在這些年的WiFi產(chǎn)品開發(fā)中，接觸了多種型號的射頻功率放大器（以下簡稱PA），本文對WiFi產(chǎn)品中常用的射頻功率放大器做個匯總，供讀者參考。本文中部分器件型號是FrontendModule，即包含內(nèi)PA，LNA，Switch，按不同廠牌對PA進(jìn)行介紹，按照廠牌字母順序進(jìn)行排列。ANADIGICSANADIGICS成立于1985年，率先開創(chuàng)制造高容量、低成本、高性能的砷化鎵集成電路(GaAsICs)。ANADIGICS是世界的通信產(chǎn)品供應(yīng)商。ANADIGICS為不斷發(fā)展的無線寬帶與無線通信市場，設(shè)計、制造射頻集成電路（RFIC）解決方案。公司創(chuàng)新的高頻率RFIC，能使通信設(shè)備制造商提高整體系統(tǒng)性能、減少產(chǎn)品的體積及重量、提高電源效率、提高穩(wěn)定性、并降造成本及制程時間。PartNumberFrequencySupply(V)GainP1dBEVM@54MbpsAWL6951b/g:–b/g:32b/g:27g:a:–a:29a:a:AWL9224–3–3227b:meetsACPR@+23dBmg:AWL9555–+2926-33dB@Pout=+19dBm-36dB@Pout=+5dBmAWL6153–3–528313%@Pout=+25dBmAWL6950–3–b/g:3225g:–a:33a:本文*給出ANADIGICS的**高規(guī)格WiFiPAAWL6153的性能指標(biāo)，如下圖。Avago這是一家從Agilent（現(xiàn)拆分為Agilent+Keysight）中分離出來的半導(dǎo)體公司，擁有50年的技術(shù)創(chuàng)新傳統(tǒng)。多年來。丙類狀態(tài)：在信號周期內(nèi)存在工作電流的時間不到半個周期即導(dǎo)通角0 小于18度，丙類功放的優(yōu)點是效率非常高。河北定制開發(fā)射頻功率放大器檢測技術(shù)
nmos管mn11的漏極連接電容c11，nmos管mn12的漏極連接電容c12。nmos管mn11的漏極和nmos管mn12的漏極為第二主體電路中激勵放大器的輸出端。變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵放大器中的共源放大器提供偏置電壓；激勵放大器柵放大器的柵極通過電阻接第二偏置電壓。如圖3所示，變壓器t0副邊的中端通過電阻r01接偏置電壓vbcs_da，第二變壓器t03副邊的中端通過電阻r06接偏置電壓vbcs_da，偏置電壓vbcs_da用于為nmos管mn01、nmos管nm02、nmos管mn09、nmos管mn10提供偏置電壓。nmos管mn03的柵極和nmos管mn04的柵極分別通過電阻r02接第二偏置電壓vbcg_da，。nmos管mn11的柵極和nmos管mn12的柵極分別通過電阻r07接第二偏置電壓vbcg_da。nmos管mn01的源極和nmos管mn02的源極接地，nmos管mn03的柵極和nmos管mn04的柵極分別通過電容c03接地。每個主體電路率放大器包括2個共源共柵放大器。如圖3所示，主體電路的功率放大器中，nmos管mn05和nmos管mn07構(gòu)成一個共源共柵放大器，nmos管mn06和nmos管mn08構(gòu)成一個共源共柵放大器；第二主體電路的功率放大器中，nmos管mn13和nmos管mn15構(gòu)成一個共源共柵放大器。云南高科技射頻功率放大器供應(yīng)商交調(diào)失真有不同頻率的兩個或更多的輸入信號經(jīng)過功率放大器而產(chǎn)生的 混合分量由于功率放大器的非線性造成的。
使射頻功率放大器電路實現(xiàn)負(fù)增益模式?？梢?，通過微控制器可控制第二mos管和第四mos管的漏級電流、第三mos管和第五mos管的門級電壓，進(jìn)而可調(diào)節(jié)驅(qū)動放大電路和功率放大電路的放大倍數(shù)，從而實現(xiàn)對射頻功率放大器電路的增益的線性調(diào)節(jié)。根據(jù)上述實施例可知，若需要使射頻功率放大器電路為非負(fù)增益模式，需要微控制器控制開關(guān)關(guān)斷，控制第二開關(guān)關(guān)斷，控制偏置電路使第二mos管的漏級電流和第三mos管的柵級電壓均變大，控制第二偏置電路使第四mos管的漏級電流和第五mos管的柵級電壓均變大。其中，第二開關(guān)關(guān)斷時，反饋電路的放大系數(shù)af較大，有助于輸入信號的放大，偏置電路和第二偏置電路中漏極電流、門極電壓、漏級供電電壓較大，也有助于輸入信號的放大，開關(guān)關(guān)斷，則可控衰減電路被隔離開，對輸入信號的影響較小，通過這樣的控制，可以實現(xiàn)輸入信號的放大。當(dāng)射頻功率放大器電路的輸出功率(較大)確定后，微處理器可以進(jìn)一步得到其輸入功率和增益值，微處理器對輸入功率進(jìn)行調(diào)節(jié)，控制電壓信號vgg，使開關(guān)關(guān)斷，控制第二開關(guān)關(guān)斷，通過控制偏置電路和第二偏置電路中的內(nèi)部電流源和內(nèi)部電壓源，并對漏級供電電壓vcc進(jìn)行控制，從而使偏置電路中漏級電流、柵級電壓變小。
