其中該中心凹陷區(qū)域是方形。在一實(shí)施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實(shí)施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域或該中心凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實(shí)施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。在一實(shí)施例中，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本，其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區(qū)域，該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當(dāng)中。在一實(shí)施例中，為了設(shè)計(jì)與制作的方便，其中該金屬層凹陷區(qū)域與該凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng)，該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積。根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例，提供一種半導(dǎo)體晶圓，其特征在于，其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出一***芯片區(qū)域，該***芯片區(qū)域包含如所述的半導(dǎo)體組件的基板結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中。晶圓的基本工藝有哪些？半導(dǎo)體晶圓推薦貨源
該晶圓制作方法1500可以用于制作本申請(qǐng)所欲保護(hù)的其他基板結(jié)構(gòu)，而不只限于基板結(jié)構(gòu)1000。步驟1510：提供晶圓。該晶圓可以是圖13或14所示的晶圓1300或1400。在圖16a當(dāng)中，可以看到晶圓層820的剖面。圖16a的晶圓層820的上表面，是圖10a實(shí)施例所說的第二表面822。步驟1520：根據(jù)所欲切割芯片的大小與圖樣，涂布屏蔽層。在圖16b當(dāng)中，可以看到屏蔽層1610的圖樣，形成在晶圓層820的上表面。而每一個(gè)芯片預(yù)定區(qū)域的屏蔽層1610的圖樣，至少要在該芯片的周圍形成邊框區(qū)域。當(dāng)所欲實(shí)施的基板結(jié)構(gòu)如同圖8a~10b所示的基板結(jié)構(gòu)800~1000，或是具有內(nèi)框結(jié)構(gòu)時(shí)，則屏蔽層1610的圖樣可以涵蓋這些內(nèi)框結(jié)構(gòu)的區(qū)域。在一實(shí)施例當(dāng)中，上述的屏蔽層可以是光阻層(photoresistlayer)，也可以是其他如氮化硅之類的屏蔽層。步驟1530：對(duì)晶圓進(jìn)行蝕刻。蝕刻的方式可以包含濕式蝕刻、干式蝕刻、電漿蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻(rie,reactiveionetching)等。如圖16c所示，蝕刻的深度可以約為該晶圓層820厚度的一半，但本申請(qǐng)并不限定蝕刻步驟的厚度。在步驟1530之后，形成芯片邊緣的邊框結(jié)構(gòu)與/或芯片內(nèi)部的方框結(jié)構(gòu)。利用兩個(gè)步驟1520與1530，可以形成該晶圓上所有芯片的晶圓層的全部邊框結(jié)構(gòu)與內(nèi)框結(jié)構(gòu)。江門半導(dǎo)體晶圓推薦咨詢洛陽怎么樣半導(dǎo)體晶圓?
在一實(shí)施例中，為了保護(hù)該金屬層，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層，具有相對(duì)應(yīng)的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表面。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)簡化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一特定實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)更加簡化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的不同設(shè)計(jì)，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度不同。在一特定實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的具有更大的設(shè)計(jì)彈性，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度均不相同。在一實(shí)施例中，為了配合大多數(shù)矩形芯片的形狀，其中該中心凹陷區(qū)域是矩形。在一實(shí)施例中，為了配合大多數(shù)方形芯片的形狀。
則可達(dá)到切割效果，通過接收腔29內(nèi)的清水，可使切割掉落的產(chǎn)品能夠受到緩沖作用，通過手動(dòng)向前拉動(dòng)手拉桿67，可使接收箱28向前滑動(dòng)，進(jìn)而可取出產(chǎn)品，通過第三電機(jī)25的運(yùn)轉(zhuǎn)，可使電機(jī)軸24帶動(dòng)***轉(zhuǎn)盤23轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而可使第二輪盤21帶動(dòng)***螺桿17間歇性往返轉(zhuǎn)動(dòng)，則可使升降塊15間歇性升降，繼而可使切割片50能夠連續(xù)切割硅錠48，通過第三電機(jī)25的運(yùn)轉(zhuǎn)，可使***螺桿17帶動(dòng)豎軸12往返轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而可使皮帶傳動(dòng)裝置59傳動(dòng)來動(dòng)第二螺桿57往返轉(zhuǎn)動(dòng)，通過第二螺桿57的間歇性正反轉(zhuǎn)動(dòng)，可使螺套58間歇性升降移動(dòng)，進(jìn)而可使第五連桿56帶動(dòng)第四連桿54間歇性往返左右移動(dòng)，從而可使移動(dòng)塊53帶動(dòng)海綿52間歇性往返左右移動(dòng)，則可使海綿52在切割片50上升時(shí)向切割片50移動(dòng)并抵接，以及在切割片50下降時(shí)向移動(dòng)腔13方向打開，通過冷卻水腔14內(nèi)的冷卻水，可保證海綿52處于吸水狀態(tài)。