浙江可控硅調壓器

來源: 發(fā)布時間:2021-09-10

    它可***的應用于工業(yè)各領域的電壓電流調節(jié),適用于電阻性負載、電感性負載、變壓器一次側及各種整流裝置等,主要應用于以下負載:*以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。*鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。*白金漏板、石墨、鉬絲、鉬棒、不銹鋼等特殊負載的控制。*整流變壓器、調功機(純電感線圈)、電爐變壓器一次側、直流電機控制。*單相電焊機控制、高壓靜電除塵設備、植絨設備等各種調壓場合*電壓、電流、功率、燈光等無級平滑調節(jié)。一.技術規(guī)格?功率元件:進口單向反并聯可控硅(晶閘管)模塊?負載電源:單相220、380VAC±10%50HZ?電流容量:25A50A、100A150A200A250A350AAC?控制板電源與功耗:220或380VAC±10%50HZ通用,功耗:2W比較大?風扇電源(根據型號配備):電壓:220VAC電流:A以下?自動控制輸入:4~20mADC輸入,接收阻抗120Ω;(默認輸入信號)0~5VDC輸入,輸入電阻>20KΩ(定貨時需說明)0~10VDC輸入,輸入電阻>20KΩ(訂貨聲明)?LED狀態(tài)顯示LED名稱功能狀態(tài)顏色現象含義POW電源指示1紅色亮電源正常TH溫度指示2紅色亮裝置溫度異常IH過流指示3紅色亮過電流?控制方式:調相控制:連續(xù)調壓。以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。浙江可控硅調壓器

    采用比較常用的NPN三級管S8050和PNP三極管S8550來設計制作實際的測試電路板(PCB),如圖5所示。圖6中所標識的T2、T1和G與圖5所示的相同,也類似于雙向可控硅的T2、T1和G三個接線極。利用該模塊電路串入負載接通正或負的直流電源和觸發(fā)信號來測試,所得結果如圖7所示,在正或負觸發(fā)信號接入前電流表上的指示為0,當正或負觸發(fā)信號接通并撤離后電流表指示依然保持原來的電流值。該實驗表明該電路在正負電源供電情況下能雙向觸發(fā)導通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號時,其測驗結果如圖8所示。示波器探針1接觸發(fā)信號,探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓。在觸發(fā)信號為0是,T1-T2之間的電壓等于電源電壓值,表明該電路沒有導通,當觸發(fā)信號脈沖到來時,T1-T2兩端的電壓值為0,表明模塊電路已經導通。4結束語在詳細解讀了雙向可控硅的內部結構和工作原理的基礎之上,設計了一款以7個三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發(fā)的控制電路。利用常用的對管S8050和S8550制作出實驗電路驗證了該電路的正確性。在今后具體運用過程中可以通過對此電路的相關器件做適當調整來滿足具體的需求和設計要求。同時。四川可控硅模塊晶閘管也用于各級鐵路機車系統(tǒng)中,以實現牽引馬達的微調。

    摘要:為了深入了解雙向可控硅內部電路和工作原理,以運用簡便易懂的三極管為主,依據雙向可控硅內部P型半導體和N型半導體的分布,設計一種可以被雙向觸發(fā)導通的電路。并從理論上來對其進行論述,通過實際電路制作對其進行了驗證,在實際運用方面達到與雙向可控硅具有同樣的效果。0引言雙向可控硅(TRIAC)在控制交流電源控制領域的運用非常***,如我們的日光燈調光電路、交流電機轉速控制電路等都主要是利用雙向可控硅可以雙向觸發(fā)導通的特點來控制交流供電電源的導通相位角,從而達到控制供電電流的大小[1]。然而對其工作原理和結構的描述,以我們可以查悉的資料都只是很淺顯地提及,大部分都是對它的外圍電路的應用和工作方式、參數的選擇等等做了比較多的描述,更進一步的--哪怕是內部方框電路--內容也很難找到。由于可控硅所有的電子部件是集成在同一硅源之上,我們根本是不可能通過采用類似機械的拆卸手段來觀察其內部結構。為了深入了解和運用可控硅,依據現有可查資料所給P型和N型半導體的分布圖,采用分離元器件--三極管、電阻和電容--來設計一款電路,使該電路在PN的連接、分布和履行的功能上完全與雙向可控硅類似。

