河北品質(zhì)半導(dǎo)體晶圓

    用于集成電路生產(chǎn)的材料依然以進(jìn)口為主，中國生產(chǎn)替代空間非常龐大。未來隨著多條中國新建晶圓制造產(chǎn)線陸續(xù)投產(chǎn)，預(yù)計(jì)2018年將為中國當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來新契機(jī)。未來中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)將從兩方面同步進(jìn)行：集中優(yōu)勢(shì)資源，針對(duì)各類別半導(dǎo)體材料，以一部分大廠為首，進(jìn)行資源再整合；建立完善的半導(dǎo)體材料體系，加快**材料的研發(fā)，實(shí)現(xiàn)中國國產(chǎn)替代。中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)雖然克服了政策和資金的障礙，但仍面對(duì)來自技術(shù)、人才與客戶認(rèn)證等方面的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。未來產(chǎn)業(yè)將著重解決以下問題：基礎(chǔ)**瓶頸突破進(jìn)展緩慢、半導(dǎo)體材料人才儲(chǔ)備和培養(yǎng)嚴(yán)重不足、聯(lián)合**協(xié)調(diào)作用，以及率先突破當(dāng)?shù)卣J(rèn)證關(guān)卡。目前中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)雖然比較薄弱，關(guān)鍵材料仍以進(jìn)口為主，但隨著**政策大力支持和大基金對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)投入，已出現(xiàn)頗具實(shí)力的廠商，在積極投入研發(fā)創(chuàng)新下，各自開發(fā)的產(chǎn)品已初見成效，現(xiàn)已成為中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的中堅(jiān)力量。因?yàn)橹瞥叹?xì)度要求(技術(shù)規(guī)格)和影響(制造材料的影響會(huì)直接反映在芯片表現(xiàn)上，有些中低階應(yīng)用的封測(cè)材料和芯片的直接表現(xiàn)影響較小)，半導(dǎo)體制造材料面對(duì)的是比封測(cè)材料更高的進(jìn)入障礙(由于制程復(fù)雜度的差異，相較于封測(cè)材料。半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品的用途是什么？河北品質(zhì)半導(dǎo)體晶圓

    基座110受到旋轉(zhuǎn)器140轉(zhuǎn)動(dòng)。舉例而言，在實(shí)務(wù)上，基座110的轉(zhuǎn)速實(shí)質(zhì)上為10rpm，**半導(dǎo)體晶圓200亦以實(shí)質(zhì)上為10rpm的低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。如此一來，半導(dǎo)體晶圓200可均勻地暴露于發(fā)射自微波產(chǎn)生器130的微波w，借此可進(jìn)一步促進(jìn)半導(dǎo)體晶圓200的干燥過程。在實(shí)際應(yīng)用中，旋轉(zhuǎn)器140與基座110的組合亦可視為前文所述的單晶圓濕處理設(shè)備的旋轉(zhuǎn)基座。請(qǐng)參照?qǐng)D3，其為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100的剖視圖。在本實(shí)施方式中，如圖3所示，殼體120的排氣口121包含多個(gè)穿孔h2。如此一來，原本位于半導(dǎo)體晶圓200表面的水轉(zhuǎn)換而成的水蒸氣s可經(jīng)由穿孔h2排出。可依據(jù)實(shí)際情況彈性地設(shè)計(jì)殼體120。綜合以上，相較于公知技術(shù)，本發(fā)明的上述實(shí)施方式至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：(1)運(yùn)用微波移除先前的工藝殘留于半導(dǎo)體晶圓表面上的水，使得干燥過程變得簡單，從而能有效降低干燥半導(dǎo)體晶圓的作業(yè)成本。(2)由于微波產(chǎn)生器平均地環(huán)繞腔室分布，微波可均勻地進(jìn)入腔室內(nèi)，并均勻地到達(dá)位于腔室內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓，從而促進(jìn)干燥過程。(3)由于半導(dǎo)體晶圓以約10rpm的低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，半導(dǎo)體晶圓可均勻地暴露于發(fā)射自微波產(chǎn)生器的微波，借此可促進(jìn)干燥過程。盡管已以特定實(shí)施方式詳細(xì)地描述本發(fā)明。半導(dǎo)體晶圓價(jià)格走勢(shì)西安怎么樣半導(dǎo)體晶圓?