70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應(yīng)管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管，它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場效應(yīng)晶體管（VMOSFET）的溝道長度是由外延層的厚度來控制的，因此適合于MOS器件的短溝道化，從而提高器件的高頻性能和工作速度。VMOS管可工作在VHF和UHF頻段，也就是30MHz到3GHz。封裝好的VMOS器件能夠在UHF頻段提供高達(dá)1kW的功率，在VHF頻段提供幾百瓦的功率，可由12V,28V或50V電源供電，有些VMOS器件可以100V以上的供電電壓工作。橫向擴(kuò)散MOS（LDMOS）橫向雙擴(kuò)散MOS晶體管（LateralDouble-diffusedMOSFET，LDMOS）：這是為了減短溝道長度的一種橫向?qū)щ奙OSFET，通過兩次擴(kuò)散而制作的器件稱為LDMOS，在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現(xiàn)功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。與晶體管相比，LDMOS在關(guān)鍵的器件特性方面，如增益、線性度、散熱性能等方面優(yōu)勢很明顯，由于更容易與CMOS工藝兼容而被采用。LDMOS能經(jīng)受住高于雙極型晶體管的駐波比，能在較高的反射功率下運(yùn)行而不被破壞；它較能承受輸入信號的過激勵，具有較高的瞬時峰值功率。目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs，GAN和LDMOS工藝。
第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中，第三子濾波電路還可以包括第三電感l(wèi)3，第三電感l(wèi)3可以串聯(lián)在第三電容c3的第二端與地之間。參照圖3，給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖2相比較而言，圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l(wèi)3。通過增加第三電感l(wèi)3，可以進(jìn)一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實施中，輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發(fā)明實施例中，第四子濾波電路的端可以與主次級線圈121的第二端耦接，第四子濾波電路的第二端可以與射頻功率放大器的輸出端output耦接。第四子濾波電路可以為lc匹配濾波電路，lc匹配濾波電路可以為兩階匹配濾波電路，也可以為多階匹配濾波電路。當(dāng)lc匹配濾波電路為兩階匹配濾波電路時，其可以包括一個串聯(lián)電感以及一個到地電容；當(dāng)lc匹配濾波電路為多階匹配濾波電路時，其可以包括兩個串聯(lián)電感或更多串聯(lián)電感和一個到地電容或更多個到地電容。噪聲系數(shù)是指輸入端信噪比與放大器輸出端信噪比的比值，單位常用“dB'’。河北L波段射頻功率放大器報價
諧波抑制，功率放大器的非線性特性使輸出包含基波信號同時在各項諧波幅度大小與信號大小呈一定的比例關(guān)系。河北定制開發(fā)射頻功率放大器檢測技術(shù)
P/NBANDGainLinearPowerIccVccVerfAP11102685A***129431/3219/22145/215A***10583423/25300/480APEPM24263323/26335/465EPM24283424/28468/668AP30152920/23280/NA3AP3015P2915/18340/390AP3015M2917/18210/170AP5估計大部分國內(nèi)的讀者沒有用過RFIC的芯片，筆者也只是看到一些國外的產(chǎn)品在用。沒有Datasheet，也沒有BriefIntroduction，只能從官網(wǎng)上了解到部分?jǐn)?shù)據(jù)，其中EPM2428是**高的型號，其典型參數(shù)為：64QAM情況下可達(dá)28dBm@EVM=3%11b情況下可達(dá)32dBm，滿足頻譜模板效率可達(dá)20%@28dBm增益可達(dá)34dB片上輸入/輸出匹配RFMDRFMD（與TriQuint合并以后稱為Qorvo，但筆者還是喜歡稱之為RFMD，Qrovo實在是太拗口了）作為一家老牌的射頻器件廠商，相信有些讀者比我更了解，但筆者還是決定對RFMD做個簡單介紹；RFMicroDevices公司（簡稱RFMD）是全球的高性能射頻元件和化合物半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)計和制造商。RFMD的產(chǎn)品可用于蜂窩手機(jī)，無線基礎(chǔ)設(shè)施，無線局域網(wǎng)絡(luò)（WLAN），CATV/寬頻及航空航天和**市場，提供增強(qiáng)的連接性，并支持先進(jìn)的功能。RFMD憑借其多樣化的半導(dǎo)體技術(shù)以及RF系統(tǒng)專業(yè)技能，成為世界的移動設(shè)備，客戶端和通訊設(shè)備制造商的優(yōu)先供應(yīng)商。河北定制開發(fā)射頻功率放大器檢測技術(shù)
能訊通信科技（深圳）有限公司位于南頭街道馬家龍社區(qū)南山大道3186號明江大廈C501。公司自成立以來，以質(zhì)量為發(fā)展，讓匠心彌散在每個細(xì)節(jié)，公司旗下射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機(jī)，無人機(jī)干擾功放深受客戶的喜愛。公司秉持誠信為本的經(jīng)營理念，在電子元器件深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點，發(fā)揮人才優(yōu)勢，打造電子元器件良好品牌。在社會各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造***服務(wù)體驗，為客戶成功提供堅實有力的支持。