ANSYS在壓力容器分析設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
耐壓快插接頭在水壓試驗(yàn)裝置中的作用
穿艙接頭在深海環(huán)境模擬試驗(yàn)裝置的作用
耐壓快插接頭的標(biāo)準(zhǔn)與特性
供應(yīng)南京市穿艙接頭直銷江蘇卡普蒂姆物聯(lián)科技供應(yīng)
江蘇卡普蒂姆深海環(huán)境模擬試驗(yàn)裝置介紹
水壓試驗(yàn)裝置的原理及應(yīng)用
提供南京市仿真模擬設(shè)計(jì)江蘇卡普蒂姆物聯(lián)科技供應(yīng)
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按照存儲(chǔ)信息方式的不同,隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)和 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡單,但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管,不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量,主要用于一些對時(shí) 延和速度有要求但又不需要太大容量的場合,如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的 時(shí)延比SRAM大,而且需要定期的刷新,控制電路相對復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管,因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn),目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流,典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量內(nèi)存都是DRAM。尋找能夠滿足您的 DDR 和存儲(chǔ)器需求的特定解決方案。湖南USB測試DDR一致性測試
通常測量眼圖很有效的一種方法就是使用示波器的眼圖測量功能,即用時(shí)鐘做觸發(fā)對數(shù) 據(jù)信號進(jìn)行累積,看累積結(jié)果的差情況是否在可以容許的范圍內(nèi)。但遺憾的是,想用這種 方法直接測量DDR的信號質(zhì)量非常困難,因?yàn)镈DR信號讀寫時(shí)序是不一樣的。
可以看到,寫數(shù)據(jù)(DQ)的跳變位置對應(yīng)著鎖存信號(DQS)的中心,而 讀數(shù)據(jù)的跳變位置卻對應(yīng)著鎖存信號的邊沿,而且在總線上還有三態(tài),因此如果直接用DQS 觸發(fā)對DQ累積進(jìn)行眼圖測量的話,會(huì)得到的結(jié)果。 湖南USB測試DDR一致性測試DDR-致性測試探測和夾具;
測試軟件運(yùn)行后,示波器會(huì)自動(dòng)設(shè)置時(shí)基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測量并匯總成一 個(gè)測試報(bào)告,測試報(bào)告中列出了測試的項(xiàng)目、是否通過、spec的要求、實(shí)測值、margin等。 自動(dòng)測試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開度測量的一個(gè)例子。信號質(zhì)量的測試還可以 輔 助 用 戶 進(jìn) 行 內(nèi) 存 參 數(shù) 的 配 置 , 比 如 高 速 的 D D R 芯 片 都 提 供 有 O D T ( O n D i e Termination)的功能,用戶可以通過軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻,并分析對信號質(zhì) 量的影響。
除了一致性測試以外,DDR測試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個(gè)關(guān)鍵參數(shù)測試 失敗后,可以針對這個(gè)參數(shù)進(jìn)行Debug。此時(shí),測試軟件會(huì)捕獲、存儲(chǔ)一段時(shí)間的波形并進(jìn) 行參數(shù)統(tǒng)計(jì),根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以查找到參數(shù)違規(guī)時(shí)對應(yīng)的波形位置,
除了DDR以外,近些年隨著智能移動(dòng)終端的發(fā)展,由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR (Low-Power DDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應(yīng)用場景,相 對于同一代技術(shù)的DDR來說會(huì)采用更低的工作電壓,而更低的工作電壓可以直接減少器 件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1. 1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一 些,有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù),比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù),更是把 外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是,更低的工作電壓對于電源紋波和串?dāng)_噪 聲會(huì)更敏感,其電路設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外,LPDDR還會(huì)采用一些額 外的技術(shù)來節(jié)省功耗,比如根據(jù)外界溫度自動(dòng)調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷 新)、部分陣列可以自刷新,以及一些對低功耗的支持。同時(shí),LPDDR的芯片一般體積更 小,因此占用的PCB空間更小。82496 DDR信號質(zhì)量的測試方法、測試裝置與測試設(shè)備與流程;
DDR地址、命令總線的一致性測試
DDR的地址、命令總線的信號完整性測試主要測試其波形和時(shí)序參數(shù)。地址總線An、 命令總線/RAS、/CAS、/WE、/CS需要測試的信號品質(zhì)主要包括:Vmax (最大電壓值);Vmin (小電壓值);Overshoot (過沖)和Undershoot (下沖)的持續(xù)時(shí)間的大值;Slew Rate (斜率);Ringback (回溝)等。還需要測試相對于時(shí)鐘邊沿的Setup Time (建立時(shí)間)和Hold Time (保持時(shí)間)。建立時(shí)間和保持時(shí)間的定義如圖7.134所示,其中加為建立時(shí)間,如為 保持時(shí)間,針對DDR400,加和如為0.7ns。
DDR時(shí)鐘總線的一致性測試。湖南USB測試DDR一致性測試
DDR 設(shè)計(jì)、測試、驗(yàn)證和一致性測試。湖南USB測試DDR一致性測試
對DDR5來說,設(shè)計(jì)更為復(fù)雜,仿真軟件需要幫助用戶通過應(yīng)用IBIS模型針對基于 DDR5顆粒或DIMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證,比如仿真驅(qū)動(dòng)能力、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng)、寄 生電容、片上端接ODT、信號上升/下降時(shí)間、AGC(自動(dòng)增益控制)功能、4taps DFE(4抽頭 判決反饋均衡)等。
DDR的讀寫信號分離
對于DDR總線來說,真實(shí)總線上總是讀寫同時(shí)存在的。規(guī)范對于讀時(shí)序和寫時(shí)序的 相關(guān)時(shí)間參數(shù)要求是不一樣的,讀信號的測量要參考讀時(shí)序的要求,寫信號的測量要參考寫 時(shí)序的要求。因此要進(jìn)行DDR信號的測試,第一步要做的是從真實(shí)工作的總線上把感興 趣的讀信號或者寫信號分離出來。JEDEC協(xié)會(huì)規(guī)定的DDR4總線的 一個(gè)工作時(shí) 序圖(參考資料: JEDEC STANDARD DDR4 SDRAM,JESD79-4),可以看到對于讀和寫信 號來說,DQS和DQ間的時(shí)序關(guān)系是不一樣的。 湖南USB測試DDR一致性測試