較小的線圈自感和較大的寄生電容會額外影響變壓器的輸入輸出阻抗，需要增加或調(diào)節(jié)輸入輸出的匹配電容來調(diào)節(jié)阻抗，進(jìn)而產(chǎn)生額外的阻抗變換)，這會影響變壓器有效的阻抗變化比和轉(zhuǎn)換后的阻抗相位，也會降低能量傳輸效率。在本發(fā)明實施例中，增加輔次級線圈，可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數(shù)k值較小對阻抗變換的影響。根據(jù)初級線圈和主次級線圈的k值等參數(shù)，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計，能夠進(jìn)一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。本發(fā)明實施例還提供了一種通信設(shè)備，包括上述任一實施例所提供的射頻功率放大器。通信設(shè)備中還可以存在其他模塊，例如基帶芯片、天線電路等，上述的其他模塊均可以采用現(xiàn)有技術(shù)中已有的模塊，本發(fā)明實施例不做贅述。雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。功率放大器有GAN,LDMOS初期主要面向移動電話基站、雷達(dá)，應(yīng)用于無線電廣播傳輸器以及微波雷達(dá)與導(dǎo)航系統(tǒng)。廣西U段射頻功率放大器報價
AB類放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領(lǐng)域的需求，也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測試標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類放大器為了線性度與B類放大器相比了一點效率，但相比A類放大器則具有高效率（理論上可達(dá)60%到65%）。AB類放大器的優(yōu)點：與A類放大器相比，功率效率提高。AB類放大器的設(shè)計可以使用比A類更少的器件，對于相同的功率等級和頻率范圍，體積更小，價格更便宜。使用風(fēng)冷，比A類放大器的冷卻器要輕。AB類放大器的缺點：產(chǎn)生的諧波需要注意具體產(chǎn)品給出的指標(biāo)，尤其是二次諧波，AB類放大器可以通過仔細(xì)調(diào)整偏置的設(shè)置和采用推挽拓補結(jié)構(gòu)將諧波明顯抑制。C類放大器C類放大器的晶體管偏置設(shè)置使得器件在小于輸入信號的半個周期內(nèi)導(dǎo)通，在沒有輸入信號時不消耗電源電流，因此效率很高，可高達(dá)90%左右。C類放大器在通常的商業(yè)EMC測試中很少使用，因為它們不能對連續(xù)波進(jìn)行放大。它們在窄帶、脈沖應(yīng)用中得到了應(yīng)用，比如汽車電子ISO11452-2中的雷達(dá)波測試，DO-160以及MIL-464中的HIRF高脈沖場強測試等。C類放大器的工作原理圖如圖6所示。圖6：C類放大器的工作原理圖C類放大器相當(dāng)于工作在飽和狀態(tài)而不是線性區(qū)，也就是輸入如果是正弦信號。天津高頻射頻功率放大器檢測技術(shù)微波功率放大器(PA)是微波通信系統(tǒng)、廣播電視發(fā)射、雷達(dá)、導(dǎo)航系統(tǒng)的部件之一。
寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級聯(lián)lc匹配實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是諧波性能好，可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點插損較大。在本發(fā)明實施例中，通過增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數(shù)k值較小對阻抗變換的影響。根據(jù)初級線圈和主次級線圈的k值等參數(shù)，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計，能夠進(jìn)一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。為使本發(fā)明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。本發(fā)明實施例提供了一種射頻功率放大器，參照圖1。在本發(fā)明實施例中，射頻功率放大器可以包括：功率放大單元(powercell)、功率合成變壓器以及匹配濾波電路。在具體實施率放大單元可以包括兩個輸入端以及兩個輸出端。
