云南線性射頻功率放大器值得推薦

來源: 發(fā)布時間:2022-06-08

    nmos管mn14和nmos管mn16構成一個共源共柵放大器。在每個主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端,功率放大器柵放大器的柵極連接自適應動態(tài)偏置電路的第二輸出端。如圖3所示,nmos管mn05的柵極通過電阻r03連接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa,nmos管mn06的柵極通過電阻r04連接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa;nmos管mn13的柵極通過電阻r08連接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa,nmos管mn14的柵極通過電阻r09連接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa。如圖3所示,nmos管mn07的柵極通過電阻r05連接自適應動態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa,nmos管mn08的柵極通過電阻r05連接自適應動態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa;nmos管mn15的柵極通過電阻r10連接自適應動態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa,nmos管mn16的柵極通過電阻r10連接自適應動態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa。在主體電路率放大器源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接,功率放大器柵放大器的漏極連接第三變壓器的原邊。如圖3所示,nmos管mn05的柵極、nmos管mn06的柵極為功率放大器的輸入端,nmos管mn05的柵極、nmos管mn06的柵極與激勵放大器的輸出端連接。射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。云南線性射頻功率放大器值得推薦

    當?shù)诙訛V波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2時,第二電容c2與第二電感l(wèi)2的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。因此,在具體應用中,可以根據(jù)功率放大單元的二次諧波頻率,選擇相應電容值的電容c1以及相應電感值的電感l(wèi)1,以實現(xiàn)諧振頻率的匹配;和/或,選擇相應電容值的第二電容c2以及相應電感值的第二電感l(wèi)2,以實現(xiàn)諧振頻率的匹配。在具體實施中,電容c1可以是片上可調(diào)節(jié)的可調(diào)電容,通過調(diào)節(jié)電容c1的電容值,能夠進一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。相應地,第二電容c2也可以是片上可調(diào)節(jié)的可調(diào)電容,通過調(diào)節(jié)第二電容c2的電容值,能夠進一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。在圖1與圖2中,子濾波電路的結構與第二子濾波電路的結構相同。可以理解的是,子濾波電路的結構也可以與第二子濾波電路的結構不同。例如,子濾波電路包括電容c1,第二子濾波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2。又如,子濾波電路包括電容c1以及電感l(wèi)1,第二子濾波電路包括第二電容c2。在具體實施中,輸入端匹配濾波電路還可以包括寄生電容,寄生電容可以耦接在功率放大單元的輸出端與功率放大單元的第二輸出端之間。在具體實施中,輸出端匹配濾波電路可以包括第三子濾波電路。天津自動化射頻功率放大器設計穩(wěn)定性是指放大器在環(huán)境(如溫度、信號頻率、源及負載等)變化比較大的情況 下依1日保持正常工作特性的能力。

    主次級線圈121的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接;輔次級線圈122的端與主次級線圈121的第二端耦接,輔次級線圈122的第二端與匹配濾波電路中的輸出端匹配濾波電路耦接。也就是說,在本發(fā)明實施例中,次級線圈由主次級線圈121以及輔次級線圈122組成,輔次級線圈122可以與輸出端匹配濾波電路組成功率合成的功能。在具體實施中,匹配濾波電路可以包括輸入端匹配濾波電路以及輸出端匹配濾波電路。輸入端匹配濾波電路可以與功率合成變壓器的輸入端、功率放大單元的輸出端耦接,以及與功率合成變壓器的第二輸入端、功率放大單元的第二輸出端耦接。輸出端匹配濾波電路可以串聯(lián)在輔次級線圈122的第二端與地之間。在具體實施中,輸入端匹配濾波電路可以包括子濾波電路以及第二子濾波電路,其中:子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸出端耦接,子濾波電路的第二端可以接地;第二子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸出端耦接,第二子濾波電路的第二端可以接地。也就是說,在本發(fā)明實施例中,在功率合成變壓器的輸入端以及功率合成變壓器的第二輸入端可以均設置有對應的濾波電路。

    LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調(diào)電平到飽和區(qū),不像雙極型晶體管那樣互調(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變化,這種主要特性因此允許LDMOS晶體管執(zhí)行高于雙極型晶體管的功率,且線性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系數(shù)是負數(shù),因此可以防止熱耗散的影響。由于以上這些特點,LDMOS特別適用于UHF和較低的頻率,晶體管的源極與襯底底部相連并直接接地,消除了產(chǎn)生負反饋和降低增益的鍵合線的電感的影響,因此是一個非常穩(wěn)定的放大器。LDMOS具有的高擊穿電壓和與其它器件相比的較低的成本使得LDMOS成為在900MHz和2GHz的高功率基站發(fā)射機中的優(yōu)先。LDMOS晶體管也被應用于在80MHz到1GHz的頻率范圍內(nèi)的許多EMC功率放大器中。在GHz輸出功率超過100W的LDMOS器件已經(jīng)存在,半導體制造商正在開發(fā)頻率范圍更高的,可工作在GHz及以上的高功率LDMOS器件。砷化鎵金屬半導體場效應晶體管(GaAsMESFET)砷化鎵(galliumarsenide),化學式GaAs,是一種重要的半導體材料。屬于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體,具有高電子遷移率(是硅的5到6倍),寬的禁帶寬度(硅是),噪聲低等特點,GaAs比同樣的Si元件更適合工作在高頻高功率的場合。射頻功率放大器包括A類、AB類、B類和c類等,開關放大 器包括D類、E類和F類等。

    實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負增益模式;其中,偏置電路與驅動放大電路連接,第二偏置電路與功率放大電路連接。其中,如圖7所示,偏置電路1020包括:第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、電流源ib、電壓源vg、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第二電容c2、第七電容c7、第十二電容c12、第十三電容c13。第二mos管的漏極電流偏置電路由電流源、第六mos管、第六電阻、第七電阻和第十二電容按照圖7所示連接而成。第六電阻、第七電阻和第十二電容組成的t型網(wǎng)絡,可以起到隔離輸入信號的作用。第二mos管的寬長比w/l是第六mos管的寬長比的c(c遠大于1)倍,因此第二mos管的漏極偏置電流近似為電流源的c倍,實現(xiàn)了電流放大。電流源存在多個可調(diào)節(jié)檔位,通過微處理器發(fā)出的第三控制信號和第四控制信號,控制電流源檔位的切換,可切換第二mos管的漏極電流,從而調(diào)節(jié)驅動放大電路的放大倍數(shù)。第三mos管t3的柵極電壓偏置電路由電壓源vg、第八電阻r8、第九電阻r9和第十三電容c13按照圖7所示連接而成。第八電阻、第九電阻和第十三電容組成的t型網(wǎng)絡,可起到隔離第三mos管柵極的射頻電壓擺幅的作用。電壓源存在多個可調(diào)節(jié)檔位。微波功率放大器工作處于非線性狀態(tài)放大過程中會產(chǎn)生的諧波分量,輸入、輸出匹配網(wǎng)絡除起到阻抗變換作用外。上海品質射頻功率放大器系列

由于微波固態(tài)功率放大器輸出功率較大,很小的功率泄漏都會對周圍電路的 工作產(chǎn)生較大影響。云南線性射頻功率放大器值得推薦

    第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接,第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中,第三子濾波電路可以包括第三電容c3;第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接,第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中,第三子濾波電路還可以包括第三電感l(wèi)3,第三電感l(wèi)3可以串聯(lián)在第三電容c3的第二端與地之間。參照圖3,給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖。與圖2相比較而言,圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l(wèi)3。通過增加第三電感l(wèi)3,可以進一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實施中,輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發(fā)明實施例中,第四子濾波電路的端可以與主次級線圈121的第二端耦接,第四子濾波電路的第二端可以與射頻功率放大器的輸出端output耦接。第四子濾波電路可以為lc匹配濾波電路,lc匹配濾波電路可以為兩階匹配濾波電路,也可以為多階匹配濾波電路。當lc匹配濾波電路為兩階匹配濾波電路時,其可以包括一個串聯(lián)電感以及一個到地電容;當lc匹配濾波電路為多階匹配濾波電路時,其可以包括兩個串聯(lián)電感或更多串聯(lián)電感和一個到地電容或更多個到地電容。云南線性射頻功率放大器值得推薦

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