遂寧半導(dǎo)體晶圓推薦貨源

    以防止氣泡長大到一個(gè)臨界尺寸，從而堵住清洗液在通孔或槽中的交換路徑。圖20a至圖20d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝有效清洗具有高深寬比的通孔或槽等特征。該晶圓清洗工藝限制由聲能引起振蕩產(chǎn)生的氣泡的尺寸。圖20a揭示了在時(shí)間段τ1內(nèi)設(shè)置功率水平為p1及在時(shí)間段τ2內(nèi)關(guān)閉電源的電源輸出波形圖。圖20b揭示了對(duì)應(yīng)每個(gè)氣穴振蕩周期的氣泡體積的曲線圖。圖20c揭示了在每個(gè)氣穴振蕩周期氣泡尺寸增大。圖20d揭示了氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的體積vvtr的比值r的曲線圖。根據(jù)r＝vb/vvtr＝nvb/vvtr這里，氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的體積vvtr的比值r從r0增大到rn，單個(gè)氣泡的平均體積在氣穴振蕩一定周期數(shù)n后，在時(shí)間τ1內(nèi)增大。rn被控制在飽和點(diǎn)rs之下。rn＝vb/vvtr＝nvb/vvtr氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的體積vvtr的比值r從rn減小到r0，單個(gè)氣泡的平均體積在冷卻過程中，在時(shí)間τ2內(nèi)回到初始大小。參考圖20b所示，在時(shí)間段τ1內(nèi)，在超聲波或兆聲波作用于清洗液的情況下，氣泡增大到大體積vn。在這種狀態(tài)下，清洗液的傳輸路徑部分受阻。新鮮的清洗液無法徹底進(jìn)入到通孔或槽的底部和側(cè)壁。與此同時(shí)。半導(dǎo)體晶圓研磨技術(shù)？遂寧半導(dǎo)體晶圓推薦貨源

    只要該半導(dǎo)體組件層130所包含的半導(dǎo)體元器件需要藉由該晶圓層320與該金屬層310傳遞電流，都可以適用于本申請(qǐng)。該晶圓層320包含彼此相對(duì)的一***表面321與一第二表面322，該***表面321與上述的半導(dǎo)體組件層130相接。該第二表面322與該金屬層310相接或相貼。從圖3可以看到，該***表面321與第二表面322的**大距離，出現(xiàn)在該結(jié)構(gòu)300的邊緣處。在一實(shí)施例中，該***表面321與第二表面322的**小距離，出現(xiàn)在該結(jié)構(gòu)300的中心處。在另一實(shí)施例中，該***表面321與第二表面322的**小距離，出現(xiàn)在該半導(dǎo)體組件層130的器件投影在該***表面321的地方。在一實(shí)施例當(dāng)中，當(dāng)該結(jié)構(gòu)300屬于一薄型化芯片時(shí)，該***表面321與第二表面322的**大距離，或者說是該晶圓層320的厚度，可以小于75um。在另外的一個(gè)實(shí)施例當(dāng)中，該***表面321與第二表面322的**大距離，或者說是該晶圓層320的厚度，可以是介于100~150um之間。在額外的一些實(shí)施例當(dāng)中，該***表面321與第二表面322的**大距離，或者說是該晶圓層320的厚度，可以是介于75~125um之間。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，本申請(qǐng)并未限定該晶圓層320的厚度。和傳統(tǒng)的晶圓層120相比。開封半導(dǎo)體晶圓鄭重承諾半導(dǎo)體晶圓推薦咨詢??

    功率為p1時(shí)檢測(cè)到的通電時(shí)間和預(yù)設(shè)時(shí)間τ1進(jìn)行比較，如果檢測(cè)到的通電時(shí)間比預(yù)設(shè)時(shí)間τ1長，檢測(cè)電路發(fā)送報(bào)警信號(hào)到主機(jī)，主機(jī)接收到報(bào)警信號(hào)則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源；檢測(cè)電路還比較檢測(cè)到的斷電時(shí)間和預(yù)設(shè)時(shí)間τ2，如果檢測(cè)到的斷電時(shí)間比預(yù)設(shè)時(shí)間τ2短，檢測(cè)電路發(fā)送報(bào)警信號(hào)到主機(jī)，主機(jī)接收到報(bào)警信號(hào)則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源。在一個(gè)實(shí)施例中，超聲波或兆聲波裝置與噴頭相結(jié)合并置于半導(dǎo)體基板附近，超聲波或兆聲波裝置的能量通過噴頭噴出的液柱傳遞到半導(dǎo)體基板。本發(fā)明提供了另一種使用超聲波或兆聲波清洗半導(dǎo)體基板的裝置，包括卡盤、超聲波或兆聲波裝置、至少一個(gè)噴頭、超聲波或兆聲波電源、主機(jī)和檢測(cè)電路?？ūP支撐半導(dǎo)體基板。超聲波或兆聲波裝置置于半導(dǎo)體基板附近。至少一個(gè)噴頭向半導(dǎo)體基板和半導(dǎo)體基板與超聲波或兆聲波裝置之間的空隙中噴灑化學(xué)液體。主機(jī)設(shè)置超聲波或兆聲波電源以頻率f1、功率p1驅(qū)動(dòng)超聲波或兆聲波裝置，在液體中的氣泡氣穴振蕩損傷半導(dǎo)體基板上的圖案結(jié)構(gòu)之前，將超聲波或兆聲波電源的輸出設(shè)為零，待氣泡內(nèi)的溫度下降到設(shè)定溫度后，再次設(shè)置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1，功率為p1。

