射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值相同，則表示射頻功率放大器配置完成。相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種移動(dòng)終端，如圖4所示，該移動(dòng)終端可以包括射頻(rf，radiofrequency)電路401、包括有一個(gè)或一個(gè)以上計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)器402、輸入單元403、顯示單元404、傳感器405、音頻電路406、無(wú)線保真(wifi，wirelessfidelity)模塊407、包括有一個(gè)或者一個(gè)以上處理的處理器408、以及電源409等部件。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，圖4中示出的移動(dòng)終端結(jié)構(gòu)并不構(gòu)成對(duì)移動(dòng)終端的限定，可以包括比圖示更多或更少的部件，或者組合某些部件，或者不同的部件布置。其中：rf電路401可用于收發(fā)信息或通話過(guò)程中，信號(hào)的接收和發(fā)送，特別地，將基站的下行信息接收后，交由一個(gè)或者一個(gè)以上處理器408處理；另外，將涉及上行的數(shù)據(jù)發(fā)送給基站。通常，rf電路401包括但不限于天線、至少一個(gè)放大器、調(diào)諧器、一個(gè)或多個(gè)振蕩器、用戶身份模塊(sim，subscriberidentitymodule)卡、收發(fā)信機(jī)、耦合器、低噪聲放大器(lna，lownoiseamplifier)、雙工器等。此外，rf電路401還可以通過(guò)無(wú)線通信與網(wǎng)絡(luò)和其他設(shè)備通信。所述無(wú)線通信可以使用任一通信標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議。功率放大器一般可分為A、AB、B、c、D、E、F類。光明區(qū)X波段射頻功率放大器
LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對(duì)3G和LTE基站市場(chǎng)的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但LDMOS功率放大器的帶寬會(huì)隨著頻率的增加而大幅減少，在不超過(guò)約，而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應(yīng)用中，它可實(shí)現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上，GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸。實(shí)現(xiàn)性能成本的優(yōu)化組合。隨著5G時(shí)代的到來(lái)，小基站及MassiveMIMO的飛速發(fā)展，會(huì)對(duì)集成度要求越來(lái)越高，GaN自有的先天優(yōu)勢(shì)會(huì)加速功率器件集成化的進(jìn)程。5G會(huì)帶動(dòng)GaN這一產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展。然而，在移動(dòng)終端領(lǐng)域GaN射頻器件尚未開(kāi)始規(guī)模應(yīng)用，原因在于較高的生產(chǎn)成本和供電電壓。GaN將在高功率，高頻率射頻市場(chǎng)發(fā)揮重要作用。GaN射頻PA有望成為5G基站主流技術(shù)預(yù)測(cè)未來(lái)大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件，小基站GaAs優(yōu)勢(shì)更明顯。就電信市場(chǎng)而言，得益于5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的日益臨近。東莞30-500MHz射頻功率放大器射頻功率放大器一般都采用選頻網(wǎng)絡(luò)作為負(fù)載回路。
微控制器控制第五一開(kāi)關(guān)導(dǎo)通、第五二開(kāi)關(guān)關(guān)斷，此時(shí)可實(shí)現(xiàn)低增益；微控制器控制第五一開(kāi)關(guān)和第五二開(kāi)關(guān)均導(dǎo)通，此時(shí)反饋電路的等效電阻小，可實(shí)現(xiàn)負(fù)增益。在一些實(shí)施例中，當(dāng)射頻放大器電路的高增益為30db左右，低增益為15db左右，負(fù)增益為-10db左右時(shí)，可設(shè)置第五三電阻的阻值為5kω，第五一電阻的電阻為1kω，第五二電阻的電阻為100ω。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例對(duì)反饋電路的具體形式不做限定?？梢?jiàn)，通過(guò)控制反饋電路中第二開(kāi)關(guān)的通斷，可以改變射頻功率放大器電路的增益大小，實(shí)現(xiàn)增益的大范圍調(diào)節(jié)。在一個(gè)可能的示例中，級(jí)間匹配電路104包括：第三電感l(wèi)3、第七電容c7和第八電容c8，其中：第三電感的端連接第三mos管的漏級(jí)，第三電感的第二端連接第二電壓信號(hào)和第七電容的一端，第七電容的端連接第二電壓信號(hào)，第七電容的第二端接地，第八電容的端連接第三mos管的漏級(jí)。其中，第二電壓信號(hào)為vcc。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，考慮到級(jí)間匹配電路的復(fù)雜性，將級(jí)間匹配電路簡(jiǎn)化為用第三電感、第七電容和第八電容表示。在一個(gè)可能的示例率放大電路105包括：第四mos管t4、第五mos管t5和第九電容c9，其中：第四mos管的柵級(jí)與第八電容的第二端連接。