以對輸入至功率合成變壓器的信號進(jìn)行對應(yīng)的匹配濾波處理。在具體實施中，子濾波電路可以包括電容c1，電容c1的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸入端耦接，第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，為提高諧波濾波性能，子濾波電路還可以包括電感l(wèi)1，電感l(wèi)1可以設(shè)置電容c1的第二端與地之間。參照圖2，給出了本發(fā)明實施例中的另一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。圖2中，子濾波電路包括電感l(wèi)1以及電容c1，電感l(wèi)1串聯(lián)在電容c1的第二端與地之間。在具體實施中，第二子濾波電路可以包括第二電容c2，第二電容c2的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸入端耦接，第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，為提高諧波濾波性能，第二子濾波電路還可以包括第二電感l(wèi)2，第二電感l(wèi)2可以設(shè)置第二電容c2的第二端與地之間。繼續(xù)參照圖2，第二子濾波電路包括第二電感l(wèi)2以及第二電容c2，第二電感l(wèi)2串聯(lián)在第二電容c2的第二端與地之間。在具體實施中，串聯(lián)電感的到地電容和該電感的諧振頻率可以在功率放大單元的二次諧波頻率附近。也就是說，當(dāng)子濾波電路包括電容c1以及電感l(wèi)1時，電容c1與電感l(wèi)1的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。相應(yīng)地。寬帶放大器是指上限工作頻率與下限工作頻率之比甚大于1的放大電路。
LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調(diào)電平到飽和區(qū)，不像雙極型晶體管那樣互調(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變化，這種主要特性因此允許LDMOS晶體管執(zhí)行高于雙極型晶體管的功率，且線性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系數(shù)是負(fù)數(shù)，因此可以防止熱耗散的影響。由于以上這些特點，LDMOS特別適用于UHF和較低的頻率，晶體管的源極與襯底底部相連并直接接地，消除了產(chǎn)生負(fù)反饋和降低增益的鍵合線的電感的影響，因此是一個非常穩(wěn)定的放大器。LDMOS具有的高擊穿電壓和與其它器件相比的較低的成本使得LDMOS成為在900MHz和2GHz的高功率基站發(fā)射機中的優(yōu)先。LDMOS晶體管也被應(yīng)用于在80MHz到1GHz的頻率范圍內(nèi)的許多EMC功率放大器中。在GHz輸出功率超過100W的LDMOS器件已經(jīng)存在，半導(dǎo)體制造商正在開發(fā)頻率范圍更高的，可工作在GHz及以上的高功率LDMOS器件。砷化鎵金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（GaAsMESFET）砷化鎵（galliumarsenide），化學(xué)式GaAs，是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬于Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，具有高電子遷移率(是硅的5到6倍)，寬的禁帶寬度（硅是），噪聲低等特點，GaAs比同樣的Si元件更適合工作在高頻高功率的場合。隨著無線通信/雷達(dá)通信系統(tǒng)的發(fā)展對固態(tài)功率放大器提出了新的要求：大功率輸出、高效率、高線性度、高頻率.山東EMC射頻功率放大器哪家好
射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。廣西U段射頻功率放大器報價
圖1：某型號60WGaAsFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)這款晶體管放大器可以提供EMC領(lǐng)域的基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-3和IEC61000-4-6所強調(diào)的很好的線性度，如圖2所示。圖2：某晶體管的輸入輸出線性度這個晶體管可以在工作頻率范圍內(nèi)提供所需的功率，它的輸出功率與頻率的關(guān)系如圖3所示。圖3：某晶體管的輸出功率與頻率的關(guān)系3.射頻微波功率晶體管采用的半導(dǎo)體材料的類型在用于EMC領(lǐng)域的功率放大器中會用到不同種類的晶體管，下面對典型的晶體管及其工作特性進(jìn)行簡單介紹，由于不同種類的半導(dǎo)體材料具有不同的特性，功率放大器的設(shè)計者需要根據(jù)實際需求進(jìn)行選擇和設(shè)計。在射頻微波功率放大器中采用的半導(dǎo)體材料主要包括以下幾種。雙極結(jié)型晶體管（BJT）雙極性結(jié)型晶體管（bipolarjunctiontransistor,BJT）就是我們通常說的三極管，是一種具有三個端子的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴散作用和漂移運動。這種晶體管的工作，同時涉及電子和空穴兩種載流子的流動，因此它被稱為雙極性的，所以也稱雙極性載流子晶體管。常見的有鍺晶體管和硅晶體管，可采用電流控制，在一定范圍內(nèi)，雙極性晶體管具有近似線性的特征。廣西U段射頻功率放大器報價
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