陜西EMC射頻功率放大器

    其中：串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關(guān)閉狀態(tài)的寄生電容，減少對(duì)后級(jí)驅(qū)動(dòng)放大電路的輸入匹配電路的影響。在負(fù)增益模式下，sw1處在導(dǎo)通狀態(tài)，電阻r主要承擔(dān)對(duì)射頻輸入功率分流后的衰減，sw1主要負(fù)責(zé)射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導(dǎo)通。若系統(tǒng)要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身導(dǎo)通時(shí)寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開(kāi)關(guān)可以用各種半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)，如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二極管等，其中，pin表示：在p和n半導(dǎo)體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(intrinsic)半導(dǎo)體層，組成的這種p-i-n結(jié)構(gòu)的二極管就是pin二極管。需要說(shuō)明的是，r所在的可控衰減電路與后級(jí)的功率放大電路的關(guān)系是并聯(lián)關(guān)系。并聯(lián)關(guān)系在于電壓相同時(shí)，r越小，可控衰減電路分得電流越大，得到的功率越多。故r越小，進(jìn)入可控衰減電路的功率越多，相應(yīng)的進(jìn)入后級(jí)功率放大電路的功率就越少，衰減就越大。所以，為了實(shí)現(xiàn)大幅度的衰減，r有時(shí)需要省略，依靠sw自身的導(dǎo)通電阻ron。其中，串聯(lián)電感l(wèi)1的通過(guò)以下方法得到：在未加入可控衰減電路時(shí)，若輸入匹配電路101對(duì)應(yīng)的阻抗為：z0＝r0+jx0。微波功率放大器在大功率下工作要合理設(shè)計(jì)功放結(jié)構(gòu)加裝散熱器以 提高功放管熱量輻散效率保證放大器穩(wěn)定工作。陜西EMC射頻功率放大器

    是為了便于描述本申請(qǐng)和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。在本申請(qǐng)的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電氣連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，還可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是無(wú)線連接，也可以是有線連接。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本申請(qǐng)中的具體含義。此外，下面所描述的本申請(qǐng)不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成就可以相互結(jié)合。請(qǐng)參考圖1，其示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖。該高線性射頻功率放大器包括功率放大器、激勵(lì)放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)和自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路。自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級(jí)調(diào)節(jié)功率放大器的輸出柵極偏置電壓。功率放大器通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)和激勵(lì)放大器連接射頻輸入端rfin。江蘇優(yōu)勢(shì)射頻功率放大器值得推薦乙類工作狀態(tài)：功率放大器在信號(hào)周期內(nèi)只有半個(gè)周期存在工作電流，即導(dǎo) 通角0為180度.

    通過(guò)可控衰減電路中的電阻吸收和衰減射頻功率，使得進(jìn)入后續(xù)電路的射頻功率減小，輸入信號(hào)衰減，從而實(shí)現(xiàn)負(fù)增益。在一個(gè)可能的示例中，可控衰減電路包括電阻r1、第二電阻r2、電感l(wèi)1和開(kāi)關(guān)t1，開(kāi)關(guān)的柵級(jí)與電阻的端連接，電阻的第二端連接電壓信號(hào)，開(kāi)關(guān)的漏級(jí)與第二電阻的端連接，開(kāi)關(guān)的源級(jí)接地，電感的端連接輸入信號(hào)，電感的第二端連接第二電阻的第二端；其中，開(kāi)關(guān)，用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以使可控衰減電路處于無(wú)衰減狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第二控制信號(hào)使自身處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式；其中，控制信號(hào)為具有電壓值的電壓信號(hào)，第二控制信號(hào)為具有第二電壓值的電壓信號(hào)，電壓值與第二電壓值不同。需要說(shuō)明的是，開(kāi)關(guān)為絕緣體上硅cmos管，或平面結(jié)構(gòu)mos管。電阻為上拉電阻，其阻值較小，電壓信號(hào)vgg通過(guò)電阻連接開(kāi)關(guān)。在一些實(shí)施例中，微處理器通過(guò)控制vgg＝，使得開(kāi)關(guān)關(guān)斷，可控衰減電路處于無(wú)衰減狀態(tài)，將輸入匹配電路與可控衰減電路隔離，此時(shí)，射頻功率放大器電路對(duì)輸入信號(hào)放大，射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式。

