海南低頻射頻功率放大器定制

    由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。其中，頻段與射頻功率放大器的對應(yīng)情況包括兩種：一個頻段對應(yīng)一個射頻功率放大器或多個頻段對應(yīng)一個射頻功率放大器。移動終端在進行頻段切換前，移動終端的射頻功率放大器的狀態(tài)包括開啟狀態(tài)或關(guān)閉狀態(tài)，移動終端在進行頻段切換時，需要開啟一個或多個射頻功率放大器。射頻功率放大器的配置狀態(tài)即移動終端在進行頻段切換時，此時移動終端的射頻功率放大器的狀態(tài)。其中，由于射頻功率放大器的開啟狀態(tài)與關(guān)閉狀態(tài)所對應(yīng)的電阻值不同，預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)即預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。因此，射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值。其中，每個射頻功率放大器配置一個匹配電阻，關(guān)閉狀態(tài)的電阻值為射頻功率放大器的電阻值，開啟狀態(tài)的電阻值為匹配電阻的電阻值。不同的射頻功率放大器設(shè)置不同的匹配電阻，不同的匹配電阻的電阻值不相等，并且滿足若干個并聯(lián)后不相等。本申請對于射頻功率放大器的個數(shù)不作限定，匹配電阻的個數(shù)與射頻功率放大器的個數(shù)相同。其中，檢測到射頻功率放大器關(guān)閉時，其匹配電阻不生效。線性：由非線性分析知道，功率放大器的三階交調(diào)系數(shù)時與負載有關(guān)的。海南低頻射頻功率放大器定制

    圖10為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖。具體實施方式對于窄帶物聯(lián)網(wǎng)(narrowbandinternetofthings，nb-iot)的終端(userequipment，ue)來說，射頻前端系統(tǒng)中的射頻功率放大器電路一般要求發(fā)射功率可調(diào)，當射頻功率放大器電路之前射頻收發(fā)器的輸出動態(tài)范圍有限時，就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)。在廣域低功耗通信的應(yīng)用場景中，對射頻功率放大器電路的增益可調(diào)要求變得更突出，其動態(tài)范圍要達到35～40db，并出現(xiàn)負增益的需求模式。例如，在窄帶物聯(lián)網(wǎng)通信對象之間距離近(nb-iot的終端距離基站很近)的情況下會出現(xiàn)負增益的需求。在應(yīng)用中，一方面在射頻功率放大器的電路設(shè)計中，可以降低功率增益，在不過度影響原有電路匹配的前提下，通過增強驅(qū)動級晶體管的負反饋；另一方面，可以在輸入匹配電路中插入可控衰減電路的設(shè)計，這樣對功率放大器的性能影響較小，降低增益的效果明顯。下面介紹一種射頻功率放大器電路，是在高增益模式的電路基礎(chǔ)上，一般通過增強驅(qū)動級的負反饋來降低增益。圖1a為相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖，圖1b為圖1a的電路結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖1a和圖1b，方案。福建V段射頻功率放大器經(jīng)驗豐富微波功率放大器工作處于非線性狀態(tài)放大過程中會產(chǎn)生的諧波分量，輸入、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)除起到阻抗變換作用外。

搶占基于硅LDMOS技術(shù)的基站PA市場。對于既定功率水平，GaN具有體積小的優(yōu)勢。有了更小的器件，則可以減小器件電容，從而使得較高帶寬系統(tǒng)的設(shè)計變得更加輕松。氮化鎵基MIMO天線功耗可降低40%。下圖展示的是鍺化硅和氮化鎵的毫米波5G基站MIMO天線方案，左側(cè)展示的是鍺化硅基MIMO天線，它有1024個元件，裸片面積是4096平方毫米，輻射功率是65dbm，與之形成鮮明對比的，是右側(cè)氮化鎵基MIMO天線，盡管價格較高，但功耗降低了40%，裸片面積減少94%。GaN適用于大規(guī)模MIMO。GaN芯片每年在功率密度和封裝方面都會取得飛躍，能比較好的適用于大規(guī)模MIMO技術(shù)。當前的基站技術(shù)涉及具有多達8個天線的MIMO配置，以通過簡單的波束形成算法來控制信號，但是大規(guī)模MIMO可能需要利用數(shù)百個天線來實現(xiàn)5G所需要的數(shù)據(jù)速率和頻譜效率。大規(guī)模MIMO中使用的耗電量大的有源電子掃描陣列（AESA），需要單獨的PA來驅(qū)動每個天線元件，這將帶來的尺寸、重量、功率密度和成本（SWaP-C）挑戰(zhàn)。這將始終涉及能夠滿足64個元件和超出MIMO陣列的功率、線性、熱管理和尺寸要求，且在每個發(fā)射/接收（T/R）模塊上偏差小的射頻PA。MIMOPA年復合增長率將達到135%。預(yù)計2022年。

