目的是使得氣泡內氣體和/或蒸汽的溫度降至接近室溫t0。圖12a-12b揭示了根據本發(fā)明的另一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。本實施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實施例的差異*在步驟10050。在本實施例的聲波晶圓清洗工藝中,在時間段τ2內,電源的頻率增至f2,功率水平p2基本上等于功率水平p1。圖13a-13b揭示了根據本發(fā)明的另一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。本實施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實施例的差異*在步驟10050。在本實施例的聲波晶圓清洗工藝中,在時間段τ2內,電源的頻率增至f2,功率水平從p1降至p2。圖14a-14b揭示了根據本發(fā)明的另一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。本實施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實施例的差異*在步驟10050。在本實施例的聲波晶圓清洗工藝中,在時間段τ2內,電源的頻率從f1增至f2,功率水平從p1增至p2。由于頻率f2高于頻率f1,因此,聲波能量對氣泡的加熱不那么強烈,功率水平p2可略高于功率水平p1,但是不能太高,以確保在時間段τ2內,氣泡內氣體和/或蒸汽的溫度降低,如圖14b所示。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓的過程中,穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結構。參考圖15a所示。西安怎么樣半導體晶圓?深圳特色半導體晶圓
當該金屬層1010a與該樹酯層1040a都是矩形時,本申請也不限定該該金屬層1010a用于包圍該樹酯層1040a的四個邊框的厚度。當該金屬層1010b與該樹酯層1040b都是矩形時,本申請也不限定該該金屬層1010b用于包圍該樹酯層1040b的四個邊框的厚度。在一實施例當中,這四個邊框的厚度可以相同,以簡化設計與制作的問題。在另一實施例當中,這四個邊框當中兩組邊框的厚度可以相同,以簡化設計與制作的問題。在更一實施例當中,這四個邊框的厚度可以完全不同,以便適應芯片設計的需要。由于芯片的不同區(qū)域可以承載不同的半導體元器件,而不同的半導體元器件所需要的基板結構電阻值可以是不同的。因此,可以如圖12所示的實施例,在部分區(qū)域讓金屬層1010的厚度較厚,在其他區(qū)域利用較厚的樹酯層1040替換部分的金屬層1010的金屬,以便適應不同的半導體元器件所需要的基板結構電阻值。在制作方面,雖然樹酯層1040的深度、形狀與位置有所變化,但由于制作樹酯層1040的工序都是一樣,所以成本只和金屬用量的多少有關而已。請參考圖13所示,其為根據本申請一實施例的晶圓1300的一示意圖。該晶圓1300可以是業(yè)界經常使用的四吋、六吋、八吋、十二吋、十四吋或十六吋晶圓。遂寧半導體晶圓商家半導體晶圓廠家供應。
但本領域普通技術人員可以理解到,晶圓制作方法1500的各個步驟不*可以對一整個晶圓進行,也可以針對單一個芯片進行。在一實施例當中,如果要讓內框結構的晶圓層厚度小于邊框結構的晶圓層厚度,可以反復執(zhí)行步驟1520與1530。在***次執(zhí)行步驟1520時,屏蔽層的圖樣*包含邊框區(qū)域。***次執(zhí)行蝕刻步驟1530時,蝕刻的深度到達內框結構的厚度。接著,第二次執(zhí)行步驟1530,屏蔽層的圖樣包含了內框區(qū)域。接著,第二次的蝕刻步驟1530可以將晶圓層蝕刻到一半的高度。如此一來,就有厚薄不一的邊框結構與方框結構。步驟1540:去除晶圓上的屏蔽層。如圖16d所示,屏蔽層1610已經被去除。本領域普通技術人員可以理解到,去除屏蔽層是公知的技術,不在此詳述。步驟1550:在晶圓上制造一或多層金屬層。本步驟可以在蝕刻后的第二表面822上制造該金屬層。步驟1550可以使用多種工法的其中之一來進行。這些工法包含濺射(sputter)、蒸鍍或化學氣相沉積(cvd,chemicalvapordeposition)、電鍍(plating)或是涂布法。金屬層可以包含一或多層金屬層,該金屬層可以包含單一金屬、合金或金屬化合物。舉例來說,該金屬層可以包含鈦鎳銀鎳合金(tiniagni)、鎳鋁合金(alni)、鋁銅鈷合金(alcuni)、鈦銅鎳合金。
