本申請涉及射頻處理技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。背景技術(shù):通話是移動終端的為基本的功能之一,射頻功率放大器(rfpa)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分,其重要性不言而喻。在發(fā)射機的前級電路中,調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小,需要經(jīng)過一系列的放大(緩沖級、中間放大級、末級功率放大級)獲得足夠的射頻功率以后,才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率,必須采用射頻功率放大器。在調(diào)制器產(chǎn)生射頻信號后,射頻已調(diào)信號就由射頻放大器將它放大到足夠功率,經(jīng)匹配網(wǎng)絡(luò),再由天線發(fā)射出去。由于現(xiàn)有技術(shù)中的所支持的射頻頻段眾多,每個頻段所使用的射頻功率放大器配置可能有所差異,雖然由移動終端的軟件寫入了相關(guān)的配置指令,由于指令發(fā)出總是存在先后關(guān)系,在現(xiàn)有技術(shù)中往往需要在配置頻段時在所有射頻功率放大器啟動指令發(fā)出后再延遲一個時間(例如)認為已經(jīng)配置完成,再進行下一步操作。例如,在第,此時需要向4個依次射頻功率放大器發(fā)出啟動指令,然后等待,開始下一步操作,但其實這個,很可能在。因此,現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷,有待改進與發(fā)展。技術(shù)實現(xiàn)要素:本申請實施例提供一種移動終端射頻功率放大器檢測方法。射頻功率放大器地用于多種有線和無線應(yīng)用中,包括 CATV,ISM,WLL,PCS,GSM,CDMA 和 WCDMA 等各種頻段。羅湖區(qū)X波段射頻功率放大器
且串聯(lián)電感的個數(shù)比到地電容的個數(shù)多1。在具體實施中,當lc匹配電路為兩階匹配濾波電路時,參照圖4,給出了本發(fā)明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。圖4中,lc匹配濾波電路包括第四電感l(wèi)4以及第四電容c4,其中:第四電感l(wèi)4的端與主次級線圈121的第二端耦接,第四電感l(wèi)4的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接;第四電容c4的端與第四電感l(wèi)4的第二端耦接,第四電容c4的第二端接地。參照圖5,給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖4相比,圖5中,lc匹配濾波電路還包括第五電感l(wèi)5以及第六電感l(wèi)6,其中:第五電感l(wèi)5串聯(lián)在第四電容c4的第二端與地之間,第六電感l(wèi)6串聯(lián)在第四電容c4的端與射頻功率放大器的輸出端output之間。參照圖6,給出了本發(fā)明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖5相比,lc匹配濾波電路還可以包括第五電容c5、第七電感l(wèi)7以及第八電感l(wèi)8,其中:第五電容c5的端與第六電感l(wèi)6的第二端耦接,第五電容c5的第二端與第七電感l(wèi)7的端耦接;第七電感l(wèi)7的端與第五電容c5的第二端耦接,第七電感l(wèi)7的第二端接地;第八電感l(wèi)8的端與第五電容c5的端耦接,第八電感l(wèi)8的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接。羅湖區(qū)X波段射頻功率放大器輸入/輸出駐波表示放大器輸入端阻抗和輸出端阻抗與系統(tǒng)要求阻抗(50Q)的 匹配程度。
主次級線圈121的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接;輔次級線圈122的端與主次級線圈121的第二端耦接,輔次級線圈122的第二端與匹配濾波電路中的輸出端匹配濾波電路耦接。也就是說,在本發(fā)明實施例中,次級線圈由主次級線圈121以及輔次級線圈122組成,輔次級線圈122可以與輸出端匹配濾波電路組成功率合成的功能。在具體實施中,匹配濾波電路可以包括輸入端匹配濾波電路以及輸出端匹配濾波電路。輸入端匹配濾波電路可以與功率合成變壓器的輸入端、功率放大單元的輸出端耦接,以及與功率合成變壓器的第二輸入端、功率放大單元的第二輸出端耦接。輸出端匹配濾波電路可以串聯(lián)在輔次級線圈122的第二端與地之間。在具體實施中,輸入端匹配濾波電路可以包括子濾波電路以及第二子濾波電路,其中:子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸出端耦接,子濾波電路的第二端可以接地;第二子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸出端耦接,第二子濾波電路的第二端可以接地。也就是說,在本發(fā)明實施例中,在功率合成變壓器的輸入端以及功率合成變壓器的第二輸入端可以均設(shè)置有對應(yīng)的濾波電路。