    目的是使得氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降至接近室溫t0。圖12a-12b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi)，電源的頻率增至f2，功率水平p2基本上等于功率水平p1。圖13a-13b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi)，電源的頻率增至f2，功率水平從p1降至p2。圖14a-14b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi)，電源的頻率從f1增至f2，功率水平從p1增至p2。由于頻率f2高于頻率f1，因此，聲波能量對(duì)氣泡的加熱不那么強(qiáng)烈，功率水平p2可略高于功率水平p1，但是不能太高，以確保在時(shí)間段τ2內(nèi)，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降低，如圖14b所示。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓的過程中，穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)。參考圖15a所示。

    因此晶圓1010須旋轉(zhuǎn)以在整個(gè)晶圓1010上接收均勻的聲波能量。雖然在圖1a及圖1b中*示意了一個(gè)聲波裝置1003，但是在其他實(shí)施例中，也可以同時(shí)或間歇使用兩個(gè)或多個(gè)聲波裝置。同理，也可以使用兩個(gè)或多個(gè)噴頭1012以更均勻的輸送清洗液1032。參考圖2a至圖2g所示的不同形狀的超聲波或兆聲波換能器。圖2a示意了三角形或餅形的傳感器；圖2b示意了矩形的傳感器；圖2c示意了八邊形的傳感器；圖2d示意了橢圓形的傳感器；圖2e示意了半圓形的傳感器；圖2f示意了1/4圓形的傳感器；圖2g示意了圓形的傳感器。這些形狀中的每一個(gè)聲波換能器可以用于代替圖1所示的聲波裝置1003中的壓電式傳感器1004。參考圖3揭示了在晶圓清洗過程中的氣泡內(nèi)爆。當(dāng)聲能作用于氣泡3012上時(shí)，氣泡3012的形狀逐漸從球形a壓縮至蘋果形g。**終氣泡3012到達(dá)內(nèi)爆狀態(tài)i并形成微噴射。如圖4a至圖4b所示，微噴射很猛烈(可達(dá)到上千個(gè)大氣壓和上千攝氏度)，會(huì)損傷晶圓4010上的精細(xì)圖案結(jié)構(gòu)4034，尤其是當(dāng)特征尺寸t縮小到70nm或更小時(shí)。圖4a至圖4b揭示了在晶圓清洗過程中不穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)。參考圖4a所示，由于聲波空化在半導(dǎo)體晶圓4010的圖案結(jié)構(gòu)4034上方形成氣泡4040,4042，4044。半導(dǎo)體晶圓廠家供應(yīng)。

    使得該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。進(jìn)一步的，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進(jìn)行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，使得在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。進(jìn)一步的，為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該多個(gè)芯片區(qū)域包含一第二芯片區(qū)域，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。進(jìn)一步的，為了使用晶圓級(jí)芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該多個(gè)芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個(gè)芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同。進(jìn)一步的，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本，其中該金屬層具有相對(duì)應(yīng)的一第三表面與一第四表面，該第三表面完全貼合于該第二表面，其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區(qū)域，該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當(dāng)中。進(jìn)一步的，為了設(shè)計(jì)與制作的方便，其中該金屬層凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng)，該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積。總上所述。開封怎么樣半導(dǎo)體晶圓?德陽半導(dǎo)體晶圓片

半導(dǎo)體晶圓研磨技術(shù)？河北品質(zhì)半導(dǎo)體晶圓

    該晶圓制作方法1500可以用于制作本申請(qǐng)所欲保護(hù)的其他基板結(jié)構(gòu)，而不只限于基板結(jié)構(gòu)1000。步驟1510：提供晶圓。該晶圓可以是圖13或14所示的晶圓1300或1400。在圖16a當(dāng)中，可以看到晶圓層820的剖面。圖16a的晶圓層820的上表面，是圖10a實(shí)施例所說的第二表面822。步驟1520：根據(jù)所欲切割芯片的大小與圖樣，涂布屏蔽層。在圖16b當(dāng)中，可以看到屏蔽層1610的圖樣，形成在晶圓層820的上表面。而每一個(gè)芯片預(yù)定區(qū)域的屏蔽層1610的圖樣，至少要在該芯片的周圍形成邊框區(qū)域。當(dāng)所欲實(shí)施的基板結(jié)構(gòu)如同圖8a~10b所示的基板結(jié)構(gòu)800~1000，或是具有內(nèi)框結(jié)構(gòu)時(shí)，則屏蔽層1610的圖樣可以涵蓋這些內(nèi)框結(jié)構(gòu)的區(qū)域。在一實(shí)施例當(dāng)中，上述的屏蔽層可以是光阻層(photoresistlayer)，也可以是其他如氮化硅之類的屏蔽層。步驟1530：對(duì)晶圓進(jìn)行蝕刻。蝕刻的方式可以包含濕式蝕刻、干式蝕刻、電漿蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻(rie,reactiveionetching)等。如圖16c所示，蝕刻的深度可以約為該晶圓層820厚度的一半，但本申請(qǐng)并不限定蝕刻步驟的厚度。在步驟1530之后，形成芯片邊緣的邊框結(jié)構(gòu)與/或芯片內(nèi)部的方框結(jié)構(gòu)。利用兩個(gè)步驟1520與1530，可以形成該晶圓上所有芯片的晶圓層的全部邊框結(jié)構(gòu)與內(nèi)框結(jié)構(gòu)。河北品質(zhì)半導(dǎo)體晶圓

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