四川可控硅調(diào)壓器

    也可以用圖4中的測(cè)試電路測(cè)試普通晶閘管的觸發(fā)能力。電路中，vT為被測(cè)晶閘管，HL為6．3V指示燈(手電筒中的小電珠)，GB為6V電源(可使用4節(jié)1．5V干電池或6V穩(wěn)壓電源)，S為按鈕，R為限流電阻。當(dāng)按鈕S未接通時(shí)，晶閘管VT處于阻斷狀態(tài)，指示燈HL不亮(若此時(shí)HL亮，則是vT擊穿或漏電損壞)。按動(dòng)一下按鈕S后(使S接通一下，為晶閘管VT的門(mén)極G提供觸發(fā)電壓)，若指示燈HL一直點(diǎn)亮，則說(shuō)明晶閘管的觸發(fā)能力良好。若指示燈亮度偏低，則表明晶閘管性能不良、導(dǎo)通壓降大(正常時(shí)導(dǎo)通壓降應(yīng)為1v左右)。若按鈕S接通時(shí)，指示燈亮，而按鈕S斷開(kāi)時(shí)，指示燈熄滅，則說(shuō)明晶閘管已損壞，觸發(fā)性能不良。2．雙向晶閘管的檢測(cè)(1)判別各電極：用萬(wàn)用表R×1或R×10檔分別測(cè)量雙向晶閘管三個(gè)引腳間的正、反向電阻值，若測(cè)得某一管腳與其他兩腳均不通，則此腳便是主電極T2。找出T2極之后，剩下的兩腳便是主電極Tl和門(mén)極G3。測(cè)量這兩腳之間的正、反向電阻值，會(huì)測(cè)得兩個(gè)均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測(cè)量中，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門(mén)極G。螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2，較細(xì)的引線端為門(mén)極G，較粗的引線端為主電極T1。金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2。調(diào)整器具有“自動(dòng)限流”功能，負(fù)載電流大于額定值時(shí)，調(diào)壓器輸出電流被限制在額定值左右。四川可控硅調(diào)壓器

    其輸出電壓的變化是由導(dǎo)通角的變化來(lái)決定的。相位控制部分正是根據(jù)調(diào)整管壓降的變化來(lái)改變可控硅導(dǎo)通角，進(jìn)而改變整流濾波電路輸出電壓，將調(diào)整管壓降維持在3V左右。該穩(wěn)壓電源中，采用KJ785晶閘管移相觸發(fā)電路。因?yàn)樽鳛橐环N電源產(chǎn)品，應(yīng)力求在實(shí)現(xiàn)同樣功能的前提下，器件性能好，電路簡(jiǎn)單，實(shí)現(xiàn)容易。該觸發(fā)電路可以輸出兩路相差180度的觸發(fā)脈沖，可在0～180度范圍移相，可用于控制單相、雙向晶閘管和晶體管。KJ785由同步檢測(cè)寄存電路，基準(zhǔn)電源，鋸齒波形成電路，移相電壓和鋸齒波綜合比較電路與邏輯控制功率放大等部分組成。鋸齒波斜率決定于9腳外接電阻和10腳外接電容。脈沖寬度由腳外接電容決定，不接該電容時(shí)，脈沖寬度由內(nèi)接電容決定，約為30μs。KJ785只需單電源工作，觸發(fā)電路為負(fù)極性，即移相電壓增加，導(dǎo)通角減小。同步電壓從5腳輸入，可以直接取自電網(wǎng)電壓，降壓限流電阻取電網(wǎng)電壓×103Ω，也可采用同步變壓器隔離輸入。7，6腳可提供脈沖列和脈沖***的控制端。各管腳功能如表1所示。由于該穩(wěn)壓電源是大功率電源，有發(fā)熱量較大的變壓器、整流二極管、可控硅、集成穩(wěn)壓器等，更主要的是，調(diào)整管是大功率晶體管，發(fā)熱較大。因此該穩(wěn)壓電源中，采用風(fēng)扇送風(fēng)。四川可控硅調(diào)壓器可控硅觸發(fā)板**部件采用國(guó)外生產(chǎn)的高性能、高可靠性的**級(jí)可控硅觸發(fā)**集成電路。

    應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷，建立起ＶGＳ電壓，造成再進(jìn)行測(cè)量時(shí)表針可能不動(dòng)，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測(cè)電阻法判別無(wú)標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為***柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來(lái)，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次，把其測(cè)得電阻值記下來(lái)，兩次測(cè)得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來(lái)的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。（5）用測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小對(duì)ＶＭＯＳＮ溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí)，可用紅表筆接源極Ｓ、黑表筆接漏極Ｄ，這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開(kāi)路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔。