單位為分貝)，再根據(jù)鏈路預(yù)算lb確定終端的發(fā)射功率(transmittingpower，pt)(單位為分貝瓦或者分貝毫瓦)。終端在與基站通信后，確定天線的發(fā)射功率pt，根據(jù)天線的發(fā)射功率pt和天線的增益確定射頻功率放大器電路的輸出功率，根據(jù)射頻功率放大器電路的輸出功率確定射頻功率放大器電路的輸入功率和增益，通過(guò)微控制器對(duì)射頻功率放大器電路的輸入功率進(jìn)行調(diào)節(jié)，并根據(jù)增益確定射頻功率放大器電路中的模式控制信號(hào)，使其終的輸出功率滿足要求。其中，路徑損耗pl的計(jì)算參見(jiàn)公式(1)：pl＝20log10(f)+20log10(d)–c(1)；其中，f為信號(hào)頻率，單位為mhz；d為基站和終端之間的距離；c為經(jīng)驗(yàn)值，一般取28。在一些實(shí)施例中，如欲計(jì)算出戶外空曠環(huán)境中距離為d＝1200米，頻率為f＝915mhz和f＝，則可根據(jù)公式(1)推導(dǎo)出f＝915mhz時(shí)的pl為：20log10(915)+20log10(1200)–28＝，還可推導(dǎo)出f＝：20log10(2400)+20log10(1200)–28＝。如果發(fā)送器與目標(biāo)接收機(jī)之間的路徑損耗pl大于鏈路預(yù)算lb，那么就會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)丟失，無(wú)法實(shí)現(xiàn)通信，因此，鏈路預(yù)算lb需要大于等于路徑損耗pl，據(jù)此可以得到鏈路預(yù)算值。終端的發(fā)射功率pt由式(2)計(jì)算得到：lb＝pt+gt+gr-rs(2)；其中，gt為終端的天線增益，單位為分貝。寬帶放大器是指上限工作頻率與下限工作頻率之比甚大于1的放大電路。
經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展，GaN技術(shù)在全球各大洲已經(jīng)普及。市場(chǎng)的廠商主要包括SumitomoElectric、Wolfspeed（Cree科銳旗下）、Qorvo，以及美國(guó)、歐洲和亞洲的許多其它廠商?；衔锇雽?dǎo)體市場(chǎng)和傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不同。相比傳統(tǒng)硅工藝，GaN技術(shù)的外延工藝要重要的多，會(huì)影響其作用區(qū)域的品質(zhì)，對(duì)器件的可靠性產(chǎn)生巨大影響。這也是為什么目前市場(chǎng)的廠商都具備很強(qiáng)的外延工藝能力，并且為了維護(hù)技術(shù)秘密，都傾向于將這些工藝放在自己內(nèi)部生產(chǎn)。GaN-on-SiC更具有優(yōu)勢(shì)。盡管如此，F(xiàn)abless設(shè)計(jì)廠商通過(guò)和代工合作伙伴的合作，發(fā)展速度也很快。憑借與代工廠緊密的合作關(guān)系以及銷售渠道，NXP和Ampleon等廠商或?qū)⒏淖兪袌?chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局。同時(shí)，目前市場(chǎng)上還存在兩種技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)：GaN-on-SiC（碳化硅上氮化鎵）和GaN-on-Silicon（硅上氮化鎵）。它們采用了不同材料的襯底，但是具有相似的特性。理論上，GaN-on-SiC具有更好的性能，而且目前大多數(shù)廠商都采用了該技術(shù)方案。不過(guò)，M/A-COM等廠商則在極力推動(dòng)GaN-on-Silicon技術(shù)的應(yīng)用。未來(lái)誰(shuí)將主導(dǎo)還言之過(guò)早，目前來(lái)看，GaN-on-Silicon仍是GaN-on-SiC解決方案的有力挑戰(zhàn)者。全球GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)格局GaN微波射頻器件產(chǎn)品推出速度明顯加快。輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它 的增益平坦度并不一定滿足技術(shù)指標(biāo)的要求。羅湖區(qū)線性射頻功率放大器
目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs，GAN和LDMOS工藝。光明區(qū)X波段射頻功率放大器
顯然，所描述的實(shí)施例是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法及裝置。本申請(qǐng)實(shí)施例的移動(dòng)終端可以為手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等設(shè)備。以下分別進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需說(shuō)明的是，以下實(shí)施例的描述順序不作為對(duì)實(shí)施例推薦順序的限定。一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法，包括：預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值，計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開(kāi)啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。如圖1所示，該方法的具體流程可以如下：101、預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。例如，移動(dòng)終端在連接一個(gè)頻段時(shí)，需要啟動(dòng)該頻段所對(duì)應(yīng)的射頻功率放大器。根據(jù)移動(dòng)終端所切換的頻段，預(yù)設(shè)該頻段對(duì)應(yīng)的射頻功率放大器的配置狀態(tài)。光明區(qū)X波段射頻功率放大器
能訊通信科技（深圳）有限公司是一家產(chǎn) 品 分 別 10KHz ～ 18GHz 頻 帶 有 百 余 種 射 頻 功 放 產(chǎn) 品 ,10W、50W、100W、200W 及各類開(kāi)關(guān) LC 濾波器（高低通濾波器）寬帶雙定向耦合器系列產(chǎn)品。功放整機(jī) 。的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠(chéng)實(shí)可信的企業(yè)。能訊通信擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機(jī)，無(wú)人機(jī)干擾功放。能訊通信不斷開(kāi)拓創(chuàng)新，追求出色，以技術(shù)為先導(dǎo)，以產(chǎn)品為平臺(tái)，以應(yīng)用為重點(diǎn)，以服務(wù)為保證，不斷為客戶創(chuàng)造更高價(jià)值，提供更優(yōu)服務(wù)。能訊通信始終關(guān)注電子元器件行業(yè)。滿足市場(chǎng)需求，提高產(chǎn)品價(jià)值，是我們前行的力量。