重慶自動化射頻功率放大器供應商

來源: 發(fā)布時間:2021-12-15

將導致更復雜的天線調諧器和多路復用器。RF系統(tǒng)級封裝(SiP)市場可分為一級和二級SiP封裝:各種RF器件的一級封裝,如芯片/晶圓級濾波器、開關和放大器(包括RDL、RSV和/或凸點步驟);在表面貼裝(SMT)階段進行的二級SiP封裝,其中各種器件與無源器件一起組裝在SiP基板上。2018年,射頻前端模組SiP市場(包括一級和二級封裝)總規(guī)模為33億美元,預計2018~2023年期間的復合年均增長率(CAGR)將達到,市場規(guī)模到2023年將增長至53億美元。預測2023年,PAMiDSiP組裝預計將占RFSiP市場總營收的39%。2018年,晶圓級封裝大約占RFSiP組裝市場總量的9%。移動領域各種射頻前端模組的SiP市場,包括:PAMiD(帶集成雙工器的功率放大器模塊)、PAM(功率放大器模塊)、RxDM(接收分集模塊)、ASM(開關復用器、天線開關模塊)、天線耦合器(多路復用器)、LMM(低噪聲放大器-多路復用器模塊)、MMMBPa(多模、多頻帶功率放大器)和毫米波前端模組。MEMS預測,到2023年,用于蜂窩和連接的射頻前端SiP市場將分別占SiP市場總量的82%和18%。按蜂窩通信標準,支持5G(sub-6GHz和毫米波)的前端模組將占到2023年RFSiP市場總量的28%。智能手機將貢獻射頻前端模組SiP組裝市場的43%。穩(wěn)定性是指放大器在環(huán)境(如溫度、信號頻率、源及負載等)變化比較大的情況 下依1日保持正常工作特性的能力。重慶自動化射頻功率放大器供應商

    圖10為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖。具體實施方式對于窄帶物聯(lián)網(wǎng)(narrowbandinternetofthings,nb-iot)的終端(userequipment,ue)來說,射頻前端系統(tǒng)中的射頻功率放大器電路一般要求發(fā)射功率可調,當射頻功率放大器電路之前射頻收發(fā)器的輸出動態(tài)范圍有限時,就要求功率放大器增益高低可調節(jié)。在廣域低功耗通信的應用場景中,對射頻功率放大器電路的增益可調要求變得更突出,其動態(tài)范圍要達到35~40db,并出現(xiàn)負增益的需求模式。例如,在窄帶物聯(lián)網(wǎng)通信對象之間距離近(nb-iot的終端距離基站很近)的情況下會出現(xiàn)負增益的需求。在應用中,一方面在射頻功率放大器的電路設計中,可以降低功率增益,在不過度影響原有電路匹配的前提下,通過增強驅動級晶體管的負反饋;另一方面,可以在輸入匹配電路中插入可控衰減電路的設計,這樣對功率放大器的性能影響較小,降低增益的效果明顯。下面介紹一種射頻功率放大器電路,是在高增益模式的電路基礎上,一般通過增強驅動級的負反饋來降低增益。圖1a為相關技術中射頻功率放大器電路的組成結構示意圖,圖1b為圖1a的電路結構示意圖,參見圖1a和圖1b,方案。湖南自動化射頻功率放大器射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。

    vgs是指柵源電壓,vth是指閾值電壓。開關關斷的寄生電容:coff=fom/ron。其中fom為半導體工藝商提供的開關ron與coff乘積,單位為fs(飛秒)。另,w/l較大,發(fā)生esd時有利于能提供直接的低阻抗電流泄放通道。用兩個sw疊加,相對單sw,能在esd大電流下保護sw的mos管不被損壞。當可控衰減電路的sw使用了疊管設計,兩個開關sw1和sw2的控制邏輯是一樣的:(1)非負增益模式下,sw1和sw2同時關斷;(2)負增益模式下,sw1和sw2同時打開。本申請實施例中的sw1和sw2在應用中可以采用絕緣體上硅(silicononinsulator,soi)cmos管,也可以是bulkcmos管(平面結構mos管)。下面提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結構,如圖5a所示,圖5a中l(wèi)2、c1和r2構成驅動放大級電路之前的輸入匹配電路,可以將輸入端口的阻抗匹配到適合射頻功率放大器電路的輸入阻抗位置,這是由于驅動放大級電路需要某種特定阻抗范圍,輸出功率才能實現(xiàn)所需的效率,增益等性能??煽厮p電路的并聯(lián)到地支路的sw1和r1,在它們之前的電感l(wèi)1用于對并聯(lián)到地支路的寄生電容的匹配補償。在高增益模式下,這種射頻功率放大器電路輸入的匹配結構簡潔,輸入端口匹配良好,因此輸入端的回波損耗好。

