LX5535+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96高功率版本參考設(shè)計(jì)中，F(xiàn)EM多次出現(xiàn)在無線網(wǎng)卡參考設(shè)計(jì)中。LX5518則是近年應(yīng)用較多的一款高功率PA，與后文即將出現(xiàn)的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸張地講，MicrosemiLX5518與SkyworksSE2576占據(jù)了。LX5518的強(qiáng)悍性能如下圖所示。RFaxisRFaxis是一家相對(duì)較新的射頻半導(dǎo)體公司，成立于2008年1月，總部設(shè)于美國(guó)加州，專業(yè)從事射頻半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和開發(fā)。憑借其獨(dú)有的技術(shù)，RFaxis公司專為數(shù)十億美元的Bluetooth、WLAN、、ZigBee、AMR/AMI和無線音頻/視頻市場(chǎng)設(shè)計(jì)的下一代無線解決方案。利用純CMOS并結(jié)合其自身的創(chuàng)新方法和技術(shù)，RFaxis開發(fā)出全球射頻前端集成電路(RFeIC)。相信讀者一定了解，CMOSPA的巨大優(yōu)勢(shì)就是成本低，在如今WiFi設(shè)備價(jià)格如此敏感的環(huán)境下，這是RFaxis開拓市場(chǎng)的利器。從RFaxis的官方上可以看到已經(jīng)有多款WiFiPA，但缺少匯總數(shù)據(jù)，用戶很難快速選型。本文*給出RFaxis主推的RFX240的性能。RFICRFIC的全稱是RFIntegratedCorp.，中文名稱是朗弗科技股份有限公司，這家公司顯得十分低調(diào)，在其官網(wǎng)上甚至找不到任何有關(guān)公司的介紹，筆者也是醉了。微波功率放大器工作處于非線性狀態(tài)放大過程中會(huì)產(chǎn)生的諧波分量，輸入、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)除起到阻抗變換作用外。陜西EMC射頻功率放大器哪里賣
在本發(fā)明實(shí)施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號(hào)input_p，功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號(hào)input_n。功率放大單元可以對(duì)輸入的差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n分別進(jìn)行放大處理，功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過放大的差分信號(hào)，功率放大單元的第二輸出端可以輸出經(jīng)過放大的第二差分信號(hào)。差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n的放大倍數(shù)可以由功率放大單元的放大系數(shù)決定，且差分信號(hào)input_p的放大倍數(shù)和對(duì)第二差分信號(hào)input_n的放大倍數(shù)相同。在具體實(shí)施中，差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n可以是對(duì)輸入至射頻功率放大器的輸入信號(hào)進(jìn)行差分處理后得到的。具體的，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行差分處理的原理及過程可以參照現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例不做贅述。在具體實(shí)施率合成變壓器可以包括初級(jí)線圈11以及次級(jí)線圈。在本發(fā)明實(shí)施例中，初級(jí)線圈11的端可以與功率放大單元的輸出端耦接，輸入經(jīng)過放大的差分信號(hào)；初級(jí)線圈11的第二端可以與功率放大單元的第二輸出端耦接，輸入經(jīng)過放大的第二差分信號(hào)。在本發(fā)明實(shí)施例中，次級(jí)線圈可以包括主次級(jí)線圈121以及輔次級(jí)線圈122。主次級(jí)線圈121的端接地。四川射頻功率放大器仿真功率放大器線性化技術(shù)一一功率回退、前饋、反饋、預(yù)失真，出于射頻 預(yù)失真結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于集成和實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)。
其中：串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關(guān)閉狀態(tài)的寄生電容，減少對(duì)后級(jí)驅(qū)動(dòng)放大電路的輸入匹配電路的影響。在負(fù)增益模式下，sw1處在導(dǎo)通狀態(tài)，電阻r主要承擔(dān)對(duì)射頻輸入功率分流后的衰減，sw1主要負(fù)責(zé)射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導(dǎo)通。若系統(tǒng)要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身導(dǎo)通時(shí)寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開關(guān)可以用各種半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)，如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二極管等，其中，pin表示：在p和n半導(dǎo)體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(intrinsic)半導(dǎo)體層，組成的這種p-i-n結(jié)構(gòu)的二極管就是pin二極管。需要說明的是，r所在的可控衰減電路與后級(jí)的功率放大電路的關(guān)系是并聯(lián)關(guān)系。并聯(lián)關(guān)系在于電壓相同時(shí)，r越小，可控衰減電路分得電流越大，得到的功率越多。故r越小，進(jìn)入可控衰減電路的功率越多，相應(yīng)的進(jìn)入后級(jí)功率放大電路的功率就越少，衰減就越大。所以，為了實(shí)現(xiàn)大幅度的衰減，r有時(shí)需要省略，依靠sw自身的導(dǎo)通電阻ron。其中，串聯(lián)電感l(wèi)1的通過以下方法得到：在未加入可控衰減電路時(shí)，若輸入匹配電路101對(duì)應(yīng)的阻抗為：z0＝r0+jx0。
