可控硅檢測方法與經(jīng)驗(yàn)可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中。1.可控硅的特性?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓琛㈦p向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過零）時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向。整流器是一個(gè)整流裝置，簡單的說就是將交流（AC）轉(zhuǎn)化為直流（DC）的裝置。樺特可控硅整流器
只要用萬用表測出A極和G極即可。將萬用表置于R×1kΩ檔，兩表筆任接被測晶閘管的某兩個(gè)引腳(測其正、反向電阻值)，若測出某對(duì)引腳為低阻值時(shí)，則黑表筆接的陽極A，而紅表筆接的是門極G，另外一個(gè)引腳即是陰極K。(2)判斷其好壞：用萬用表R×1kΩ檔測量BTG晶閘管各電極之間的正、反向電阻值。正常時(shí)，陽極A與陰極K之間的正、反向電阻均為無窮大；陽極A與門極G之間的正向電阻值(指黑表筆接A極時(shí))為幾百歐姆至幾千歐姆，反向電阻值為無窮大。若測得某兩極之間的正、反向電阻值均很小，則說明該晶閘管已短路損壞。(3)觸發(fā)能力檢測：將萬用表置于R×1Ω檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，測得阻值應(yīng)為無窮大。然后用手指觸摸門極G，給其加一個(gè)人體感應(yīng)信號(hào)，若此時(shí)A、K極之間的電阻值由無窮大變?yōu)榈妥柚?數(shù)歐姆)，則說明晶閘管的觸發(fā)能力良好。否則說明此晶閘管的性能不良。樺特可控硅整流器整流器***用于各種形式的整流電源中。
2）用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說明管是壞的。要注意，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測。（3）用感應(yīng)信號(hào)輸人法估測場效應(yīng)管的放大能力具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極Ｓ，黑表筆接漏極Ｄ，給場效應(yīng)管加上Ｖ的電源電壓，此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場效應(yīng)管的柵極Ｇ，將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Iｂ都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化。
此時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極Ｇ時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導(dǎo)值越高；如果被測管的跨導(dǎo)很小，用此法測時(shí)，反向阻值變化不大。二、.場效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)（1）為了安全使用場效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率，比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和比較大電流等參數(shù)的極限值。（2）各類型場效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是ＰＮ結(jié)，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。（3）MOS場效應(yīng)管由于輸人阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮。（4）為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵。可控硅觸發(fā)板**部件采用國外生產(chǎn)的高性能、高可靠性的**級(jí)可控硅觸發(fā)**集成電路。
應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷，建立起ＶGＳ電壓，造成再進(jìn)行測量時(shí)表針可能不動(dòng)，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為***柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對(duì)調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。（5）用測反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小對(duì)ＶＭＯＳＮ溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管測量跨導(dǎo)性能時(shí)，可用紅表筆接源極Ｓ、黑表筆接漏極Ｄ，這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔。可控硅觸發(fā)板現(xiàn)場調(diào)試一般不需要示波器即可完成。樺特可控硅整流器
業(yè)界推出的節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器**三極管都十分注重對(duì)貯存時(shí)間的控制。樺特可控硅整流器
當(dāng)T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發(fā)信號(hào)（相對(duì)于T1、T2所接電源負(fù)極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當(dāng)G極接負(fù)觸發(fā)信號(hào)時(shí)，其工作過原理如圖4所示，此時(shí)Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導(dǎo)通，繼而Q1導(dǎo)通給電容C充電后致Q2導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)。雙向可控硅的英文簡稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫，其意思是三端交流半導(dǎo)體開關(guān)，目前主要用于對(duì)交流電源的控制，主要特點(diǎn)表現(xiàn)在能在四個(gè)象限來使可控硅觸發(fā)導(dǎo)通和保持導(dǎo)通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)Vg的負(fù)。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)分別接Vg的正、負(fù)極。2類雙向可控硅電路設(shè)計(jì)在理解了前面所述雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理之后，依據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用我們熟悉的晶體管來設(shè)計(jì)一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路。如圖5所示，電路采用用7個(gè)三極管和幾個(gè)電阻組成。把圖5電路中PN結(jié)的結(jié)構(gòu)按圖6所示結(jié)構(gòu)圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內(nèi)部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。樺特可控硅整流器
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