本申請還提供具有上述基板結構的半導體晶圓，以及制作上述基板結構的晶圓制造方法。根據本申請的方案，提供具有邊框結構的基板結構、半導體晶圓、以及晶圓制作方法。根據本申請的一方案，提供一種承載半導體組件的基板結構，其特征在于，包含：一晶圓層，具有相對應的一***表面與一第二表面，其中該第二表面具有向該***表面凹陷的一中心凹陷區(qū)域，該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當中，使得該晶圓層的一邊框結構區(qū)域環(huán)繞在該第二表面周圍；以及一金屬層，具有相對應的一第三表面與一第四表面，該第三表面完全貼合于該第二表面。進一步的，為了彌補較薄晶圓層的結構強度，其中該第二表面更包含具有向該***表面凹陷的一***環(huán)狀凹陷區(qū)域，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當中，使得該晶圓層在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一***內框結構區(qū)域。進一步的，為了更彌補較薄晶圓層的結構強度，其中該第二表面更具有向該***表面凹陷的第二環(huán)狀凹陷區(qū)域，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域位于該第二表面當中，使得該晶圓層在該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一第二內框結構區(qū)域，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包含環(huán)狀的該***內框結構區(qū)域。進口半導體晶圓產品的價格。淄博半導體晶圓價格信息
一些氣泡內爆繼續(xù)發(fā)生，然后，在時間段τ2內，關閉聲波功率，氣泡的溫度從tn冷卻至初始溫度t0。ti被確定為通孔和/或槽的圖案結構內的氣泡內爆的溫度閾值，該溫度閾值觸發(fā)***個氣泡內爆。由于熱傳遞在圖案結構內是不完全均勻的，溫度達到ti后，越來越多的氣泡內爆將不斷發(fā)生。當內爆溫度t增大時，氣泡內爆強度將變的越來越強。然而，氣泡內爆應控制在會導致圖案結構損傷的內爆強度以下。通過調整時間△τ可以將溫度tn控制在溫度td之下來控制氣泡內爆，其中tn是超/兆聲波對清洗液連續(xù)作用n個周期的氣泡**高溫度值，td是累積一定量的氣泡內爆的溫度，該累積一定量的氣泡內爆具有導致圖案結構損傷的**度(能量)。在該清洗工藝中，通過控制***個氣泡內爆開始后的時間△τ來實現(xiàn)對氣泡內爆強度的控制，從而達到所需的清洗性能和效率，且防止內爆強度太高而導致圖案結構損傷。為了提高顆粒去除效率(pre)，在如圖22a至22b所示的超或兆聲波清洗過程中，需要有可控的非穩(wěn)態(tài)的氣穴振蕩?？煽氐姆欠€(wěn)態(tài)的氣穴振蕩是通過設置聲波電源在時間間隔小于τ1內功率為p1，設置聲波電源在時間間隔大于τ2內功率為p2，重復上述步驟直到晶圓被清洗干凈，其**率p2等于0或遠小于功率p1。深圳半導體晶圓來電咨詢半導體封裝晶圓切割膠帶品牌有哪些？
該***內框結構區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包圍該第二內框結構區(qū)域。進一步的，為了保護該金屬層，并且降低物理應力與熱應力的影響，該基板結構更包含：一樹酯層，具有相對應的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應于該第四表面。進一步的，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計簡化，其中該邊框結構區(qū)域依序包含***邊結構區(qū)域、第二邊結構區(qū)域、第三邊結構區(qū)域與第四邊結構區(qū)域，該***邊結構區(qū)域與該第三邊結構區(qū)域的寬度相同。進一步的，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計更加簡化，其中該***邊結構區(qū)域、該第二邊結構區(qū)域、該第三邊結構區(qū)域與該第四邊結構區(qū)域的寬度相同。進一步的，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的不同設計，其中該邊框結構區(qū)域依序包含***邊結構區(qū)域、第二邊結構區(qū)域、第三邊結構區(qū)域與第四邊結構區(qū)域，該***邊結構區(qū)域與該第三邊結構區(qū)域的寬度不同。進一步的，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的具有更大的設計彈性，其中該***邊結構區(qū)域、該第二邊結構區(qū)域、該第三邊結構區(qū)域與該第四邊結構區(qū)域的寬度均不相同。進一步的，為了配合大多數矩形芯片的形狀。