    圖32a至圖32c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的如圖27所示的振幅檢測(cè)電路27092的示例。該振幅檢測(cè)電路27092示例性包括參考電壓生成電路和比較電路。如圖32b所示，參考電壓生成電路使用d/a轉(zhuǎn)換器32118將主控制器26094的數(shù)字輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬直流參考電壓vref+和vref-，如圖32c所示。比較電路使用窗口比較器32114及與門32116來比較電壓衰減電路26090輸出的振幅vin和參考電壓vref+和vref-。如果衰減后的振幅vin超過參考電壓vref+和/或vref-，那么振幅檢測(cè)電路27092發(fā)送報(bào)警信號(hào)到主機(jī)25080，主機(jī)25080接收到報(bào)警信號(hào)則關(guān)閉聲波發(fā)生器25082來避免對(duì)晶圓1010上的圖案結(jié)構(gòu)造成損傷。圖33揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝的流程圖。該晶圓清洗工藝從步驟33010開始，首先將清洗液施加至晶圓和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙中。在步驟33020中，設(shè)置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1，功率為p1以驅(qū)動(dòng)超聲波或兆聲波裝置。在步驟33030中，將檢測(cè)到的通電時(shí)間與預(yù)設(shè)時(shí)間τ1進(jìn)行比較，如果檢測(cè)到的通電時(shí)間長于預(yù)設(shè)時(shí)間τ1，則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源并發(fā)出報(bào)警信號(hào)。在步驟33040中，在清洗液中的氣泡氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)之前設(shè)置超聲波或兆聲波電源輸出為零。半導(dǎo)體晶圓銷售電話??

    x0-x)│0x0-1＝sx0p0ln(x0)(2)其中，s為汽缸截面的面積，x0為汽缸的長度，p0為壓縮前汽缸內(nèi)氣體的壓強(qiáng)。方程式(2)不考慮壓縮過程中溫度增長的因素，因此，由于溫度的增加，氣泡內(nèi)的實(shí)際壓強(qiáng)會(huì)更高，實(shí)際上由聲壓做的機(jī)械功要大于方程式(2)計(jì)算出的值。假設(shè)聲壓做的機(jī)械功部分轉(zhuǎn)化為熱能，部分轉(zhuǎn)換成氣泡內(nèi)高壓氣體和蒸汽的機(jī)械能，這些熱能完全促使氣泡內(nèi)部氣體溫度的增加(沒有能量轉(zhuǎn)移至氣泡周圍的液體分子)，假設(shè)壓縮前后氣泡內(nèi)氣體質(zhì)量保持不變，氣泡壓縮一次后溫度增量δt可以用下面的方程式表達(dá)：δt＝q/(mc)＝βwm/(mc)＝βsx0p0ln(x0)/(mc)(3)其中，q是機(jī)械功轉(zhuǎn)換而來的熱能，β是熱能與聲壓所做的總機(jī)械功的比值，m是氣泡內(nèi)的氣體質(zhì)量，c是氣體的比熱系數(shù)。將β＝，s＝1e-12m2，x0＝1000μm＝1e-3m(壓縮比n＝1000)，p0＝1kg/cm2＝1e4kg/m2，氫氣的質(zhì)量m＝，c＝(kg0k)代入方程式(3)，那么δt＝℃。一次壓縮后氣泡內(nèi)的氣體溫度t1可以計(jì)算得出：t1＝t0+δt＝20℃+℃＝℃(4)當(dāng)氣泡達(dá)到**小值1微米時(shí)，如圖5b所示。在如此高溫下，氣泡周圍的液體蒸發(fā)，隨后，聲壓變?yōu)樨?fù)值，氣泡開始增大。在這個(gè)反過程中，具有壓強(qiáng)pg的熱氣體和蒸汽將對(duì)周圍的液體表面做功。同時(shí)。進(jìn)口半導(dǎo)體晶圓的優(yōu)勢(shì)？開封半導(dǎo)體晶圓好選擇

半導(dǎo)體制程重要輔助設(shè)備。遂寧半導(dǎo)體晶圓推薦貨源

    可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強(qiáng)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。所謂的回字型，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的，以便簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。在另一實(shí)施例當(dāng)中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的。在更一實(shí)施例當(dāng)中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應(yīng)的。舉例來說，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的，但大小不同?？虻膶挾瓤梢耘c內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例。在一實(shí)施例當(dāng)中，可以具有兩個(gè)以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參考圖11b所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。圖11b所示的實(shí)施例，為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)所欲保護(hù)的技術(shù)特征在于，晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)的內(nèi)部至少具有一個(gè)或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)，用于加強(qiáng)該一個(gè)或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，本申請(qǐng)并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的個(gè)數(shù)。請(qǐng)參考圖12所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1200的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面1200可以是圖10a所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖12理解到，本申請(qǐng)并不限定該樹酯層1040a與1040b外緣的形狀，其可以是正方形、矩形、橢圓形、圓形。遂寧半導(dǎo)體晶圓推薦貨源

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