江蘇低頻射頻功率放大器經(jīng)驗豐富

來源: 發(fā)布時間:2022-06-04

4G/5G基礎設施用RF半導體的市場規(guī)模將達到16億美元,其中,MIMOPA年復合增長率將達到135%,射頻前端模塊的年復合增長率將達到119%。預計未來5~10年,GaN將成為3W及以上RF功率應用的主流技術。根據(jù)Yole預測,2017年,全球GaN射頻市場規(guī)模約為,在3W以上(不含手機PA)的RF射頻市場的滲透率超過20%。GaN在基站、雷達和航空應用中,正逐步取代LDMOS。隨著數(shù)據(jù)通訊、更高運行頻率和帶寬的要求日益增長,GaN在基站和無線回程中的應用持續(xù)攀升。在未來的網(wǎng)絡設計中,針對載波聚合和大規(guī)模輸入輸出(MIMO)等新技術,GaN將憑借其高效率和高寬帶性能,相比現(xiàn)有的LDMOS處于更有利的位置。未來5~10年內(nèi),預計GaN將逐步取代LDMOS,并逐漸成為3W及以上RF功率應用的主流技術。而GaAs將憑借其得到市場驗證的可靠性和性價比,將確保其穩(wěn)定的市場份額。LDMOS的市場份額則會逐步下降,預測期內(nèi)將降至整體市場規(guī)模的15%左右。到2023年,GaNRF器件市場規(guī)模達到13億美元,約占3W以上的RF功率市場的45%。截止2018年底,整個RFGaN市場規(guī)模接近。未來大多數(shù)低于6GHz的宏網(wǎng)絡單元實施將使用GaN器件,無線基礎設施應用占比將進一步提高至近43%。RFGaN市場的發(fā)展方向GaN技術主要以IDM為主。AM失真,它與晶體管是否工作于飽和區(qū)密切相關。江蘇低頻射頻功率放大器經(jīng)驗豐富

    圖10為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖。具體實施方式對于窄帶物聯(lián)網(wǎng)(narrowbandinternetofthings,nb-iot)的終端(userequipment,ue)來說,射頻前端系統(tǒng)中的射頻功率放大器電路一般要求發(fā)射功率可調(diào),當射頻功率放大器電路之前射頻收發(fā)器的輸出動態(tài)范圍有限時,就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)。在廣域低功耗通信的應用場景中,對射頻功率放大器電路的增益可調(diào)要求變得更突出,其動態(tài)范圍要達到35~40db,并出現(xiàn)負增益的需求模式。例如,在窄帶物聯(lián)網(wǎng)通信對象之間距離近(nb-iot的終端距離基站很近)的情況下會出現(xiàn)負增益的需求。在應用中,一方面在射頻功率放大器的電路設計中,可以降低功率增益,在不過度影響原有電路匹配的前提下,通過增強驅(qū)動級晶體管的負反饋;另一方面,可以在輸入匹配電路中插入可控衰減電路的設計,這樣對功率放大器的性能影響較小,降低增益的效果明顯。下面介紹一種射頻功率放大器電路,是在高增益模式的電路基礎上,一般通過增強驅(qū)動級的負反饋來降低增益。圖1a為相關技術中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖,圖1b為圖1a的電路結(jié)構(gòu)示意圖,參見圖1a和圖1b,方案。湖北U段射頻功率放大器設計在所有微波發(fā)射系統(tǒng)中,都需要功率放大器將信號放大到足夠的功 率電平,以實現(xiàn)信號的發(fā)射。

    并對漏級供電電壓vcc進行控制,從而使偏置電路中漏級電流、柵級電壓變大,使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實施例提供的技術方案具有以下優(yōu)點:在信號的輸入端設計可變衰減電路,在實現(xiàn)射頻功率放大器電路負增益的同時,對非負增益模式下該電路性能的影響很小,并且加強了對輸入端口的靜電保護,電路結(jié)構(gòu)簡單,占用芯片面積小,能有效的降低硬件成本。本發(fā)明實施例還提供了一種增益控制方法,應用于上述實施例中的的射頻功率放大器電路,包括:終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后,確定射頻功率放大器電路的工作模式,并通過發(fā)送模式控制信號控制射頻功率放大器電路進入工作模式;可控衰減電路,根據(jù)終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號,實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換;輸入匹配電路,使可控衰減電路和驅(qū)動放大電路之間阻抗匹配;驅(qū)動放大電路,放大輸入匹配電路輸出的信號;反饋電路,調(diào)節(jié)射頻功率放大器電路的增益;級間匹配電路,使驅(qū)動放大電路和功率放大電路之間阻抗匹配;功率放大電路,放大級間匹配電路輸出的信號;輸出匹配電路,使射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。其中。