非脈沖模式)時晶圓上的通孔或槽確定沒有被清洗干凈；第四步是采用sems或元素分析工具如edx檢測以上五片晶圓的通孔或槽內的可追蹤的殘留物狀態(tài)。步驟一至步驟四可以重復數次以逐步縮短時間τ2直到觀察到通孔或槽內的可追蹤殘留物。由于時間τ2被縮短，氣泡的體積無法徹底縮小，從而將逐步堵塞圖案結構并影響清洗效果，這個時間被稱為臨界冷卻時間τc。知道臨界冷卻時間τc后，時間τ2可以設置為大于2τc以獲得安全范圍。更詳細的舉例如下：***步是選擇10個不同的時間τ1作為實驗設計(doe)的條件，如下表3所示的τ10，2τ10,4τ10,8τ10,16τ10,32τ10,64τ10,128τ10,256τ10,512τ10；第二步是選擇時間τ2至少是10倍的512τ10，在***屏測試時**好是20倍的512τ10，如表3所示；第三步是確定一功率p0分別在具有特定的圖案結構的晶圓上運行以上10個條件，此處，p0為運行連續(xù)模式(非脈沖模式)時晶圓上的通孔或槽確定沒有被清洗干凈；第四步是使用表3所示的上述條件處理等離子刻蝕后的10片具有通孔或槽的晶圓，選擇等離子刻蝕后的晶圓的原因在于刻蝕過程中會在槽和通孔側壁產生聚合物，這些位于通孔底部或側壁上的聚合物難以用傳統(tǒng)方法去除。中硅半導體半導體晶圓。
在圖8b所示的實施例當中，示出四個內框結構。本領域普通技術人員可以從圖8a與圖8b理解到，本申請并不限定內框結構的數量、位置、形狀等配置的參數。在一實施例當中，如圖8a所示，在內框結構821與822之處，晶圓層820的厚度與在邊框結構的厚度是相同的。在另一實施例當中，內框結構821與822的厚度與邊框結構的厚度可以是不同的。舉例來說，在內框結構821與822的晶圓層厚度，可以較在邊框結構的晶圓層厚度來得小。由于在芯片中間所承受的應力與/或熱應力可以比在邊緣來得小，因此可以使用較薄的內框結構作為補強。一方面降低基板結構的電阻值，另一方面還能補強基板結構。請參考圖9所示，其為根據本申請一實施例的半導體基板的結構900的一剖面示意圖。圖9所示的結構900是在圖8所示的結構800之下加入樹酯層440。和圖4所示的結構400一樣，該樹酯層440可以用于保護該結構900的金屬層810，并且降低物理應力與熱應力的影響，進而保護器件。在圖8a與圖9的實施例當中，在芯片中間的金屬層810比較厚。由于金屬層810的金屬價格比樹酯層440的樹酯還要貴，制作較厚金屬層810的步驟也比制作樹酯層440的步驟更貴。如果在設計規(guī)格允許的情況下，可以制作較薄的金屬層810，以便減少成本。國內半導體晶圓廠家哪家好？深圳半導體晶圓來電咨詢
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13)v3＝v2-△v＝v1+δv-△v＝v0-△v+δv-△v＝v0+δv-2△v(14)其中，△v是由超/兆聲波產生的正壓使氣泡壓縮一次后氣泡的體積減量，δv是由超/兆聲波產生的負壓使氣泡膨脹一次后氣泡的體積增量，(δv-△v)是一個周期后由方程式(5)計算出的溫度增量(△t-δt)導致的體積增量。氣穴振蕩的第二個周期完成后，在溫度的持續(xù)增長過程中，氣泡的尺寸達到更大。氣泡內的氣體和/或蒸汽的體積v4為：v4＝v3+δv＝v0+δv-2△v+δv＝v0+2(δv-△v)(15)第三次壓縮后，氣泡內的氣體和/或蒸汽的體積v5為：v5＝v4-△v＝v0+2(δv-△v)-△v＝v0+2δv-3△v(16)同理，當氣穴振蕩的第n個周期達到**小氣泡尺寸時，氣泡內的氣體和/或蒸汽的體積v2n-1為：v2n-1＝v0+(n-1)δv-n△v＝v0+(n-1)δv-n△v(17)當氣穴振蕩的第n個周期完成后，氣泡內的氣體和/或蒸汽的體積v2n為：v2n＝v0+n(δv-△v)(18)為了將氣泡的體積限制在所需體積vi內，該所需體積vi是具有足夠物理活動的尺寸或者是氣泡狀態(tài)低于氣穴振蕩或氣泡密度的飽和點，而不會阻塞通孔、槽或其他凹進區(qū)域內的清洗液交換路徑。周期數ni可以表示為：ni＝(vi–v0-△v)/(δv-△v)+1(19)根據公式(19)，達到vi所需的時間τi可以表示為：τi＝nit1＝t1(。淄博半導體晶圓價格信息
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