    10ms內(nèi)截止輸出過(guò)熱保護(hù)主回路SCR溫度>75℃,截止輸出相序保護(hù)輸入電源相序錯(cuò)誤報(bào)警環(huán)境溫度－5～+45℃濕度≤90%RH，無(wú)水珠凝結(jié)海拔高度低于1000米(超過(guò)1000米降額使用)第二章控制原理及功能特性控制原理三相晶閘管閉環(huán)技術(shù)可控硅調(diào)壓器采用移相觸發(fā)控制方式，輸出電壓、電流或功率連續(xù)可調(diào)，具有恒電壓、恒電流或恒功率的特性。三相晶閘管閉環(huán)技術(shù)觸發(fā)板的原理框圖，其控制原理為一個(gè)典型的雙閉環(huán)控制，電流環(huán)為內(nèi)環(huán)，電壓環(huán)為外環(huán)?，F(xiàn)以調(diào)壓器的“恒電壓控制特性”來(lái)介紹其控制原理。調(diào)節(jié)過(guò)程如下：給定信號(hào)(Ug)、電壓反饋信號(hào)(Uf)、電流反饋信號(hào)(If)當(dāng)由于某種原因使調(diào)壓器輸出電壓降低時(shí)(如電網(wǎng)電壓降低)：（Ug-Uf）↑→UO↑→Uy↑→α↓→調(diào)壓器輸出電壓U↑***達(dá)到Uf與Ug相互平衡，調(diào)壓器輸出穩(wěn)定電壓。。圖2-1恒電壓原理框圖電流環(huán)作用是，在突加負(fù)載或負(fù)載電流超過(guò)限流值時(shí)，限制調(diào)壓器的輸出電流在額定電流范圍內(nèi)，確保輸出和調(diào)壓器正常工作。其調(diào)節(jié)過(guò)程如下：U0恒定，負(fù)載電流增加：If↑→（UO-If）↓→IO↓→Uy↓→α↑→調(diào)壓器輸出電壓U↓——If↓；同時(shí)電壓環(huán)也參與調(diào)節(jié)，使調(diào)壓器的輸出電流被限制在額定電流范圍內(nèi)。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對(duì)脈沖對(duì)稱度及限位進(jìn)行調(diào)整。

工作原理

本控制器輸出觸發(fā)脈沖必須同時(shí)具備兩個(gè)條件，分別是：控制輸入有效和可控硅兩端電壓為零，兩個(gè)條件缺其中任何一個(gè)都不能輸出觸發(fā)脈沖?？刂菩盘?hào)有效的較早周波檢測(cè)過(guò)零，過(guò)零條件滿足即輸出觸發(fā)脈沖，在以后的控制信號(hào)有效的時(shí)間段內(nèi)持續(xù)輸出觸發(fā)脈沖。

性能特點(diǎn)

高可靠的可控硅電壓過(guò)零觸發(fā)，三相**控制，脈沖隔離輸出，安全可靠。

有自同步功能，免去傳統(tǒng)可控硅電路認(rèn)定同步和相序的麻煩，使用與調(diào)試方便。

適用于阻性負(fù)載、感性負(fù)載、容性負(fù)載等類(lèi)型。

一體化結(jié)構(gòu)，接線簡(jiǎn)單，互換性好。

驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，每路可以輸出600毫安的電流，6V觸發(fā)電壓,可以驅(qū)動(dòng)4000A可控硅。

工作可靠,有非常強(qiáng)的抗干擾能力，適用性強(qiáng)，耐壓高。

半導(dǎo)體PN結(jié)在正向偏置時(shí)電流很大，反向偏置時(shí)電流很小。功率可控硅代理

為了減小器件因過(guò)壓擊穿造成損壞的可能性和提高整流裝置的可靠性，可采用硅雪崩整流器。四川可控硅調(diào)壓器

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。VMOS場(chǎng)效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點(diǎn)，尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下，導(dǎo)通電流會(huì)隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用。眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):***，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，***垂直向下到達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過(guò)大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。國(guó)內(nèi)生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測(cè)VMOS管的方法。四川可控硅調(diào)壓器

上海凱月電子科技有限公司致力于電子元器件，是一家貿(mào)易型公司。公司自成立以來(lái)，以質(zhì)量為發(fā)展，讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié)，公司旗下可控硅觸發(fā)板，電力調(diào)整器，SCR調(diào)功器，SCR整流器深受客戶的喜愛(ài)。公司秉持誠(chéng)信為本的經(jīng)營(yíng)理念，在電子元器件深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點(diǎn)，發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì)，打造電子元器件良好品牌。在社會(huì)各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn)，為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。