    如It12和It21所示,It12流向是從P2流入經N2-P1-N1流出,It21從P1流入經N2-P2-N32流出;G極觸發(fā)電流Ig+由P2流入或Ig-從N31流出。下面是所設計電路在四個象限的觸發(fā)導通工作過程。T2接電源Vt21正極,T1接通電源Vt21負此時當G極接Vg+為正電壓,Q4、Q5、Q6、Q7處于反向截止,Q1的B極和E極之間無正偏壓也處于截止狀態(tài),Vg+由P2輸入后經R3使Q2的B極和E極之間產生正偏電壓而導通,從而促使Q3導通,這時即使撤出Vg+,在電容C1的的作用下,Q2、Q3也仍然能處于導通狀態(tài),只有當Vt21先反向或撤除才重回截止。當G極接Vg為負,Q4、Q5、Q6、Q7同樣處于反向截止狀態(tài),Q1的B極和E極之間因Vg產生正偏電壓而導通,從而使Q3、Q2導通并得以保持導通狀態(tài)。T1接電源Vt12正極,T2接通負電源Vt12的負極此時G極接Vg為正,Q1因B極和E極之間處于反向偏壓而截止,Q3處于反向截止,Q2因B極和E極之間處于正向偏壓導通而導致Q4、Q7的導通,從而Q6、Q7導通并保持導通狀態(tài),只有當Vt12先反向或撤除才重回截止。當G極接Vg為負,Q1、Q2、Q3和Q4處于反向截止,Q5的B極和E極之間因Vg而處于正偏導通,從而使Q6導通,繼而Q7、Q6導通并得以保持導通狀態(tài)。3電路制作與實驗驗證為了驗證所設計電路。調整器具有“自動限流”功能,負載電流大于額定值時,調壓器輸出電流被限制在額定值左右。

    選用具有溫度補償特性的2CW234系列硅穩(wěn)壓管作為基準源,并選擇其穩(wěn)定電壓為6.4V。由特性較好的三端集成穩(wěn)壓器供電,限流電阻采用精密金屬膜電阻R(溫度系數約為±1×10-5/℃)。為了減小噪聲的影響,將穩(wěn)壓管封裝在盛油的小容器里,噪聲指標將會有明顯的改善。電壓取樣如圖2所示。分別將調整管的集-射極電壓經電阻分壓,并將分壓后的射極電壓通過一電阻送入比較放大器反相端;在集電極電壓的取樣電路中串入一穩(wěn)壓管,由該管決定調整管壓降大小。此處選3.3V。并將集電極電壓減去穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值后分壓送入比較放大器的同相端。為保證取樣精度,應使集-射極采樣電阻完全對稱,并選取溫度特性較好、同一型號的精密金屬膜電阻。比較放大器采用集成運放并接成負反饋。令R1=R3,R2=R4;設分壓系數n=R2/(R1+R2);集成運算放大器輸出為Uo;放大系數為K;調整管集電極電壓為UC;調整管發(fā)射極電壓為UE;A點電壓為UA;B點電壓為UB;有:當調整管壓降增大,UcE上升,使Uo增大,即觸發(fā)器的控制電壓Ub增大,而集成觸發(fā)器KJ785是負極型的:控制電壓增大,導通角減小。因此,觸發(fā)脈沖后移,整流輸出減小。可控硅整流擔任***步的穩(wěn)壓工作??煽毓栌|發(fā)板是通過調整可控硅的導通角來實現電氣設備的電壓電流功率調整的一種移相型的電力控制器。四川可控硅調壓器

半導體PN結在正向偏置時電流很大,反向偏置時電流很小。浙江可控硅調壓器

    新型跟.蹤式可控硅直流穩(wěn)壓電源信息時代里,BP機已成為常用的通信工具。目前,我國BP機總臺的發(fā)射設備都采用進口設備,其輸出電壓為13.8V,電流為15~20A。進口電源不帶可控硅部分,而我國電網波動較大,為此設計了這種低成本穩(wěn)壓電源。該設計在串聯反饋調整型穩(wěn)壓電源的基礎上加裝了可控硅相位控制裝置,用調整管兩端壓降來控制可控硅觸發(fā)的導通角,維持調整管壓降不變,從而設計出跟.蹤式大功率直流穩(wěn)壓電源。該穩(wěn)壓電源限制了調整管功耗,實現了大功率。該穩(wěn)壓電源主要由單相半控橋整流濾波、線性穩(wěn)壓器及可控硅相位控制等環(huán)節(jié)組成,并加裝了過流保護、短路保護、過熱保護裝置及顯示部分。在220V電網電壓波動±15%情況下,輸出電壓13.8V,輸出電流可達20A。由于采用了可控硅相位控制技術,能將調整管兩端壓降限制在3V左右,功耗不大于40W,提高了電源效率。當輸出電流超過20A時,限流保護可減小輸出電流。若輸出短路,短路保護輸出***信號關斷可控硅。調整管溫度高于60℃時啟動電扇,溫度低于40℃時關斷電扇,溫度高于80℃時關斷可控硅。該電源采用集成可控硅觸發(fā)器,雙運算放大器及具有溫度補償的穩(wěn)壓管作基準源,并配有三端穩(wěn)壓器作為輔助電源,實現了高精度。浙江可控硅調壓器

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