湖南分立半導(dǎo)體模塊可控硅（晶閘管）FUJI全新原裝原裝

且在門極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)；④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中，要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通，宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電磁觸發(fā)方式，將低電位觸發(fā)信號(hào)經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極。這種觸發(fā)方式成本較低，技術(shù)比較成熟。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問(wèn)題，同時(shí)觸發(fā)時(shí)的電磁干擾較大。②直接光觸發(fā)方式，將觸發(fā)脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖，直接觸發(fā)高位光控晶閘管。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管，且該種晶閘管的成本較高，不適宜采用；③間接光觸發(fā)方式，利用光纖通信的方法，將觸發(fā)電脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)化為光脈沖信號(hào)，經(jīng)處理后耦合到光電接受回路，把光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。既可以克服電磁干擾，又可以采用普通晶閘管，降低了成本。[1]晶閘管串聯(lián)技術(shù)當(dāng)需要耐壓很高的開(kāi)關(guān)時(shí)，單個(gè)晶閘管的耐壓有限，單個(gè)晶閘管無(wú)法滿足耐壓需求，這時(shí)就需要將多個(gè)晶閘管串聯(lián)起來(lái)使用，從而得到滿足條件的開(kāi)關(guān)。在器件的應(yīng)用中，由于各個(gè)元件的靜態(tài)伏安特性和動(dòng)態(tài)參數(shù)不同。其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。湖南分立半導(dǎo)體模塊可控硅（晶閘管）FUJI全新原裝原裝

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。但是此種開(kāi)關(guān)所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個(gè)制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過(guò)門極（控制極）只能控制其開(kāi)通而不能控制其關(guān)斷，導(dǎo)通后控制極即不再起作用，要關(guān)斷必須切斷電源，即令流過(guò)晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關(guān)斷不可控的特性，必須另外配以由電感、電容及輔助開(kāi)關(guān)器件等組成的強(qiáng)迫換流電路，從而使裝置體積增大，成本增加，而且系統(tǒng)更為復(fù)雜、可靠性降低。二是因?yàn)榇祟惼骷⒆阌诜至⒃Y(jié)構(gòu)，開(kāi)通損耗大，工作頻率難以提高，限制了其應(yīng)用范圍。1970年代末，隨著可關(guān)斷晶閘管（GTO）日趨成熟，成功克服了普通晶閘管的缺陷，標(biāo)志著電力電子器件已經(jīng)從半控型器件發(fā)展到全控型器件。山東可關(guān)斷可控硅（晶閘管）semikron西門康全新原裝現(xiàn)貨普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。

4．可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)是，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管。目前，大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，是一種光敏器件。由于其控制信號(hào)來(lái)自光的照射，沒(méi)有必要再引出控制極，所以只有兩個(gè)電極（陽(yáng)極A和陰極K），結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成。圖2光控晶閘管符號(hào)圖當(dāng)在光控晶閘管的陽(yáng)極加上正向電壓，陰極加上負(fù)向電壓時(shí)，控晶閘管可以等效成的電路。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的，只是它對(duì)光源的波長(zhǎng)有一定的要求，有選擇性。波長(zhǎng)在0．8——0．9um的紅外線及波長(zhǎng)在1um左右的激光，都是光控晶閘管較為理想的光源。晶閘管的應(yīng)用晶閘管是一種開(kāi)關(guān)元件，具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作。它基本的用途就是可控整流，其工作過(guò)程可以控制，具有體積小、輕、功耗低、效率高、開(kāi)關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn)?；谏鲜鎏攸c(diǎn)。

晶閘管的種類晶閘管有多種方式分類管理方法。（1）按關(guān)閉、傳導(dǎo)和控制方式分類晶閘管可分為普通晶閘管、晶閘管晶閘管、反向晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、btg晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管。（B）在銷和分類的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管，晶閘管塑料晶閘管和三種類型的陶瓷封裝的。其中，所述金屬包晶閘管被分成螺栓形，板形，圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無(wú)兩。（四）按電流容量分類晶閘管按電流進(jìn)行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝，而中、小功率通過(guò)晶閘管則多采用塑封或陶瓷材料封裝。（五）按關(guān)斷速度分類根據(jù)它們的普通晶閘管關(guān)斷晶閘管，并且可以被劃分為高頻（快）晶閘管。晶閘管和可控硅的區(qū)別晶閘管(THYRISTOR)又稱SCR，屬于功率器件領(lǐng)域，是一種功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件。SCR是它的縮寫。根據(jù)其工作特性，可分為單向SCR(SCR)和雙向SCR(TRIAC)?？煽毓枰卜Q作一個(gè)晶閘管，它是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的元件。這類應(yīng)用一般多應(yīng)用在電力試驗(yàn)設(shè)備上，通過(guò)變壓器，調(diào)整晶閘管的導(dǎo)通角輸出一個(gè)可調(diào)的直流電壓。

載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時(shí)反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時(shí)，它的反向電流已達(dá)8mA，不失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會(huì)使管子過(guò)熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時(shí)反向電流為5uA，溫度升高到75℃時(shí)，反向電流也不過(guò)160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。[4]二極管動(dòng)態(tài)電阻二極管特性曲線靜態(tài)工作點(diǎn)附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。[4]二極管電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時(shí)的穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化量。[4]二極管高工作頻率高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢(shì)壘電容組成。所以高工作頻率的值主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。若是超過(guò)此值。則單向?qū)щ娦詫⑹苡绊?。不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。福建igbt供應(yīng)商可控硅（晶閘管）Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。湖南分立半導(dǎo)體模塊可控硅（晶閘管）FUJI全新原裝原裝

使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)迫關(guān)斷。這就需要增加換向電路，不*使設(shè)備的體積重量增大，而且會(huì)降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽(yáng)極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說(shuō)明門極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。湖南分立半導(dǎo)體模塊可控硅（晶閘管）FUJI全新原裝原裝