并且不同規(guī)格的花籃無法同時進行作業(yè),**降低了生產的效率。技術實現(xiàn)要素:本實用新型所要解決的技術問題在于克服現(xiàn)有技術不足,提供一種半導體晶圓濕法清洗治具,可適用于不同尺寸不同形狀晶圓,且可實現(xiàn)多層同時清洗。本實用新型具體采用以下技術方案解決上述技術問題:一種半導體晶圓濕法清洗治具,該治具包括提把和一組平放花籃;所述提把沿豎直方向均勻設置有一組連接端口;所述平放花籃由圓形底盤和設置在圓形底盤邊緣的一圈鏤空側壁組成,圓形底盤上設置有一組通孔,在所述鏤空側壁的外緣設置有至少一個連接端子,所述連接端子與提把上的任一連接端口相配合可使得平放花籃可拆卸地固定于提把上對應于該連接端口的位置。推薦地,圓形底盤上的所述通孔均勻分布。推薦地,該治具還包括一組豎直擋板;所述平放花籃的鏤空側壁內緣及相應位置的圓形底盤上設置有一系列用于固定所述豎直擋板的卡槽,豎直擋板與相應的卡槽配合可將平放花籃內的空間劃分為不同角度的扇形空間。進一步推薦地,所述豎直擋板上設置有一組通孔。推薦地,所述一組平放花籃中包括多個具有不同半徑圓形底盤的平放花籃。推薦地,所述提把的上端帶有掛鉤。相比現(xiàn)有技術。進口半導體晶圓的優(yōu)勢?
該***內框結構區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域,該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包圍該第二內框結構區(qū)域。進一步的,為了保護該金屬層,并且降低物理應力與熱應力的影響,該基板結構更包含:一樹酯層,具有相對應的一第五表面與一第六表面,其中該第五表面的形狀相應于該第四表面。進一步的,為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計簡化,其中該邊框結構區(qū)域依序包含***邊結構區(qū)域、第二邊結構區(qū)域、第三邊結構區(qū)域與第四邊結構區(qū)域,該***邊結構區(qū)域與該第三邊結構區(qū)域的寬度相同。進一步的,為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計更加簡化,其中該***邊結構區(qū)域、該第二邊結構區(qū)域、該第三邊結構區(qū)域與該第四邊結構區(qū)域的寬度相同。進一步的,為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的不同設計,其中該邊框結構區(qū)域依序包含***邊結構區(qū)域、第二邊結構區(qū)域、第三邊結構區(qū)域與第四邊結構區(qū)域,該***邊結構區(qū)域與該第三邊結構區(qū)域的寬度不同。進一步的,為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的具有更大的設計彈性,其中該***邊結構區(qū)域、該第二邊結構區(qū)域、該第三邊結構區(qū)域與該第四邊結構區(qū)域的寬度均不相同。進一步的,為了配合大多數矩形芯片的形狀。安徽半導體晶圓制作流程。遂寧半導體晶圓商家
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以防止氣泡長大到一個臨界尺寸,從而堵住清洗液在通孔或槽中的交換路徑。圖20a至圖20d揭示了根據本發(fā)明的一個實施例的聲波晶圓清洗工藝有效清洗具有高深寬比的通孔或槽等特征。該晶圓清洗工藝限制由聲能引起振蕩產生的氣泡的尺寸。圖20a揭示了在時間段τ1內設置功率水平為p1及在時間段τ2內關閉電源的電源輸出波形圖。圖20b揭示了對應每個氣穴振蕩周期的氣泡體積的曲線圖。圖20c揭示了在每個氣穴振蕩周期氣泡尺寸增大。圖20d揭示了氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進區(qū)域的體積vvtr的比值r的曲線圖。根據r=vb/vvtr=nvb/vvtr這里,氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進區(qū)域的體積vvtr的比值r從r0增大到rn,單個氣泡的平均體積在氣穴振蕩一定周期數n后,在時間τ1內增大。rn被控制在飽和點rs之下。rn=vb/vvtr=nvb/vvtr氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進區(qū)域的體積vvtr的比值r從rn減小到r0,單個氣泡的平均體積在冷卻過程中,在時間τ2內回到初始大小。參考圖20b所示,在時間段τ1內,在超聲波或兆聲波作用于清洗液的情況下,氣泡增大到大體積vn。在這種狀態(tài)下,清洗液的傳輸路徑部分受阻。新鮮的清洗液無法徹底進入到通孔或槽的底部和側壁。與此同時。深圳特色半導體晶圓
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