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對(duì)等效MOSFET的控制能力降低，通常還會(huì)引起器件擊穿問(wèn)題。晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱為IGBT閂鎖，具體地說(shuō)，這種缺陷的原因互不相同，與器件的狀態(tài)有密切關(guān)系。通常情況下，靜態(tài)和動(dòng)態(tài)閂鎖有如下主要區(qū)別：當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時(shí)，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)，只在關(guān)斷時(shí)才會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)閂鎖。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象，有必要采取以下措施：防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級(jí)別，降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外，閂鎖電流對(duì)PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結(jié)溫的關(guān)系也非常密切；在結(jié)溫和增益提高的情況下，P基區(qū)的電阻率會(huì)升高，破壞了整體特性。因此，器件制造商必須注意將集電極比較大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例，通常比例為1：5。IGBT模塊五種不同的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電路圖1.單管模塊，1in1模塊單管模塊的內(nèi)部由若干個(gè)IGBT并聯(lián)，以達(dá)到所需要的電流規(guī)格，可以視為大電流規(guī)格的IGBT單管。受機(jī)械強(qiáng)度和熱阻的限制，IGBT的管芯面積不能做得太電流規(guī)格的IGBT需要將多個(gè)管芯裝配到一塊金屬基板上。單管模塊外部標(biāo)簽上的等效電路如圖1所示，副發(fā)射極（第二發(fā)射極）連接到柵極驅(qū)動(dòng)電路，主發(fā)射極連接到主電路中。2單元的半橋IGBT拓?fù)?以BSM和FF開(kāi)頭。寧夏Infineon英飛凌FF200R12KT4IGBT模塊廠家直供

3、任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT注意判斷IGBT好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗&TImes;10KΩ擋，因R&TImes;1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通，而無(wú)法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的好壞。逆變器IGBT模塊檢測(cè)：將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔，測(cè)試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性，來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除，使用二極管測(cè)試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為比較大；將表筆反過(guò)來(lái)，黑表筆接P，紅表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N（發(fā)射極e2），黑表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右；黑表筆接P，紅表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為比較大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同，若出現(xiàn)差別說(shuō)明IGBT模塊性能變差，應(yīng)予更換。IGBT模塊損壞時(shí)，只有擊穿短路情況出現(xiàn)。紅、黑兩表筆分別測(cè)柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性，萬(wàn)用表兩次所測(cè)的數(shù)值都為比較大，這時(shí)可判定IGBT模塊門(mén)極正常。如果有數(shù)值顯示，則門(mén)極性能變差，此模塊應(yīng)更換。湖北富士功率模塊IGBT模塊廠家直供Infineon的IGBT模塊常用的電壓為:600V，1200V，1700V。

IGBT模塊的結(jié)溫控制對(duì)于延長(zhǎng)模塊的壽命具有重要意義。4.溫度對(duì)模塊的安全性的影響IGBT模塊的結(jié)溫升高會(huì)導(dǎo)致模塊的安全性下降。當(dāng)結(jié)溫超過(guò)一定溫度時(shí)，模塊內(nèi)部元器件會(huì)出現(xiàn)失效現(xiàn)象，從而導(dǎo)致模塊的短路或開(kāi)路，總之，IGBT模塊結(jié)溫的變化對(duì)模塊的電性能、可靠性、壽命和安全性等多個(gè)方面都會(huì)產(chǎn)生影響。因此，在實(shí)際應(yīng)用中，需要對(duì)IGBT模塊的結(jié)溫進(jìn)行控制，以保證模塊的正常工作和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。對(duì)設(shè)備和人員的安全造成威脅。IGBT的額定電壓要求高于直流母線電壓的兩倍

