當射頻功率放大器電路處于非負增益模式時，可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，需要減少對射頻功率傳導的影響，在應用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當射頻功率放大器電路處于負增益模式時，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，一部分射頻傳導能量進入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導能量進入功率放大器進行放大(在加強了負反饋的電路基礎上，再放大衰減后的射頻信號)。本申請實施例中的可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時，整個電路的衰減程度可達到-10db左右。可以理解為，比原來從rfin端進入電路的輸入信號，已經(jīng)衰減了10db。從整體電路的增益特性看，若原來的已經(jīng)加強負反饋的放大器的增益是0db，那么現(xiàn)在功率放大器的增益就是-10db了。整個電路的負增益由三部分完成：(1)fet的偏置電路向降壓降流切換；(2)射頻功率放大器電路驅動級的反饋電路向反饋增強切換；(3)輸入匹配中可控衰減電路的接地開關打開。其中(1)(2)同時滿足時，從設計看整體電路增益低實現(xiàn)0db左右。再加入措施(3)，電路可再多衰減10db左右。即滿足負增益放大。圖2a中的可控衰減電路的結構如圖3所示，可控衰減電路包括：串聯(lián)電感l(wèi)和并聯(lián)到地的電阻r和開關sw1。射頻功率放大器包括A類、AB類、B類和c類等，開關放大 器包括D類、E類和F類等。河北射頻功率放大器效能
將射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與預設的配置狀態(tài)電阻值作比較，可以得知此時射頻功率放大器是否已完成配置。104、所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器。例如，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值，此時射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值不相同，則表示此射頻功率放大器還沒有開啟，移動終端開啟此射頻功率放大器。其中，射頻功率放大器的開啟與關閉由處理器控制。105、所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。例如，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值，此時射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值相同，則表示射頻功率放大器配置完成。為了更好地實施以上方法，本申請實施例還可以提供一種移動終端射頻功率放大器檢測裝置，該裝置具體可以集成在網(wǎng)絡設備中，該網(wǎng)絡設備可以是移動終端等設備。例如，如圖3所示，該裝置可以包括預設單元301、計算單元302、比較單元303，如下：(1)預設單元301預設單元301，用于預設射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。例如。安徽EMC射頻功率放大器價格射頻功率放大器一般都采用選頻網(wǎng)絡作為負載回路。
因為設計的可控衰減電路中電感的品質因數(shù)q較低，因此頻選特性不明顯，頻率響應帶寬較寬，帶來的射頻信號的插入損耗相對較小。負增益模式下的回波損耗和頻率響應帶寬也能滿足要求。假設fh為上限頻率，fl為下限頻率，fo為中心頻率；且有：fh＝900mhz，fl＝600mhz，fo＝800mhz，回波損耗大于15db，頻率響應的帶寬可達到300mhz以上，相對帶寬可達到(fh-fl)/fo＝(900-600)/800＝％。下面再提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結構，如圖5b所示，在該結構中的可控衰減電路的電阻r1可以變?yōu)殚_關sw2，增強了對射頻輸入端口rfin的esd保護能力。本申請實施例提供的技術方案的有益效果在于：通過在信號的輸入端設計可控衰減電路，在實現(xiàn)功率放大器增益負增益的同時，對高增益模式性能的影響很小，并且加強了對rfin端口的esd保護。該電路結構簡潔，對芯片面積占用小，能降低硬件成本。在本申請實施例提供的射頻功率放大器電路中，反饋電路中可以用于切換的電阻有多種，例如當射頻功率放大器電路需要實現(xiàn)三檔增益模式：高增益30db左右，低增益15db左右，負增益-10db左右。此時，反饋電路如圖6所示，c51、c52、c53和c54是1pf～2pf范圍的電容。電阻r53大于r51大于r52。