本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明可有效降低半導(dǎo)體制作原料晶圓在切割時(shí)所產(chǎn)生的發(fā)熱變形問題，并且也能降低硅錠在移動(dòng)送料切割過程中，由于長時(shí)間連續(xù)工作導(dǎo)致主軸位置偏移導(dǎo)致切割不準(zhǔn)的問題，其中，步進(jìn)機(jī)構(gòu)能夠通過旋轉(zhuǎn)聯(lián)動(dòng)水平步進(jìn)移動(dòng)的傳動(dòng)方式，使硅錠在連續(xù)切割時(shí)能夠穩(wěn)定送料。半導(dǎo)體行業(yè)，晶圓制造和晶圓加工。
在清洗過程中晶圓24010浸沒在清洗液24070中。在上述實(shí)施例中，在晶圓清洗工藝中，如果聲波電源的所有關(guān)鍵工藝參數(shù)，例如功率水平、頻率、通電時(shí)間(τ1)、斷電時(shí)間(τ2)都預(yù)設(shè)在電源控制器中，而不是實(shí)時(shí)監(jiān)測，在晶圓清洗過程中，由于一些異常情況，仍然可能發(fā)生圖案結(jié)構(gòu)損傷。因此，需要一種實(shí)時(shí)監(jiān)測聲波電源工作狀態(tài)的裝置和方法，如果參數(shù)不在正常范圍，則聲波電源應(yīng)該關(guān)閉且需要發(fā)出警報(bào)信號(hào)并報(bào)告。圖25揭示了本發(fā)明的一實(shí)施例的使用超聲波或兆聲波清洗晶圓過程中監(jiān)測聲波電源運(yùn)行參數(shù)的控制系統(tǒng)。該控制系統(tǒng)包括主機(jī)25080、聲波發(fā)生器25082、聲波換能器1003、檢測電路25086和通信電纜25088。主機(jī)25080發(fā)送聲波的參數(shù)設(shè)定值到聲波發(fā)生器25082，例如功率設(shè)定值p1、通電時(shí)間設(shè)定值τ1、功率設(shè)定值p2、斷電時(shí)間設(shè)定值τ2、頻率設(shè)定值和控制指令，例如電源開啟指令。聲波發(fā)生器25082在接收到上述指令后產(chǎn)生聲波波形，并發(fā)送聲波波形到聲波換能器1003來清洗晶圓1010。同時(shí)，主機(jī)25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值和聲波發(fā)生器25082的輸出值被檢測電路25086讀取。檢測電路25086將聲波發(fā)生器25082的輸出值和主機(jī)25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值進(jìn)行比較后。半導(dǎo)體晶圓信息匯總。丹東半導(dǎo)體晶圓銷售廠
半導(dǎo)體晶圓定制價(jià)格？半導(dǎo)體晶圓推薦貨源
τ1是氣泡內(nèi)的溫度上升到高于臨界內(nèi)爆溫度的時(shí)間間隔，τ2是氣泡內(nèi)的溫度下降到遠(yuǎn)低于臨界內(nèi)爆溫度的時(shí)間間隔。由于可控的非穩(wěn)態(tài)的氣穴振蕩在清洗過程中具有一定的氣泡內(nèi)爆，因此，可控的非穩(wěn)態(tài)的氣穴振蕩將提供更高的pre(particleremovalefficiency，顆粒去除效率)，而對(duì)圖案結(jié)構(gòu)造成**小的損傷。臨界內(nèi)爆溫度是會(huì)導(dǎo)致***個(gè)氣泡內(nèi)爆的氣泡內(nèi)的**低溫度。為了進(jìn)一步提高pre，需要進(jìn)一步提高氣泡的溫度，因此需要更長的時(shí)間τ1。通過縮短時(shí)間τ2來提高氣泡的溫度。超或兆聲波的頻率是控制內(nèi)爆強(qiáng)度的另一個(gè)參數(shù)?？煽氐姆欠€(wěn)態(tài)的氣穴振蕩是通過設(shè)置聲波電源在時(shí)間間隔小于τ1內(nèi)頻率為f1，設(shè)置聲波電源在時(shí)間間隔大于τ2內(nèi)頻率為f2，重復(fù)上述步驟直到晶圓被清洗干凈，其中，f2遠(yuǎn)大于f1，**好是f1的2倍或4倍。通常，頻率越高，內(nèi)爆的強(qiáng)度越低。τ1是氣泡內(nèi)的溫度上升到高于臨界內(nèi)爆溫度的時(shí)間間隔，τ2是氣泡內(nèi)的溫度下降到遠(yuǎn)低于臨界內(nèi)爆溫度的時(shí)間間隔?？煽氐姆欠€(wěn)態(tài)的氣穴振蕩將提供更高的pre(particleremovalefficiency，顆粒去除效率)，而對(duì)圖案結(jié)構(gòu)造成**小的損傷。臨界內(nèi)爆溫度是會(huì)導(dǎo)致***個(gè)氣泡內(nèi)爆的氣泡內(nèi)的**低溫度。為了進(jìn)一步提高pre，需要進(jìn)一步提高氣泡的溫度。半導(dǎo)體晶圓推薦貨源
昆山創(chuàng)米半導(dǎo)體科技有限公司主營品牌有SUMCO,ShinEtsu,SK，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大，該公司貿(mào)易型的公司。創(chuàng)米半導(dǎo)體是一家一人有限責(zé)任公司企業(yè)，一直“以人為本，服務(wù)于社會(huì)”的經(jīng)營理念;“誠守信譽(yù)，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。以滿足顧客要求為己任；以顧客永遠(yuǎn)滿意為標(biāo)準(zhǔn)；以保持行業(yè)優(yōu)先為目標(biāo)，提供***的晶圓，wafer，半導(dǎo)體輔助材料，晶圓盒。創(chuàng)米半導(dǎo)體將以真誠的服務(wù)、創(chuàng)新的理念、***的產(chǎn)品，為彼此贏得全新的未來！