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)注意，附圖中示出的特征不是必須按比例繪制。圖1a至圖1b揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的使用超聲波或兆聲波裝置的晶圓清洗裝置。圖2a至圖2g揭示了不同形狀的超聲波或兆聲波換能器。圖3揭示了在晶圓清洗過程中氣泡內(nèi)爆。圖4a至圖4b揭示了在晶圓清洗過程中不穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)。圖5a至圖5c揭示了在聲波清洗晶圓過程中氣泡內(nèi)部熱能變化。圖6a至圖6c揭示了在聲波清洗晶圓過程中**終發(fā)生微噴射。圖7a至圖7e揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖8a至圖8d揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。

    請參考圖10a所示，其為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖。和圖9所示的實(shí)施例不同之處，在于該結(jié)構(gòu)1000包含了金屬層1010與樹酯層1040。為了減薄在邊框結(jié)構(gòu)與內(nèi)框結(jié)構(gòu)之間的金屬層810，可以在上述區(qū)域中使用較厚的樹酯層1040來替換掉金屬層1010的金屬。和圖9所示的結(jié)構(gòu)900相比，該金屬層1010的第四表面1014與該晶圓層820的***表面821的**短距離，要小于該金屬層810的第四表面與該晶圓層820的***表面的**短距離。由于該結(jié)構(gòu)1000的金屬層1010的大部分比該結(jié)構(gòu)900的金屬層810的大部分較薄，因此可以節(jié)省金屬本身的成本，也可以節(jié)省制作該金屬層810的步驟的成本。請參考圖10b所示，其為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖。圖10b所示的實(shí)施例是圖10a所示實(shí)施例的一種變形。和圖10a的金屬層1010相比，圖10b所示實(shí)施例的金屬層1010比較厚。圖10b所示實(shí)施例的其余特征均與圖10a所示實(shí)施例相同。請參考圖11a所示，其為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面1100可以是圖8a所示結(jié)構(gòu)800的cc線剖面，也可以是圖9所示結(jié)構(gòu)900的cc線剖面，還可以是圖10b所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面。為了方便說明起見。浙江12英寸半導(dǎo)體晶圓代工。

    然后采用sems處理晶圓的截面檢測10片晶圓上通孔或槽的清洗狀態(tài)，數(shù)據(jù)如表3所示。從表3可以看出，對于#6晶圓，τ1＝32τ10，清洗效果達(dá)到**佳點(diǎn)，因此**佳時(shí)間τ1為32τ10。表3如果沒有找到峰值，那么設(shè)置更寬的時(shí)間τ1重復(fù)步驟一至步驟四以找到時(shí)間τ1。找到**初的τ1后，設(shè)置更窄的時(shí)間范圍τ1重復(fù)步驟一至步驟四以縮小時(shí)間τ1的范圍。得知時(shí)間τ1后，時(shí)間τ2可以通過從512τ2開始減小τ2到某個(gè)值直到清洗效果下降以優(yōu)化時(shí)間τ2。詳細(xì)步驟參見表4，從表4可以看出，對于#5晶圓，τ2＝256τ10，清洗效果達(dá)到**優(yōu)，因此**佳時(shí)間τ2為256τ10。表4圖21a至圖21c揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的清洗工藝。該清洗工藝與圖20a-20d所示的相類似，不同在于該實(shí)施例中即使氣泡達(dá)到了飽和點(diǎn)rs，電源仍然打開且持續(xù)時(shí)間為mτ1，此處，m的值可以是，推薦為2，取決于通孔和槽的結(jié)構(gòu)以及所使用的清洗液?？梢酝ㄟ^類似圖20a-20d所示的方法通過實(shí)驗(yàn)優(yōu)化m的值。圖22a至22b揭示了根據(jù)本發(fā)明的利用聲能清洗晶圓的一個(gè)實(shí)施例。在時(shí)間段τ1內(nèi)，以聲波功率p1作用于清洗液，當(dāng)***個(gè)氣泡的溫度達(dá)到其內(nèi)爆溫度點(diǎn)ti，開始發(fā)生氣泡內(nèi)爆，然后，在溫度從ti上升至溫度tn(在時(shí)間△τ內(nèi))的過程中。半導(dǎo)體晶圓推薦咨詢??成都半導(dǎo)體晶圓誠信推薦