    其中:串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關閉狀態(tài)的寄生電容,減少對后級驅動放大電路的輸入匹配電路的影響。在負增益模式下,sw1處在導通狀態(tài),電阻r主要承擔對射頻輸入功率分流后的衰減,sw1主要負責射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導通。若系統(tǒng)要求的增益很低,r也可以省略,用sw1自身導通時寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開關可以用各種半導體工藝實現(xiàn),如互補金屬氧化物半導體(complementarymetaloxidesemiconductor,cmos),絕緣體上硅(silicononinsulator,soi)cmos管,pin二極管等,其中,pin表示:在p和n半導體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(intrinsic)半導體層,組成的這種p-i-n結構的二極管就是pin二極管。需要說明的是,r所在的可控衰減電路與后級的功率放大電路的關系是并聯(lián)關系。并聯(lián)關系在于電壓相同時,r越小,可控衰減電路分得電流越大,得到的功率越多。故r越小,進入可控衰減電路的功率越多,相應的進入后級功率放大電路的功率就越少,衰減就越大。所以,為了實現(xiàn)大幅度的衰減,r有時需要省略,依靠sw自身的導通電阻ron。其中,串聯(lián)電感l(wèi)1的通過以下方法得到:在未加入可控衰減電路時,若輸入匹配電路101對應的阻抗為:z0=r0+jx0。由于功率放大器的源和負載都是50歐姆,輸入匹配電路和輸出匹配 電路主要是對一端是50歐姆。

    以對輸入至功率合成變壓器的信號進行對應的匹配濾波處理。在具體實施中,子濾波電路可以包括電容c1,電容c1的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸入端耦接,第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中,為提高諧波濾波性能,子濾波電路還可以包括電感l(wèi)1,電感l(wèi)1可以設置電容c1的第二端與地之間。參照圖2,給出了本發(fā)明實施例中的另一種射頻功率放大器的電路結構圖。圖2中,子濾波電路包括電感l(wèi)1以及電容c1,電感l(wèi)1串聯(lián)在電容c1的第二端與地之間。在具體實施中,第二子濾波電路可以包括第二電容c2,第二電容c2的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸入端耦接,第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中,為提高諧波濾波性能,第二子濾波電路還可以包括第二電感l(wèi)2,第二電感l(wèi)2可以設置第二電容c2的第二端與地之間。繼續(xù)參照圖2,第二子濾波電路包括第二電感l(wèi)2以及第二電容c2,第二電感l(wèi)2串聯(lián)在第二電容c2的第二端與地之間。在具體實施中,串聯(lián)電感的到地電容和該電感的諧振頻率可以在功率放大單元的二次諧波頻率附近。也就是說,當子濾波電路包括電容c1以及電感l(wèi)1時,電容c1與電感l(wèi)1的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。相應地。由于微波固態(tài)功率放大器輸出功率較大,很小的功率泄漏都會對周圍電路的 工作產(chǎn)生較大影響。福建短波射頻功率放大器價格

交調失真有不同頻率的兩個或更多的輸入信號經(jīng)過功率放大器而產(chǎn)生的 混合分量由于功率放大器的非線性造成的。重慶自動化射頻功率放大器供應商

    微處理器通過控制vgg=,使得開關導通,可控衰減電路處于衰減狀態(tài),此時,一部分射頻傳導功率進入可控衰減電路變成熱能消耗掉,另一部分射頻傳導功率進入可控衰減電路之后的電路,輸入信號衰減,射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負增益模式。當開關關斷時,電感用于匹配寄生電容,以減少對后級電路的影響,開關可等效為寄生電容coff,不需要考慮電阻,可控衰減電路等效為圖8(a);當開關導通時,開關等效為寄生電阻ron,也不需要考慮電阻,可控衰減電路等效為圖8(b),因為第二電阻和寄生電阻ron都很小,因此流入可控衰減電路的電流較大,該電路路消耗的功率較多,對輸入信號的衰減作用也較強。其中,為了實現(xiàn)大程度的衰減,在非負增益模式下,應使可控衰減電路的電阻盡可能的小,可在可控衰減電路去掉第二電阻r2,通過寄生電阻ron來衰減輸入信號。若可控衰減電路中沒有第二電阻,當射頻功率放大器電路的負增益大小確定時,開關的寄生電阻的大小也可確定。當開關導通時,開關工作在線性區(qū),寄生電阻ron的大小滿足公式:ron=1/(μ×cox×(w/l)×(vgs-vth)),其中,μ是電子遷移率,cox是單位面積的柵氧化層電容,w/l是開關t1的有效溝道長度的寬長比,vgs是柵源電壓,vth是閾值電壓。重慶自動化射頻功率放大器供應商

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