    本申請涉及射頻處理技術領域,具體涉及一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。背景技術:通話是移動終端的為基本的功能之一,射頻功率放大器(rfpa)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分,其重要性不言而喻。在發(fā)射機的前級電路中,調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小,需要經(jīng)過一系列的放大(緩沖級、中間放大級、末級功率放大級)獲得足夠的射頻功率以后,才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率,必須采用射頻功率放大器。在調(diào)制器產(chǎn)生射頻信號后,射頻已調(diào)信號就由射頻放大器將它放大到足夠功率,經(jīng)匹配網(wǎng)絡,再由天線發(fā)射出去。由于現(xiàn)有技術中的所支持的射頻頻段眾多,每個頻段所使用的射頻功率放大器配置可能有所差異,雖然由移動終端的軟件寫入了相關的配置指令,由于指令發(fā)出總是存在先后關系,在現(xiàn)有技術中往往需要在配置頻段時在所有射頻功率放大器啟動指令發(fā)出后再延遲一個時間(例如)認為已經(jīng)配置完成,再進行下一步操作。例如,在第,此時需要向4個依次射頻功率放大器發(fā)出啟動指令,然后等待,開始下一步操作,但其實這個,很可能在。因此,現(xiàn)有技術存在缺陷,有待改進與發(fā)展。技術實現(xiàn)要素:本申請實施例提供一種移動終端射頻功率放大器檢測方法。微波功率放大器在大功率下工作要合理設計功放結(jié)構(gòu)加裝散熱器以 提高功放管熱量輻散效率保證放大器穩(wěn)定工作。

    則該阻抗與rfin端的輸入阻抗zin共軛匹配,zin=r0-jx0;加入可控衰減電路后,在輸入匹配電路101之前并聯(lián)接地的r2和sw1所在的支路中,為保證有效的功率衰減,r2一般控制得較小,故對r0影響可以忽略。sw1關斷時,r2和sw1所在的支路可以等效成寄生電抗xc,此時,可控衰減電路和輸入匹配電路的等效阻抗zeq=(r0+jx0)//jxc+jxl,其中,“//”表示并聯(lián),zeq的實部小于r0,為了使等效阻抗與輸入阻抗盡可能的匹配,減少影響,需要zeq的虛部im(zeq)=x0,在r0、x0和xc的數(shù)值已知的情況下,根據(jù)等效阻抗zeq的表達式可以計算出xl,進而得到電感l(wèi)1的電感值,其中,由于電感l(wèi)1被集成在硅基芯片上,所以電感l(wèi)的品質(zhì)因數(shù)q值一般不大于5。為了進一步提高電路實用性,并提高射頻耐壓和靜電保護能力,本申請實施例的進一步形式是將并聯(lián)支路的r換成sw2(如圖4所示),通過控制sw1和sw2的柵極的寬長比控制導通的寄生電阻和關斷的寄生電容以及esd能力。換句話說,在做設計時控制sw1和sw2的柵極的寬長比w/l,可以獲得期望的ron,其中:開關導通的電阻:ron=1/(μ*cox*(w/l)*(vgs-vth)),其中,*表示乘號,μ是指電子遷移率,cox是指單位面積的柵氧化層電容,w/l是指cmos器件有效溝道長度的寬長比。噪聲系數(shù)是指輸入端信噪比與放大器輸出端信噪比的比值,單位常用“dB'’。天津?qū)拵漕l功率放大器哪里賣

乙類工作狀態(tài):功率放大器在信號周期內(nèi)只有半個周期存在工作電流,即導 通角0為180度.對于AM。江蘇低頻射頻功率放大器經(jīng)驗豐富

    用于放大所述級間匹配電路輸出的信號;所述輸出匹配電路,用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中,通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進行處理,實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換,電路結(jié)構(gòu)簡單,能有效的降低硬件成本。附圖說明圖1a為本發(fā)明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖;圖1b為本發(fā)明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖;圖2a為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖;圖2b為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖圖3為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的示意圖;圖4為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的示意圖;圖5a為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖;圖5b為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖;圖6為本發(fā)明實施例提供的反饋電路的示意圖;圖7為本發(fā)明實施例提供的偏置電路的示意圖;圖8為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的等效示意圖;圖9為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路的的示意圖。江蘇低頻射頻功率放大器經(jīng)驗豐富

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