第四mos管的漏級(jí)與第五mos管的源級(jí)連接，第四mos管的源級(jí)接地，第五mos管的柵級(jí)連接第九電容的端，第九電容的第二端接地。其中，第四mos管t4和第五mos管t5的器件尺寸一樣，第二mos管t2與第四mos管t4的器件尺寸之比為2:5。在一個(gè)可能的示例中，輸出匹配電路106包括：第四電感l(wèi)4、第五電感l(wèi)5、第十電容c10和第十一電容c11，其中：第四電感的端和第五電感的端連接第五mos管的漏級(jí)，第四電感的第二端連接第二電壓信號(hào)，第十電容的端連接第二電壓信號(hào)，第十電容的第二端接地，第五電感的第二端連接第十一電容的端，第十一電容的第二端接地，第十一電容兩端的電壓為輸出電壓。在一個(gè)可能的示例中，射頻功率放大器電路還包括：偏置電路，用于響應(yīng)于微處理器發(fā)出的第三控制信號(hào)，增加自身的漏級(jí)電流和自身的柵級(jí)電壓，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)于第四控制信號(hào)，降低自身的漏級(jí)電流和自身的柵級(jí)電壓，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式；第二偏置電路，用于響應(yīng)于微處理器發(fā)出的第五控制信號(hào)，增加自身的漏級(jí)電流和自身的柵級(jí)電壓，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)于第六控制信號(hào)，降低自身的漏級(jí)電流和自身的柵級(jí)電壓。微波固態(tài)功率放大器的電路設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能合理簡(jiǎn)化。
第三變壓器t02、第四變壓器t04和電容c16構(gòu)成一個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)。第三變壓器t02的原邊連接有電容c07，第四變壓器t04的原邊連接有電容c14。第三變壓器t02的副邊連接射頻輸出端rfout，第四變壓器t04的副邊接地。每個(gè)主體電路中的激勵(lì)放大器包括2個(gè)共源共柵放大器。如圖3所示，主體電路的激勵(lì)放大器中，nmos管mn01和nmos管mn03構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器，nmos管mn02和nmos管mn04構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器；第二主體電路的激勵(lì)放大器中，nmos管mn09和nmos管mn11構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器，nmos管mn10和nmos管mn12構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器。在主體電路中，激勵(lì)放大器源放大器的柵極與變壓器的副邊連接，激勵(lì)放大器柵放大器的漏極通過電容與功率放大器的輸入端連接。如圖3所示，nmos管mn01的柵極和nmos管mn02的柵極分別與變壓器t01的副邊連接，nmos管mn03的漏極連接電容c04，nmos管mn04的漏極連接電容c05。nmos管mn03的漏極和nmos管mn04的漏極為主體電路中激勵(lì)放大器的輸出端。在第二主體電路中，激勵(lì)放大器中源放大器的柵極與第二變壓器的副邊連接，激勵(lì)放大器柵放大器的漏極通過電容與功率放大器的輸入端連接。如圖3所示，nmos管mn09的柵極和nmos管mn10的柵極分別與變壓器t01的副邊連接。隨著無線通信/雷達(dá)通信系統(tǒng)的發(fā)展對(duì)固態(tài)功率放大器提出了新 的要求：大功率輸出、高效率、高線性度、高頻率.北京V段射頻功率放大器生產(chǎn)廠家
功率放大器一般可分為A、AB、B、c、D、E、F類。陜西EMC射頻功率放大器哪里賣
第六電容的第二端連接第二開關(guān)的端，第二開關(guān)的第二端連接第五電阻的端，第五電阻的第二端連接第五電容的端，第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端；其中，第二開關(guān)，用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以降低反饋深度，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)第八控制信號(hào)使自身處于導(dǎo)通狀態(tài)，以增加反饋深度，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式。需要說明的是，假設(shè)射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時(shí)的放大系數(shù)為a，反饋電路的反饋系數(shù)為f，則加入反饋電路后射頻功率放大器電路100的放大系數(shù)af＝a/(1+af)，隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低，反饋系數(shù)f變大，反饋深度增加，放大系數(shù)af變小，有利于射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式。其中，第四電阻的阻值大于第五電阻的阻值。第二開關(guān)響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以降低反饋深度，從而使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式；第二開關(guān)響應(yīng)微處理器發(fā)出的第八控制信號(hào)使自身處于導(dǎo)通狀態(tài)，以增加反饋深度，從而使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式。在一些實(shí)施例中，反饋電路還可如圖6所示。陜西EMC射頻功率放大器哪里賣
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