超射頻功率放大器研發(fā)

來源: 發(fā)布時間:2022-04-29

    能夠快速設置各個射頻功率放大器。本申請實施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測方法,包括:預設射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值;計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值;比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值;所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等,開啟所述射頻功率放大器;所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等,所述射頻功率放大器配置完成。可選的,在本申請的一些實施例中,所述預設射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值,包括:所述配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關閉狀態(tài)的電阻值;所述射頻功率放大器設置匹配電阻;所述關閉狀態(tài)的電阻值為所述射頻功率放大器的電阻值;所述開啟狀態(tài)的電阻值為所述匹配電阻的電阻值??蛇x的,在本申請的一些實施例中,所述計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值,包括:rj=vgpio*r0/(vdd-vgpio);其中,rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值,vgpio為處理器引腳的電壓值,vdd為電源電壓,r0為計算電阻的電阻值??蛇x的,在本申請的一些實施例中,所述匹配電阻包括:不同的射頻功率放大器設置不同的匹配電阻。微波固態(tài)功率放大器的電路設計應盡可能合理簡化。超射頻功率放大器研發(fā)

    主次級線圈121的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接;輔次級線圈122的端與主次級線圈121的第二端耦接,輔次級線圈122的第二端與匹配濾波電路中的輸出端匹配濾波電路耦接。也就是說,在本發(fā)明實施例中,次級線圈由主次級線圈121以及輔次級線圈122組成,輔次級線圈122可以與輸出端匹配濾波電路組成功率合成的功能。在具體實施中,匹配濾波電路可以包括輸入端匹配濾波電路以及輸出端匹配濾波電路。輸入端匹配濾波電路可以與功率合成變壓器的輸入端、功率放大單元的輸出端耦接,以及與功率合成變壓器的第二輸入端、功率放大單元的第二輸出端耦接。輸出端匹配濾波電路可以串聯(lián)在輔次級線圈122的第二端與地之間。在具體實施中,輸入端匹配濾波電路可以包括子濾波電路以及第二子濾波電路,其中:子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸出端耦接,子濾波電路的第二端可以接地;第二子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸出端耦接,第二子濾波電路的第二端可以接地。也就是說,在本發(fā)明實施例中,在功率合成變壓器的輸入端以及功率合成變壓器的第二輸入端可以均設置有對應的濾波電路。福田區(qū)U段射頻功率放大器輸入/輸出駐波表示放大器輸入端阻抗和輸出端阻抗與系統(tǒng)要求阻抗(50Q)的 匹配程度。

    射頻功率放大器電路,用于根據(jù)微控制器的控制,對射頻收發(fā)器的輸出信號進行放大或衰減;天線,用于發(fā)射射頻功率放大器電路的輸出信號。由于終端(如水電表)分布范圍廣,每個終端距離基站的距離各不相同,距離基站遠的終端,其信道衰減量大,因此需要射頻功率放大器電路的輸出功率大;而距離基站近的終端,其信道衰減量小,因此需要射頻功率放大器電路的輸出功率小。微控制器通過控制射頻功率放大器電路的輸入功率和增益,從而控制其輸出功率,使其輸出功率滿足要求。例如,基站使用預先確定的通信資源發(fā)送同步信號(synchronizationchannel,sch)和廣播信號(broadcastchannel,bch)。然后,終端首先捕捉sch,從而確保與基站之間的同步。然后,終端通過讀取bch而獲取基站特定的參數(shù)(如頻率、帶寬等)。終端在獲取到基站特定的參數(shù)之后,通過對基站進行連接請求,建立與基站的通信?;靖鶕?jù)需要對建立了通信的終端通過物理下行控制信道(physicaldownlinkcontrolchannel,pdcch)等控制信道發(fā)送控制信息。終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后,控制輸出功率,使其滿足要求。基站在與終端的通信過程中,根據(jù)路徑損耗(pathloss,pl)確定鏈路預算(linkbudget,lb)。

    Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等,可通過改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護電路而增強客戶的設計能力。Microsemi公司所服務的主要市場包括植入式醫(yī)療機構(gòu)、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動通信等應用領域。Microsemi在發(fā)展過程中收購了多家公司,包括熟知的Actel,Zarlink,Vitesee。Microsemi的WiFiPA產(chǎn)品線型號較多,也多次出現(xiàn)在Atheros早期的參考設計中,近期的參考設計就很少出現(xiàn)了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果沒記錯的話,LX5511+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96低功率版本參考設計中。射頻功率放大器的主要技術指標是輸出功率與效率如何提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設計目標的。

    射頻前端集成電路領域,具體涉及一種高線性射頻功率放大器。背景技術:射頻功率放大器的主要參數(shù)是線性和效率。線性是表示射頻功率放大器能否真實地放大信號的參數(shù)。諸如lte和,要求射頻前端模塊具有極高的線性度,射頻功率放大器作為一個發(fā)射系統(tǒng)中的重要組成部分,對整個系統(tǒng)的線性度起著至關重要的作用。目前采用cmos器件的射頻功率放大器適用于和其他通信部分電路做片上集成,但是難以嚴格地滿足線性度需求。技術實現(xiàn)要素:為了解決相關技術中射頻功率放大器的線性度難以滿足需求的問題,本申請?zhí)峁┝艘环N高線性射頻功率放大器。技術方案如下:一方面,本申請實施例提供了一種高線性射頻功率放大器,包括功率放大器、激勵放大器、匹配網(wǎng)絡和自適應動態(tài)偏置電路,自適應動態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級調(diào)節(jié)功率放大器的柵極偏置電壓;功率放大器通過匹配網(wǎng)絡和激勵放大器連接射頻輸入端,功率放大器通過匹配網(wǎng)絡連接射頻輸出端;自適應動態(tài)偏置電路的輸入端連接射頻輸入端,自適應動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器中的共源共柵放大器;其中,自適應動態(tài)偏置電路至少由若干個nmos、若干個pmos管、若干個電容和電阻組成??蛇x的。效率:功率放大器的效率除了取決于晶體管的工作狀態(tài)、電路結(jié)構(gòu)、負載 等因素外,還與輸出匹配電路密切相關。龍崗區(qū)線性射頻功率放大器

微波功率放大器的輸出功率主要有兩個指標:飽和輸出功率;ldB壓縮點輸出功率。超射頻功率放大器研發(fā)

    射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關閉狀態(tài)的電阻值。根據(jù)移動終端所切換的頻段,預設該頻段對應的射頻功率放大器的配置狀態(tài),由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。(2)計算單元302計算單元302,用于計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值。例如,移動終端進行頻段切換時,射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值,通過計算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值,從而獲取此時射頻功率放大器的狀態(tài)。其中,計算單元還包括計算電阻和處理器,計算電阻一端與射頻功率放大器檢測模塊連接,計算電阻另一端與電源電壓連接;處理器的引腳與計算電阻和射頻功率放大器檢測模塊連接。(3)比較單元303比較單元303,用于比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如,將射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與預設的配置狀態(tài)電阻值作比較,可以得知此時射頻功率放大器是否已完成配置。射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即移動終端頻段切換時的射頻功率放大器的電阻值。其中,射頻功率放大器檢測模塊與配置狀態(tài)的電阻值不相同,則表示射頻功率放大器還沒有開啟,移動終端開啟此射頻功率放大器。超射頻功率放大器研發(fā)

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