單相整流可控硅代理

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-09-15

    1.判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大,并且交換表筆后仍為無窮大,則證明此腳為G極,因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。2.判定源極S、漏極D由圖1可見,在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。3.測量漏-源通態(tài)電阻RDS(on)將G-S極短路,選擇萬用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=,大于(典型值)。4.檢查跨導(dǎo)將萬用表置于R×1k(或R×100)檔,紅表筆接S極,黑表筆接D極,手持螺絲刀去碰觸柵極,表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)愈大,管子的跨導(dǎo)愈高。注意事項(xiàng):(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管,測量時(shí)應(yīng)交換表筆的位置。(2)有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管,本檢測方法中的1、2項(xiàng)不再適用。(3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊。整流變壓器、調(diào)功機(jī)(純電感線圈)、電爐變壓器一次側(cè)、升磁/退磁調(diào)節(jié)、直流電機(jī)控制。單相整流可控硅代理

    本實(shí)用新型涉及一種單相交流固態(tài)調(diào)壓器。背景技術(shù):單相交流固態(tài)調(diào)壓器是集同步變壓器、相位檢測電路、移相觸發(fā)電路和輸出可控硅于一體,當(dāng)改變控制電壓的大小,就可改變輸出可控硅的觸發(fā)相角,即實(shí)現(xiàn)單相交流電的調(diào)壓。根據(jù)輸出可控硅器件不同分一只雙向可控硅的普通型,兩只單向可控硅反并聯(lián)的增強(qiáng)型和一只單向可控硅的半波型等三類。按單相交流負(fù)載的額定電壓分220V和380V兩類。主要用于工業(yè)電爐、電熱烘箱、燈光照明、變壓器原邊初級調(diào)壓、風(fēng)機(jī)水泵、力矩電機(jī)等設(shè)備中進(jìn)行調(diào)溫、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速的控制?,F(xiàn)有的單相交流固態(tài)調(diào)壓器自由調(diào)節(jié)輸出負(fù)載的能力較差,無法滿足電氣化設(shè)備的發(fā)展需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足,而提供一種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理,自由調(diào)節(jié)輸出負(fù)載的能力較好的單相交流固態(tài)調(diào)壓器。本實(shí)用新型解決上述問題所采用的技術(shù)方案是:一種單相交流固態(tài)調(diào)壓器,其特征在于:其電路結(jié)構(gòu)如下:整流橋的其中兩個(gè)腳連接交流電源的兩端,整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩(wěn)壓二極管的正極,穩(wěn)壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2。山東供應(yīng)雙向可控硅可控硅調(diào)整器可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制。

    控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時(shí)測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時(shí),萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號即使消失,可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí),可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,如果Ea極性反接,BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí),即使輸入觸發(fā)信號,可控硅也不能工作。反過來,Ea接成正向,而觸動(dòng)發(fā)信號是負(fù)的,可控硅也不能導(dǎo)通。另外,如果不加觸發(fā)信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí),可控硅也會(huì)導(dǎo)通。

    自由調(diào)節(jié)輸出負(fù)載的能力較好。附圖說明圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例相交流固態(tài)調(diào)壓器的電路示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖并通過實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明,以下實(shí)施例是對本實(shí)用新型的解釋而本實(shí)用新型并不局限于以下實(shí)施例。參見圖1,本實(shí)施例一種單相交流固態(tài)調(diào)壓器,其電路結(jié)構(gòu)如下:整流橋的其中兩個(gè)腳連接交流電源的兩端,整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩(wěn)壓二極管的正極,穩(wěn)壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2,穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4、NPN三極管T1的集電極、單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b2、單向可控硅SCR1的A極、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1,所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極,光耦OC的腳2經(jīng)由電阻R5連接輸入控制端的負(fù)極,光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極,NPN三極管T1的發(fā)射極連接電阻R6的一端,電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1,單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1連接變壓器B1的輸入端1,變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1,變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1,變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2,所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1。嚴(yán)格控制貯存時(shí)間ts并恰當(dāng)調(diào)整整機(jī)電路,就可以降低對hFE參數(shù)的依賴程度。

    **交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。(4)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品,是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應(yīng)管,其比較高工作頻率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信號低頻跨導(dǎo)gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。(5)使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,比較大功率才能達(dá)到30W。(6)多管并聯(lián)后,由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,使放大器的高頻特性變壞,通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此,并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個(gè),而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。單向可控硅、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有***陽極A1(T1),第二陽極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓。調(diào)整器主電路和控制電路一體化結(jié)構(gòu),體積小,重量輕,使用、維護(hù)十分方便。單相整流可控硅代理

如果把二極管換成可控硅,就可以構(gòu)成可控整流電路。單相整流可控硅代理

    *運(yùn)行地點(diǎn)無導(dǎo)電及性塵埃,無腐蝕金屬及破壞絕緣的氣體或蒸汽。*無劇烈震動(dòng)和沖擊?!霭惭b使用須知:*使用前認(rèn)真閱讀本說明書,嚴(yán)格按要求接線使用。*接線時(shí)要嚴(yán)格保持主電路電源RST與觸發(fā)板電源、控制信號相位一致。*主電路與控制電路配線時(shí)務(wù)必不要束在一起。*要避免環(huán)境溫度超過75℃,盤內(nèi)溫度超過75℃時(shí),請充分考慮盤內(nèi)通風(fēng)問題。*安裝時(shí)建議各方均留出20mm的空間。*請采用,電壓電流反饋及電位器連接導(dǎo)線請分別用絞和線連接。*關(guān)于可控硅輸出電壓、電流的測量請使用測量非正弦量“有效值”的儀表。如:電磁式(動(dòng)鐵式)或電動(dòng)勢電壓表、電流表?!黾夹g(shù)規(guī)格:輸入額定電壓3ΦA(chǔ)C380V±15%,50Hz控制電源≤20VA輸出額定電壓輸入電壓的0~95%負(fù)載特性電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)主要控制特性控制信號0.DC4~20mA輸入阻抗100Ω1.DC0~10mA輸入阻抗100Ω2.DC0~5V輸入阻抗>20KΩ3.DC0~10V輸入阻抗>20KΩ4.其它信號(用戶訂貨時(shí)提出)軟起動(dòng)時(shí)間1~10s,出廠時(shí)整定在2s故障報(bào)警LED顯示,報(bào)警觸點(diǎn):AC250V/3A,阻性(故障時(shí)閉合)斜率設(shè)定范圍0~***下點(diǎn)設(shè)定范圍0~***保護(hù)斷相保護(hù)輸入電源斷相時(shí)保護(hù)過流保護(hù)輸出電流≥。單相整流可控硅代理

上海凱月電子科技有限公司致力于電子元器件,是一家貿(mào)易型的公司。公司自成立以來,以質(zhì)量為發(fā)展,讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié),公司旗下可控硅觸發(fā)板,電力調(diào)整器,SCR調(diào)功器,SCR整流器深受客戶的喜愛。公司秉持誠信為本的經(jīng)營理念,在電子元器件深耕多年,以技術(shù)為先導(dǎo),以自主產(chǎn)品為重點(diǎn),發(fā)揮人才優(yōu)勢,打造電子元器件良好品牌。上海凱月電子科技憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來的聲譽(yù)和口碑,讓企業(yè)發(fā)展再上新高。