5G時代，智能手機將采用2發(fā)射4接收方案，未來有望演進為8接收方案。功率放大器（PA）是一部手機關鍵的器件之一，它直接決定了手機無線通信的距離、信號質量，甚至待機時間，是整個射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動智能移動終端、基站端及IOT設備射頻PA穩(wěn)健增長。功率放大器市場增長相對穩(wěn)健，復合年增長率為7%，將從2017年的50億美元增長到2023年的70億美元。LTE功率放大器市場的增長，尤其是高頻和超高頻，將彌補2G/3G市場的萎縮。15G智能移動終端，射頻PA的大機遇5G推動手機射頻PA量價齊升無論是在基站端還是設備終端，5G給供應商帶來的挑戰(zhàn)都首先體現(xiàn)在射頻方面，因為這是設備“上”網(wǎng)的關鍵出入口，即將到來的5G手機將會面臨更多頻段的支持、不同的調制方向、信號路由的選擇、開關速度的變化等多方面的技術挑戰(zhàn)外，也會帶來相應市場機遇。5G將給天線數(shù)量、射頻前端模塊價值量帶來翻倍增長。以5G手機為例，單部手機的射頻半導體用量達到25美金，相比4G手機近乎翻倍增長。其中濾波器從40個增加至70個，頻帶從15個增加至30個，接收機發(fā)射機濾波器從30個增加至75個，射頻開關從10個增加至30個，載波聚合從5個增加至200個。5G手機功率放大器。微波固態(tài)功率放大器的工作狀態(tài)主要由功率、效率、失真及被放大信號的性 質等要求來確定。
微控制器控制第五一開關導通、第五二開關關斷，此時可實現(xiàn)低增益；微控制器控制第五一開關和第五二開關均導通，此時反饋電路的等效電阻小，可實現(xiàn)負增益。在一些實施例中，當射頻放大器電路的高增益為30db左右，低增益為15db左右，負增益為-10db左右時，可設置第五三電阻的阻值為5kω，第五一電阻的電阻為1kω，第五二電阻的電阻為100ω。需要說明的是，本實施例對反饋電路的具體形式不做限定?？梢?，通過控制反饋電路中第二開關的通斷，可以改變射頻功率放大器電路的增益大小，實現(xiàn)增益的大范圍調節(jié)。在一個可能的示例中，級間匹配電路104包括：第三電感l(wèi)3、第七電容c7和第八電容c8，其中：第三電感的端連接第三mos管的漏級，第三電感的第二端連接第二電壓信號和第七電容的一端，第七電容的端連接第二電壓信號，第七電容的第二端接地，第八電容的端連接第三mos管的漏級。其中，第二電壓信號為vcc。在本申請實施例中，考慮到級間匹配電路的復雜性，將級間匹配電路簡化為用第三電感、第七電容和第八電容表示。在一個可能的示例率放大電路105包括：第四mos管t4、第五mos管t5和第九電容c9，其中：第四mos管的柵級與第八電容的第二端連接。寬帶放大器是指上限工作頻率與下限工作頻率之比甚大于1的放大電路。福建有什么射頻功率放大器技術
在通信和雷達系統(tǒng)率放大器是極其重要的組成部分主要參數(shù)有最大輸出功率、效率、線性度和增益等。河北射頻功率放大器效能
nmos管mn07的漏極和nmos管mn08的漏極分別連接第三變壓器t03的原邊。在第二主體電路率放大器中源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第四變壓器的原邊。如圖3所示，nmos管mn13的柵極、nmos管mn14的柵極為功率放大器的輸入端，nmos管mn13的柵極、nmos管mn14的柵極與激勵放大器的輸出端連接。nmos管mn15的漏極和nmos管mn16的漏極分別連接第四變壓器t04的原邊。nmos管mn05的源極、nmos管mn06的源極接地，nmos管mn13的源極、nmos管mn14的源極接地。nmos管mn07的柵極和nmos管mn08的柵極通過電容c06和電感l(wèi)02接地，nmos管mn15的柵極和nmos管mn16的柵極通過電容c13和電感l(wèi)05接地。第三變壓器t02原邊的中端通過電感l(wèi)03接電源電壓vdd，第三變壓器t02原邊的中端還連接接地電容c08。第四變壓器t04原邊的中端通過電感l(wèi)06接電源電壓vdd，第四變壓器t04原邊的中端還連接接地電容c15。本申請實施例提供的高線性射頻功率放大器，通過自適應動態(tài)偏置電路和兩個主體電路，不提高了射頻功率放大器的線性度，還提高了射頻功率放大器的輸出功率。圖4示例性地示出了本申請實施例提供的高線性射頻功率放大器中自適應動態(tài)偏置電路對應的偏置電壓曲線圖。河北射頻功率放大器效能