    此時(shí)信號(hào)將產(chǎn)生非線性，其功率需要小于-10dbm才能實(shí)現(xiàn)線性輸出，此時(shí)射頻功率放大器電路的線性增益為-10db，因此，其線性輸出功率范圍為：-45dbm～-10dbm。上述高、中、低功率模式中有功率等級(jí)的交疊，這是窄帶物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)平臺(tái)的要求，這樣可保證應(yīng)用端配置的靈活性。比如同樣功率等級(jí)下，選擇耗電小的功率模式等。這樣發(fā)射信號(hào)功率即輸出功率覆蓋了-45dbm到，總共，可滿足廣域的信號(hào)覆蓋要求。參見(jiàn)圖1a和圖1b，在射頻功率放大器電路已經(jīng)加強(qiáng)負(fù)反饋基礎(chǔ)上(引入負(fù)反饋電路)，調(diào)節(jié)各級(jí)晶體管的偏置電路(例如調(diào)節(jié)t2和t4漏極的偏置電流，或者調(diào)節(jié)t3和t5漏極的偏置電壓)，再在輸入匹配電路之前引入可控衰減電路，可以進(jìn)一步降低增益。從理論來(lái)講，可控衰減電路通過(guò)設(shè)計(jì)可以滿足負(fù)增益的需求。這里，可控衰減電路需要考慮盡量降低其對(duì)放大器輸入匹配電路的影響，它好可以與輸入匹配電路的設(shè)計(jì)融合。另外，需要射頻功率放大器電路在沒(méi)有處于負(fù)增益工作模式下時(shí)，具有適當(dāng)?shù)纳漕l傳導(dǎo)功率容量和靜電保護(hù)能力(electro-staticdischarge，esd)。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種射頻功率放大器電路，如圖2所示，與圖1a相比，在輸入端口和輸入匹配電路之間插入可控衰減電路。射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。

LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對(duì)3G和LTE基站市場(chǎng)的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但LDMOS功率放大器的帶寬會(huì)隨著頻率的增加而大幅減少，在不超過(guò)約，而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應(yīng)用中，它可實(shí)現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上，GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸。實(shí)現(xiàn)性能成本的優(yōu)化組合。隨著5G時(shí)代的到來(lái)，小基站及MassiveMIMO的飛速發(fā)展，會(huì)對(duì)集成度要求越來(lái)越高，GaN自有的先天優(yōu)勢(shì)會(huì)加速功率器件集成化的進(jìn)程。5G會(huì)帶動(dòng)GaN這一產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展。然而，在移動(dòng)終端領(lǐng)域GaN射頻器件尚未開(kāi)始規(guī)模應(yīng)用，原因在于較高的生產(chǎn)成本和供電電壓。GaN將在高功率，高頻率射頻市場(chǎng)發(fā)揮重要作用。GaN射頻PA有望成為5G基站主流技術(shù)預(yù)測(cè)未來(lái)大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件，小基站GaAs優(yōu)勢(shì)更明顯。就電信市場(chǎng)而言，得益于5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的日益臨近。微波固態(tài)功率放大器通常安裝在一個(gè)腔體內(nèi)，由于頻率高，往往容易產(chǎn)生寄 生藕合與干擾。湖北現(xiàn)代化射頻功率放大器檢測(cè)技術(shù)

阻抗匹配，關(guān)系到功率放大器的穩(wěn)定性、增益；輸出功率、帶內(nèi)平坦度、噪聲、諧波、駐波、線性等一系列指標(biāo) 。陜西EMC射頻功率放大器

    處理器308即處理器，用于控制所述射頻功率放大器的開(kāi)啟和關(guān)閉。輸入單元403可用于接收輸入的數(shù)字或字符信息，以及產(chǎn)生與用戶設(shè)置以及功能控制有關(guān)的鍵盤、鼠標(biāo)、操作桿、光學(xué)或者軌跡球信號(hào)輸入。具體地，在一個(gè)具體的實(shí)施例中，輸入單元403可包括觸敏表面以及其他輸入設(shè)備。觸敏表面，也稱為觸摸顯示屏或者觸控板，可收集用戶在其上或附近的觸摸操作(比如用戶使用手指、觸筆等任何適合的物體或附件在觸敏表面上或在觸敏表面附近的操作)，并根據(jù)預(yù)先設(shè)定的程式驅(qū)動(dòng)相應(yīng)的連接裝置。可選的，觸敏表面可包括觸摸檢測(cè)裝置和觸摸控制器兩個(gè)部分。其中，觸摸檢測(cè)裝置檢測(cè)用戶的觸摸方位，并檢測(cè)觸摸操作帶來(lái)的信號(hào)，將信號(hào)傳送給觸摸控制器；觸摸控制器從觸摸檢測(cè)裝置上接收觸摸信息，并將它轉(zhuǎn)換成觸點(diǎn)坐標(biāo)，再送給處理器408，并能接收處理器408發(fā)來(lái)的命令并加以執(zhí)行。此外，可以采用電阻式、電容式、紅外線以及表面聲波等多種類型實(shí)現(xiàn)觸敏表面。除了觸敏表面，輸入單元403還可以包括其他輸入設(shè)備。具體地，其他輸入設(shè)備可以包括但不限于物理鍵盤、功能鍵(比如音量控制按鍵、開(kāi)關(guān)按鍵等)、軌跡球、鼠標(biāo)、操作桿等中的一種或多種。陜西EMC射頻功率放大器

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