主要廠商有美國Skyworks、Qorvo、Broadcom,日本村田等。三家合計占有全球66%的份額,Skyworks和Qorvo更是處于全球遙遙的位置。2017年GaAs晶圓代工市場,中國臺灣穩(wěn)懋(WinSemi)獨占全球,是全球大GaAs晶圓代工廠。5G設(shè)備射頻前端模組化趨勢明顯,SIP大有可為5G將重新定義射頻(RF)前端在網(wǎng)絡(luò)和調(diào)制解調(diào)器之間的交互。新的RF頻段(如3GPP在R15中所定義的sub-6GHz和毫米波(mm-wave)給產(chǎn)業(yè)界帶來了巨大挑戰(zhàn)。LTE的發(fā)展,尤其是載波聚合技術(shù)的應(yīng)用,導(dǎo)致當今智能手機中的復(fù)雜架構(gòu)。同時,RF電路板和可用天線空間減少帶來的密集化趨勢,使越來越多的手持設(shè)備OEM廠商采用功率放大器模塊并應(yīng)用新技術(shù),如LTE和WiFi之間的天線共享。在低頻頻段,所包含的600MHz頻段將為低頻段天線設(shè)計和天線調(diào)諧器帶來新的挑戰(zhàn)。隨著新的超高頻率(N77、N78、N79)無線電頻段發(fā)布,5G將帶來更高的復(fù)雜性。具有雙連接的頻段重新分配(早期頻段包括N41、N71、N28和N66,未來還有更多),也將增加對前端的限制。毫米波頻譜中的5GNR無法提供5G關(guān)鍵USP的多千兆位速度,因此需要在前端模組中具有更高密度,以實現(xiàn)新頻段集成。5G手機需要4X4MIMO應(yīng)用,這將在手機中增加大量RF流。結(jié)合載波聚合要求。根據(jù)晶體管的增益斜率和放大器增益要求,確定待綜合匹配網(wǎng)絡(luò)的衰減斜 率、波紋、帶寬,并導(dǎo)出其衰減函數(shù)。
P/NBANDGainLinearPowerIccVccVerfAP11102685A***129431/3219/22145/215A***10583423/25300/480APEPM24263323/26335/465EPM24283424/28468/668AP30152920/23280/NA3AP3015P2915/18340/390AP3015M2917/18210/170AP5估計大部分國內(nèi)的讀者沒有用過RFIC的芯片,筆者也只是看到一些國外的產(chǎn)品在用。沒有Datasheet,也沒有BriefIntroduction,只能從官網(wǎng)上了解到部分數(shù)據(jù),其中EPM2428是**高的型號,其典型參數(shù)為:64QAM情況下可達28dBm@EVM=3%11b情況下可達32dBm,滿足頻譜模板效率可達20%@28dBm增益可達34dB片上輸入/輸出匹配RFMDRFMD(與TriQuint合并以后稱為Qorvo,但筆者還是喜歡稱之為RFMD,Qrovo實在是太拗口了)作為一家老牌的射頻器件廠商,相信有些讀者比我更了解,但筆者還是決定對RFMD做個簡單介紹;RFMicroDevices公司(簡稱RFMD)是全球的高性能射頻元件和化合物半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)計和制造商。RFMD的產(chǎn)品可用于蜂窩手機,無線基礎(chǔ)設(shè)施,無線局域網(wǎng)絡(luò)(WLAN),CATV/寬頻及航空航天和**市場,提供增強的連接性,并支持先進的功能。RFMD憑借其多樣化的半導(dǎo)體技術(shù)以及RF系統(tǒng)專業(yè)技能,成為世界的移動設(shè)備,客戶端和通訊設(shè)備制造商的優(yōu)先供應(yīng)商。微波固態(tài)功率放大器的電路設(shè)計應(yīng)盡可能合理簡化。韶關(guān)定制開發(fā)射頻功率放大器
諧波抑制,功率放大器的非線性特性使輸出包含基波信號同時在各項諧波幅度大小與信號大小呈一定的比例關(guān)系。羅湖區(qū)X波段射頻功率放大器
自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸入端通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接射頻輸入端;自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器源放大器的柵極和共柵放大器的柵極??蛇x的,在自適應(yīng)動態(tài)偏置電路中,nmos管的柵極為自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸入端,nmos管的漏極連接pmos管的源極,nmos管的源極接地;第二nmos管的漏極與第二pmos管的漏極連接,第二nmos管的源極接地,第二pmos管的源極接電源電壓,第二nmos管的柵極與第二pmos管的柵極連接后與nmos管的漏極連接;第三nmos管的漏極與第三pmos管的漏極連接,第三nmos管的源極接地,第三pmos管的源極接電源電壓,第三nmos管的柵極與漏極連接,第三pmos管的柵極和漏極連接;第二nmos管的漏極與第二pmos管的漏極的公共端記為連接點,第三nmos管的漏極與第三pmos管的漏極的公共端記為第二連接點,連接點與第二連接點連接,第二連接點通過電阻接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端,輸出端用于為功率放大器源放大器的柵極提供偏置電壓;第四nmos管的漏極與第四pmos管的漏極連接后與pmos管的柵極連接,第四nmos管的源極接地,第四pmos管的源極接電源電壓,第四nmos管的柵極和第四pmos管的柵極連接后與nmos管的漏極連接。羅湖區(qū)X波段射頻功率放大器
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