igbt模塊結(jié)溫變化會(huì)影響哪些因素?結(jié)溫是指IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的溫度，它的變化會(huì)影響IGBT模塊的電性能、可靠性和壽命等多個(gè)方面。本文將從以下幾個(gè)方面詳細(xì)介紹IGBT模塊結(jié)溫變化對(duì)模塊性能的影響。1.IGBT的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗當(dāng)IGBT模塊結(jié)溫升高時(shí)，其內(nèi)部電阻變小，導(dǎo)通損耗會(huì)減小，而開(kāi)關(guān)損耗則會(huì)增加。當(dāng)結(jié)溫升高到一定程度時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗的增加會(huì)超過(guò)導(dǎo)通損耗的減小，導(dǎo)致總損耗增加。因此，IGBT模塊的結(jié)溫升高會(huì)導(dǎo)致模塊的損耗增加，降低模塊的效率。2.熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力IGBT模塊的結(jié)溫升高會(huì)導(dǎo)致模塊內(nèi)部產(chǎn)生熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力。熱應(yīng)力是由于熱膨脹引起的，會(huì)導(dǎo)致模塊內(nèi)部元器件的變形和應(yīng)力集中，從而降低模塊的可靠性和壽命。機(jī)械應(yīng)力則是由于模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的膨脹和收縮引起的，會(huì)導(dǎo)致模塊的包裝材料產(chǎn)生應(yīng)力，從而降低模塊的可靠性和壽命。3.溫度對(duì)IGBT的壽命的影響IGBT模塊的結(jié)溫升高會(huì)導(dǎo)致模塊內(nèi)部元器件的老化速度加快，從而降低模塊的壽命。IGBT的壽命是與結(jié)溫密切相關(guān)的，當(dāng)結(jié)溫升高到一定程度時(shí)，IGBT的壽命會(huì)急劇降低。第1代和第二代采用老命名方式，一般為BSM**GB**DLC或者BSM**GB**DN2。

IGBT功率模塊是指采用IC驅(qū)動(dòng)，利用的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。IGBT功率模塊的驅(qū)動(dòng)電路元件較少，在短路故障時(shí)只要結(jié)溫不超過(guò)安全工作范圍，驅(qū)動(dòng)電路仍可以繼續(xù)安全工作。IGBT在大電流時(shí)具有退飽和特性，可以在一定程度上保護(hù)器件過(guò)流，其它的電力電子開(kāi)關(guān)器件則都不具備這種特性?？傊?，IGBT功率模塊具有驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、過(guò)壓過(guò)流保護(hù)實(shí)現(xiàn)容易、開(kāi)關(guān)頻率高以及不需要緩沖電路等特性，非常適合應(yīng)用在中壓驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。常見(jiàn)的IGBT功率模塊的額定電壓等級(jí)有600V、1200V、1700V、2500V、3300V和4500V，額定電流則可以達(dá)到2400A。雖然有更高電壓等級(jí)的IGBT器件，但其電流等級(jí)卻大為下降。例如，額定電壓為6500V的IGBT器件的額定電流為650A。額定功率比較大的IGBT電壓電流參數(shù)為3600V/1700A和4500V/1200A。各中類別型號(hào)的IGBT功率模塊已經(jīng)運(yùn)用到各中電子元件中，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB。.近，電動(dòng)汽車概念也火的一塌糊涂，Infineon推出了650V等級(jí)的IGBT，專門(mén)用于電動(dòng)汽車行業(yè)。上海Semikron西門(mén)康SKM100GB12T4IGBT模塊庫(kù)存充足

原裝現(xiàn)貨FS300R17KE3/AGDR-72C；寧夏Infineon英飛凌FF200R12KT4IGBT模塊廠家直供

晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽(yáng)極電壓升高而增大。當(dāng)陽(yáng)極電壓升到足夠大時(shí)，會(huì)使晶閘管導(dǎo)通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開(kāi)通”。多次硬開(kāi)通會(huì)損壞管子。2．晶閘管加上正向陽(yáng)極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。觸發(fā)電流不夠時(shí)，管子不會(huì)導(dǎo)通，但此時(shí)正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài)，沒(méi)有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開(kāi)關(guān)特性。是一種理想的無(wú)觸點(diǎn)功率開(kāi)關(guān)元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通，門(mén)極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管，必須使陽(yáng)極電流《維持電流，對(duì)于電阻負(fù)載，只要使管子陽(yáng)極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管子陽(yáng)極電壓互降為零后，加上一定時(shí)間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門(mén)極觸發(fā)電流IGT，門(mén)極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A。寧夏Infineon英飛凌FF200R12KT4IGBT模塊廠家直供