河北優(yōu)勢射頻功率放大器供應(yīng)商

來源: 發(fā)布時間:2022-09-15

   Avago開發(fā)出豐富的產(chǎn)品和受知識產(chǎn)權(quán)保護的產(chǎn)品組合,這些成就使Avago能夠在所服務(wù)的市場中脫穎而出,并占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位。在WiFi產(chǎn)品設(shè)計中,Avago的PA市場份額相對較少。PartNumberFrequency(GHz)BiasConditionGainPSAT(dBm)MGA-220035V@500mA3532MGA-252035V@425mA3030顯而易見,MGA-22003適用于,MGA25203適用于5GHz頻段。筆者在幾年前曾經(jīng)使用AtherosAR9280+MGA25203設(shè)計過一款5GHz中等功率無線網(wǎng)卡,測試發(fā)現(xiàn)MGA25203的性能還是相當不錯的,正如其Datasheet中所描述的一樣。EPICOMEPICOM是由企業(yè)及創(chuàng)司集資,結(jié)合研發(fā)團隊,致力于設(shè)計、開發(fā)、整合無線通訊射頻前端組件與模塊,協(xié)助系統(tǒng)廠商獲得競爭力的無線射頻前端解決方案。EPICOM為無自有晶圓廠的無線通訊集成電路與射頻前端模塊設(shè)計公司(FablessIC&RFFront-endModuleDesignHouse)。EPICOM已順利取得SGS核發(fā)的ISO9001:2000生產(chǎn)管理、銷售與研發(fā)設(shè)計認證。PartNumberFrequencyGainOutputPowerEPA2414A–253%EVMatPout=+18dBmEPA2018A–333%EVMatPout=+26dBmPA53053%EVMatPout=+14dBm本文*給出EPICOM的**高規(guī)格WiFiPAEPA2018A的性能指標,如下圖。HittiteHittiteMicrowave面向技術(shù)要求嚴苛的射頻。根據(jù)晶體管的增益斜率和放大器增益要求,確定待綜合匹配網(wǎng)絡(luò)的衰減斜 率、波紋、帶寬,并導(dǎo)出其衰減函數(shù)。河北優(yōu)勢射頻功率放大器供應(yīng)商

   本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設(shè)備。背景技術(shù):在無線通信中,用戶設(shè)備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動通信(lte)中,用戶設(shè)備需要支持40多個工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier,pa)的性能會隨著工作頻率變化,難以實現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb,663mhz~915mhz),中頻段(mb,1710mhz~2025mhz),高頻段(hb,2300mhz~2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個pa,每個功率放大器支持一個頻段,需要三個寬帶pa。尤其是lb的相對頻率帶寬,pa很難在整個頻段內(nèi)實現(xiàn)高線性和高效率,在設(shè)計的過程中會存在線性度和效率和折中處理,同時頻段內(nèi)的不同頻點的性能也不同。無線通信對發(fā)射頻譜的雜散有嚴格的要求。當pa后連接的濾波器對諧波抑制較少因此要求pa的輸出諧波也較低。pa的匹配路同時要具有濾波性能。部分高集成的射頻前端芯片(如2g前端模組,nbiot前端模組),要求pa的匹配濾波電路同時具有很高的諧波抑制性能,因此不需要再在pa后增加濾波器。設(shè)計一種寬帶功率放大器,在功率頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)一致且良好的性能,成為寬帶pa的設(shè)計的重點和難點。江蘇線性射頻功率放大器批發(fā)微波固態(tài)功率放大器的電路設(shè)計應(yīng)盡可能合理簡化。

   寬帶pa通常采用cllc、lccl、兩級或多級lc匹配。cllc結(jié)構(gòu),采用串聯(lián)電容到地電感級聯(lián)串聯(lián)電感到地電容;lccl采用串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)串聯(lián)電容到地電感。這兩種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是結(jié)構(gòu)較簡單,插損較??;缺點是寬帶性能一致性不好,在不同的頻率性能不一致,而且諧波性能差。兩級或多級lc結(jié)構(gòu),采用兩級或多級串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)在一起。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是諧波性能好,可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換;缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中,高頻點插損較大。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是結(jié)構(gòu)相對簡單,缺點是難以實現(xiàn)寬帶功率放大器,寬帶性能一致性差,諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級聯(lián)lc匹配實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,采用變壓器及其輸入輸出匹配電容,輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是諧波性能好,可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換;缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中,高頻點插損較大。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明實施例解決的是如何實現(xiàn)射頻功率放大器在較寬的頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)一致性的同時,具有較好的諧波性能和工作效率。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實施例提供一種射頻功率放大器。