進(jìn)口半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品的價(jià)格。汕頭半導(dǎo)體晶圓誠信經(jīng)營

    并均勻地到達(dá)位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200。在實(shí)際應(yīng)用中，半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100包含多個(gè)微波產(chǎn)生器130。一般而言，微波產(chǎn)生器130平均地環(huán)繞腔室c分布，如此一來，微波w可均勻地進(jìn)入腔室c內(nèi)，并均勻地到達(dá)位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200，從而促進(jìn)半導(dǎo)體晶圓200的干燥過程。舉例而言，如圖1所示，至少兩個(gè)微波產(chǎn)生器130平均地分布于殼體120外側(cè)，使其平均地環(huán)繞腔室c分布。另外，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的殼體120基本上可設(shè)置于產(chǎn)業(yè)中現(xiàn)有的單晶圓濕處理設(shè)備(圖未示)上。一般而言，單晶圓濕處理設(shè)備具有旋轉(zhuǎn)基座，其用以承載單一片半導(dǎo)體晶圓，以于單晶圓濕處理設(shè)備內(nèi)對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行各種處理。經(jīng)單晶圓濕處理設(shè)備處理后，半導(dǎo)體晶圓可被留在旋轉(zhuǎn)基座上，并且可將本發(fā)明的殼體120以及設(shè)置于其上的微波產(chǎn)生器130設(shè)置于單晶圓濕處理設(shè)備的旋轉(zhuǎn)基座上，從而能執(zhí)行前文所述的半導(dǎo)體晶圓干燥過程。請參照圖2，其為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100的剖視圖。在本實(shí)施方式中，如圖2所示，半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100進(jìn)一步包含旋轉(zhuǎn)器140。旋轉(zhuǎn)器140連接基座110，并且被配置成旋轉(zhuǎn)基座110。于半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100對半導(dǎo)體晶圓200執(zhí)行干燥處理的期間。汕頭半導(dǎo)體晶圓誠信經(jīng)營

昆山創(chuàng)米半導(dǎo)體科技有限公司是一家半導(dǎo)體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)轉(zhuǎn)讓；半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料、電子設(shè)備、機(jī)械設(shè)備及配件、機(jī)電設(shè)備、太陽能光伏設(shè)備、太陽能電池及組件、電子產(chǎn)品、電子材料、針紡織品、玻璃制品、五金制品、日用百貨、勞保用品、化工產(chǎn)品及原料（不含危險(xiǎn)化學(xué)品及易制毒化學(xué)品）的銷售；貨物及技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù)。（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動） 許可項(xiàng)目：廢棄電器電子產(chǎn)品處理（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動，具體經(jīng)營項(xiàng)目以審批結(jié)果為準(zhǔn)） 一般項(xiàng)目：固體廢物治理；非金屬廢料和碎屑加工處理；再生資源回收（除生產(chǎn)性廢舊金屬）；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售；電力電子元器件銷售；電子設(shè)備銷售（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠實(shí)可信的企業(yè)。創(chuàng)米半導(dǎo)體深耕行業(yè)多年，始終以客戶的需求為向?qū)В瑸榭蛻籼峁└哔|(zhì)量的晶圓，wafer，半導(dǎo)體輔助材料，晶圓盒。創(chuàng)米半導(dǎo)體始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念，影響并帶動團(tuán)隊(duì)取得成功。創(chuàng)米半導(dǎo)體始終關(guān)注自身，在風(fēng)云變化的時(shí)代，對自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使創(chuàng)米半導(dǎo)體在行業(yè)的從容而自信。