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二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時(shí)，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞婚L久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價(jià)電子。上海寅涵智能科技專業(yè)供應(yīng)IXYS艾賽斯快恢復(fù)二極管，歡迎咨詢。廣東Microsemi美高森美快恢復(fù)二極管庫存充足

    二極管是什么類型？

二極管是一種電子元件，它具有兩種工作狀態(tài)：正向偏置和反向偏置。在正向偏置狀態(tài)下，二極管允許電流通過；而在反向偏置狀態(tài)下，二極管阻止電流通過。這種單向?qū)щ娞匦允沟枚O管成為電子電路中的基本構(gòu)建模塊之一。

二極管有多種類型，以下是一些常見的二極管類型：

1.整流二極管：這類二極管主要用于整流，即將交流電（AC）轉(zhuǎn)換為直流電（DC）。

2.齊納二極管：齊納二極管是一種限壓二極管，用于穩(wěn)定電壓。當(dāng)施加在二極管兩端的電壓達(dá)到某一特定值時(shí)，齊納二極管將開始導(dǎo)通。

3.開關(guān)二極管：開關(guān)二極管是一種高速開關(guān)元件，用于高速開關(guān)應(yīng)用。它們具有較低的電容和快速的開關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用。

4.肖特基二極管：肖特基二極管是一種低壓降二極管，具有快速開關(guān)速度和較低的正向電壓降。它們通常用于高頻開關(guān)應(yīng)用和低壓應(yīng)用。5.發(fā)光二極管（LED）：發(fā)光二極管是一種特殊類型的二極管，當(dāng)電流通過時(shí)，它會發(fā)出光線。它們廣泛應(yīng)用于顯示器、指示燈和照明設(shè)備。 江蘇三社二極管庫存充足上海寅涵智能科技供應(yīng)大功率二極管，品質(zhì)佳服務(wù)好，歡迎聯(lián)系。

電容C2始終接入電路，此時(shí)振蕩頻率降低。4．同類電路工作原理分析如圖所示，電路中的VD1為開關(guān)二極管，控制電壓通過R1加到VD1正極，控制電壓是一個(gè)矩形脈沖電壓，波形見圖中所示。當(dāng)控制電壓為0V時(shí)，VD1不能導(dǎo)通，相當(dāng)于開路，這時(shí)對L1和C1、L2和C2電路沒有影響；當(dāng)控制電壓為高電平時(shí)，控制電壓使開關(guān)二極管VD1導(dǎo)通，VD1相當(dāng)于通路，電路中A點(diǎn)的交流信號通過導(dǎo)通的VD1和電容C3接地，等于將電路中的A點(diǎn)交流接地，使L2和C2電路不起作用。從上述分析可知，電路中的二極管VD1相當(dāng)于一只開關(guān)，控制電路中的A點(diǎn)交流信號是否接地。二極管檢波電路及故障處理如圖9-48所示是二極管檢波電路。電路中的VD1是檢波二極管，C1是高頻濾波電容，R1是檢波電路的負(fù)載電阻，C2是耦合電容。圖9-48二極管檢波電路1．電路分析準(zhǔn)備知識眾所周知，收音機(jī)有調(diào)幅收音機(jī)和調(diào)頻收音機(jī)兩種，調(diào)幅信號就是調(diào)幅收音機(jī)中處理和放大的信號。見圖中的調(diào)幅信號波形示意圖，對這一信號波形主要說明下列幾點(diǎn)：1）從調(diào)幅收音機(jī)天線下來的就是調(diào)幅信號。2）信號的中間部分是頻率很高的載波信號，它的上下端是調(diào)幅信號的包絡(luò)，其包絡(luò)就是所需要的音頻信號。3）上包絡(luò)信號和下包絡(luò)信號對稱，但是信號相位相反。

則指給定反向漏電流條件下的電壓值。（5）高工作頻率fm：它是二極管在正常情況下的高工作頻率。主要由PN結(jié)的結(jié)電容及擴(kuò)散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫伢w現(xiàn)。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。另有快恢復(fù)二極管用于頻率較高的交流電的整流，如開關(guān)電源中。（6）反向恢復(fù)時(shí)間trr：指在規(guī)定的負(fù)載、正向電流及大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復(fù)時(shí)間。（7）零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時(shí)，擴(kuò)散電容及結(jié)電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數(shù)的離散性也很大。手冊中給出的參數(shù)往往是一個(gè)范圍，若測試條件改變，則相應(yīng)的參數(shù)也會發(fā)生變化，例如在25°C時(shí)測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA，而在100°C時(shí)IR則變?yōu)樾∮?00uA。整流二極管損壞原因編輯（1）防雷、過電壓保護(hù)措施不力。整流裝置未設(shè)置防雷、過電壓保護(hù)裝置，即使設(shè)置了防雷、過電壓保護(hù)裝置，但其工作不可靠，因雷擊或過電壓而損壞整流管。（2）運(yùn)行條件惡劣。間接傳動的發(fā)電機(jī)組，因轉(zhuǎn)速之比的計(jì)算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉(zhuǎn)速之比的要求，使發(fā)電機(jī)長期處于高轉(zhuǎn)速下運(yùn)行，而整流管也就長期處于較高的電壓下工作。IXYS艾賽斯二極管國內(nèi)經(jīng)銷商找哪家，推薦咨詢上海寅涵智能科技。

沒有高到讓外接的二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，理由是：如果集成電路A1的①腳輸出的直流電壓足夠高，那么VD1、VD2和VD3導(dǎo)通，其導(dǎo)通后的內(nèi)阻很小，這樣會將集成電路A1的①腳輸出的交流信號分流到地，對信號造成衰減，顯然這一電路中不需要對信號進(jìn)行這樣的衰減，所以從這個(gè)角度分析得到的結(jié)論是：集成電路A1的①腳輸出的直流電壓不會高到讓VD1、VD2和VD3導(dǎo)通的程度。4）從集成電路A1的①腳輸出的是直流和交流疊加信號，通過電阻R1與三極管VT1基極，VT1是NPN型三極管，如果加到VT1基極的正半周交流信號幅度出現(xiàn)很大的現(xiàn)象，會使VT1的基極電壓很大而有燒壞VT1的危險(xiǎn)。加到VT1基極的交流信號負(fù)半周信號幅度很大時(shí)，對VT1沒有燒壞的影響，因?yàn)閂T1基極上負(fù)極性信號使VT1基極電流減小。5）通過上述電路分析思路可以初步判斷，電路中的VD1、VD2、VD3是限幅保護(hù)二極管電路，防止集成電路A1的①腳輸出的交流信號正半周幅度太大而燒壞VT1。從上述思路出發(fā)對VD1、VD2、VD3二極管電路進(jìn)一步分析，分析如果符合邏輯，可以說明上述電路分析思路是正確的。2．二極管限幅電路分析各種限幅電路工作是有方法的，將信號的幅度分兩種情況：1）信號幅度比較小時(shí)的電路工作狀態(tài)。上海寅涵智能科技專業(yè)供應(yīng)整流橋二極管，歡迎咨詢。甘肅英飛凌可控硅二極管庫存充足

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外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。[5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結(jié)形成原理P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導(dǎo)體因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動的負(fù)離子，而原來的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子。廣東Microsemi美高森美快恢復(fù)二極管庫存充足

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