PA)用量翻倍增長:PA是一部手機關(guān)鍵的器件之一,它直接決定了手機無線通信的距離、信號質(zhì)量,甚至待機時間,是整個射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。手機里面PA的數(shù)量隨著2G、3G、4G、5G逐漸增加。以PA模組為例,4G多模多頻手機所需的PA芯片為5-7顆,預(yù)測5G手機內(nèi)的PA芯片將達到16顆之多。5G手機功率放大器(PA)單機價值量有望達到:同時,PA的單價也有提高,2G手機用PA平均單價為,3G手機用PA上升到,而全模4G手機PA的消耗則高達,預(yù)計5G手機PA價值量達到。載波聚合與MassivieMIMO對PA的要求大幅增加。一般情況下,2G只需非常簡單的發(fā)射模塊,3G需要有3G的功率放大器,4G要求更多濾波器和雙工器載波器,載波聚合則需要有與前端配合的多工器,上行載波器的功率放大器又必須重新設(shè)計來滿足線性化的要求。5G無線通信前端將用到幾十甚至上百個通道,要求網(wǎng)絡(luò)設(shè)備或者器件供應(yīng)商能夠提供全集成化的解決方案,這增加了產(chǎn)品設(shè)計的復(fù)雜度,無論對器件解決方案還是設(shè)備解決方案提供商都提出了很大技術(shù)挑戰(zhàn)。GaAs射頻器件仍將主導(dǎo)手機市場5G時代,GaAs材料適用于移動終端。GaAs材料的電子遷移率是Si的6倍,具有直接帶隙,故其器件相對Si器件具有高頻、高速的性能。輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它的增益平坦度并不一定滿足技術(shù)指標的要求。

   1.射頻微波功率放大器及其應(yīng)用放大器是用來以更大的功率、更大的電流,更大的電壓再現(xiàn)信號的部件。在信號處理過程中不可或缺的放大器,既可以做成用在助聽器里的微晶片,也可以做成像多層建筑那么大以便向水下潛艇或外層空間傳輸無線電信號。功率放大器可以被認為是將直流(DC)輸入轉(zhuǎn)換成射頻和微波能量的電路。不是在電磁兼容領(lǐng)域需要在射頻和微波頻率上產(chǎn)生足夠的功率,在無線通信、雷達和雷達干擾,醫(yī)療功率發(fā)射機和高能成像系統(tǒng)等領(lǐng)域都需要,每種應(yīng)用領(lǐng)域都有它對頻率、帶寬、負載、功率、效率和成本的獨特要求。射頻和微波功率可以利用不同的技術(shù)和不同的器件來產(chǎn)生。本文著重介紹在EMC應(yīng)用中普遍使用的固態(tài)射頻功率放大器技術(shù),這種固態(tài)放大器的頻率可以達到6GHz甚至更高,采用了A類,AB類、B類或C類放大器的拓撲結(jié)構(gòu)。2.射頻微波功率晶體管概述隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進步,可用于RF功率放大器的器件和種類越來越多。各種封裝器件被普遍采用,圖1顯示了一個典型的蓋子被移除的晶體管。這是一個大功率為60W的采用了GaAsFET的平衡微波晶體管,適合推挽式的AB類放大器使用。在所有微波發(fā)射系統(tǒng)中,都需要功率放大器將信號放大到足夠的功 率電平,以實現(xiàn)信號的發(fā)射。安徽高頻射頻功率放大器電話多少

射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分,其重要性不言而喻。河北優(yōu)勢射頻功率放大器供應(yīng)商

   較小的線圈自感和較大的寄生電容會額外影響變壓器的輸入輸出阻抗,需要增加或調(diào)節(jié)輸入輸出的匹配電容來調(diào)節(jié)阻抗,進而產(chǎn)生額外的阻抗變換),這會影響變壓器有效的阻抗變化比和轉(zhuǎn)換后的阻抗相位,也會降低能量傳輸效率。在本發(fā)明實施例中,增加輔次級線圈,可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑,減小耦合系數(shù)k值較小對阻抗變換的影響。根據(jù)初級線圈和主次級線圈的k值等參數(shù),選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍,降低功率合成變壓器損耗。此外,將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計,能夠進一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。本發(fā)明實施例還提供了一種通信設(shè)備,包括上述任一實施例所提供的射頻功率放大器。通信設(shè)備中還可以存在其他模塊,例如基帶芯片、天線電路等,上述的其他模塊均可以采用現(xiàn)有技術(shù)中已有的模塊,本發(fā)明實施例不做贅述。雖然本發(fā)明披露如上,但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動與修改,因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。河北優(yōu)勢射頻功率放大器供應(yīng)商

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