    即射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值為射頻功率放大器211的電阻值是r11，射頻功率放大器212、213和214的電阻值仍是r2、r3和r4。計算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測模塊的電阻值是r11，與配置狀態(tài)電阻值相同，則表示射頻功率放大器211已經(jīng)開啟；如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測模塊的電阻值是r1，與配置狀態(tài)電阻值不相同，則表示射頻功率放大器211未開啟，移動終端開啟射頻功率放大器211。計算的各個射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與配置狀態(tài)電阻值均相同時，則射頻功率放大器已經(jīng)配置完成。其中，頻段切換前，射頻功率放大器的初始狀態(tài)包括開啟狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)，包括兩種情況：全部是關(guān)閉狀態(tài)或者部分關(guān)閉，部分開啟。頻段切換時，移動終端會對所有射頻功率放大器發(fā)出配置指令，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與本次指令要求的電阻值未有變化，則不作操作，否則按當前指令的電阻值進行射頻功率放大器的相關(guān)配置。103、比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即移動終端切換頻段時，此時射頻功率放大器的電阻值。微波固態(tài)功率放大器通常安裝在一個腔體內(nèi)，由于頻率高，往往容易產(chǎn)生寄 生藕合與干擾。

LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對3G和LTE基站市場的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但LDMOS功率放大器的帶寬會隨著頻率的增加而大幅減少，在不超過約，而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應(yīng)用中，它可實現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上，GaN的高功率密度特性在實現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸。實現(xiàn)性能成本的優(yōu)化組合。隨著5G時代的到來，小基站及MassiveMIMO的飛速發(fā)展，會對集成度要求越來越高，GaN自有的先天優(yōu)勢會加速功率器件集成化的進程。5G會帶動GaN這一產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展。然而，在移動終端領(lǐng)域GaN射頻器件尚未開始規(guī)模應(yīng)用，原因在于較高的生產(chǎn)成本和供電電壓。GaN將在高功率，高頻率射頻市場發(fā)揮重要作用。GaN射頻PA有望成為5G基站主流技術(shù)預(yù)測未來大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件，小基站GaAs優(yōu)勢更明顯。就電信市場而言，得益于5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的日益臨近。由于進行大功率放大設(shè)計，電路必然產(chǎn)生許多諧波，匹配電路還需要有濾 波功能。陜西V段射頻功率放大器價格

微波固態(tài)功率放大器的電路設(shè)計應(yīng)盡可能合理簡化。海南低頻射頻功率放大器定制

    本申請實施例涉及但不限于射頻前端電路，尤其涉及一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。背景技術(shù)：射頻前端系統(tǒng)中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求發(fā)射功率可調(diào)，當pa之前射頻收發(fā)器的輸出動態(tài)范圍有限時，就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)。在廣域低功耗通信的應(yīng)用場景中，對射頻功率放大器電路的增益可調(diào)要求變得更突出，其動態(tài)范圍要達到35～40db，并出現(xiàn)負增益的需求模式。相關(guān)技術(shù)中通常通過反饋電路提供的負反饋來對增益進行調(diào)節(jié)，但是反饋電路只能增加或減少增益，而不能實現(xiàn)負增益，無法滿足射頻功率放大器電路的負增益需求。技術(shù)實現(xiàn)要素：有鑒于此，本申請實施例提供一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。本申請實施例的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：本申請實施例提供一種射頻功率放大器電路，應(yīng)用于終端，包括：依次連接的可控衰減電路、輸入匹配電路、驅(qū)動放大電路、級間匹配電路、功率放大電路和輸出匹配電路，與所述驅(qū)動放大電路跨接的反饋電路；所述可控衰減電路，用于根據(jù)所述終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換；所述輸入匹配電路。海南低頻射頻功率放大器定制

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