P3電位器調(diào)整。調(diào)整范圍*電壓限制：板內(nèi)P1電位器或外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍0~****電流限制（選件）：內(nèi)置電流變換器，外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍20%~****過流報警（選件）：內(nèi)置電流變換器，板內(nèi)P2電位器調(diào)整。調(diào)整范圍***~150%*散熱器超溫保護:75℃溫度開關，常閉接點動作時間：<10ms*起動/停止開關:外接開關*調(diào)功/調(diào)壓切換(選件):外接開關*工作環(huán)境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無結(jié)露海拔高度2000m以下存儲溫度：-30~+60℃其它要求：通風良好，不受日光直射或熱輻射，無腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼，500VDC；**小控制板電源端與外殼，500VDC；控制輸入端與外殼，500VDC；控制板輸入端與電源端，500VDC*介電強度：模塊輸出端與外殼之間，2000VAC1分鐘；控制電源端與外殼之間，2000VAC1分鐘單相電力調(diào)整器是移相型閉環(huán)電力控制器，其**部件采用國外生產(chǎn)的高性能、高可靠性的**級可控硅觸發(fā)**集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調(diào)整。現(xiàn)場調(diào)試一般不需要示波器即可完成。 可控硅調(diào)整器能與國內(nèi)外各種控制儀表、微機的輸出信號直接接口。鹽城逆變器可控硅
工作原理
本控制器輸出觸發(fā)脈沖必須同時具備兩個條件，分別是：控制輸入有效和可控硅兩端電壓為零，兩個條件缺其中任何一個都不能輸出觸發(fā)脈沖?？刂菩盘栍行У妮^早周波檢測過零，過零條件滿足即輸出觸發(fā)脈沖，在以后的控制信號有效的時間段內(nèi)持續(xù)輸出觸發(fā)脈沖。
性能特點
高可靠的可控硅電壓過零觸發(fā)，三相**控制，脈沖隔離輸出，安全可靠。
有自同步功能，免去傳統(tǒng)可控硅電路認定同步和相序的麻煩，使用與調(diào)試方便。
適用于阻性負載、感性負載、容性負載等類型。
一體化結(jié)構(gòu)，接線簡單，互換性好。
驅(qū)動能力強，每路可以輸出600毫安的電流，6V觸發(fā)電壓,可以驅(qū)動4000A可控硅。
工作可靠,有非常強的抗干擾能力，適用性強，耐壓高。
鹽城逆變器可控硅輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調(diào)整。
焊接場效應管是比較方便的，并且確保安全；在未關斷電源時，***不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。（5）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸５毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作?？傊?，確保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā)，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應管。三.VMOS場效應管VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高.效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動電流?。é藺左右），還具有耐壓高（比較高1200V）、工作電流大（～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優(yōu)良特性。
該充電器除可為各種鎳鎘電池充電外，也可為干電池充電。其充電電流可調(diào)。充電終止電壓由RP1預先確定。開始充電時，電池組兩端電壓較低，不足以使晶體管VT導通。由RC組成的移相電路給可控硅提供觸發(fā)電流。移相角度由RP2決定。負半周時可控硅截止。因此可控硅以可控半波整流方式經(jīng)電池組充電。調(diào)整RP2即可調(diào)整充電電流，比較大充電電流由R1既定。指示燈串在電路中以指示充電情況和充電電流的大小。R3用以調(diào)節(jié)指示燈的亮度。當電池組電壓慢慢升高，快到預定值時，三極管開始導通，可控硅的導通角減小，充電電流下降，直至完全截止，這樣充電自動停止，并使電池組保持在預定電壓上。因為當電壓下降時，晶體管又趨向截止，可控硅重新啟動，不過此時導通角很小，電流出很小，對充電電池有保護作用，防止過充。元器件選擇與制作元器件清單見下表。編號名稱型號數(shù)量R1電阻（需調(diào)整）1R2電阻1R3電阻根據(jù)指示燈選用1RP1電位器100K1RP2電位器2K1C滌綸電容1VD1、VD2晶體二極管2CP類2VT晶體三極管3DG類1VS單向可控硅1A/25V1元器件連接完成，檢查無誤，即可進行調(diào)整。調(diào)整時，將電流表串在輸入回路中，先將R3短路，RP2旋至阻值**小處，調(diào)整R1?？煽毓枵{(diào)整器可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制。
控制交流負載回路的通斷，通常會用到繼電器。繼電器是機械式觸點的電磁元器件，可以實現(xiàn)弱電控制強電的目的。但是在帶電流分斷負載回路時，會產(chǎn)生電弧腐蝕觸點，降低了繼電器的使用壽命，并且繼電器觸點的響應時間在ms級別，不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來控制交流回路的通斷，那么可以考慮使用可控硅來實現(xiàn)。1什么是可控硅可控硅是具有四層結(jié)構(gòu)的PNPN型半導體器件，可以看作是由兩個三極管所構(gòu)成的元器件，可控硅的半導體結(jié)構(gòu)如下圖所示?？煽毓鑿膶ǚ较蚩梢苑譃閱蜗蚩煽毓鑃CR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個電極分別是陽極A、陰極K和控制極G；雙向可控硅的三個電極分別為T1，T2以及控制G?？煽毓璧脑趯ê?，及時將控制信號去掉，可控硅仍然處于導通狀態(tài)。在交流負載回路中，一般使用雙向可控硅。2可控硅控制回路的設計單片機控制可控硅回路的通斷時，比較好使用光耦做隔離。所設計的可控硅控制電路如下圖所示。單片機的輸出端接三極管的基極，通過三極管來控制光耦的通斷，圖中以燈泡作為負載。當單片機輸出高電平時，光耦導通，此時可控硅的控制極有觸發(fā)信號，并且T1和T2上的交流電源滿足導通條件。單片機輸出低電平時，光耦截止。觸發(fā)板應用于工業(yè)各領域的電壓電流調(diào)節(jié)，用于電阻性負載、電感性負載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等。靈敏可控硅采購
電壓、電流、功率、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無級平滑調(diào)節(jié)。鹽城逆變器可控硅
2）用測電阻法判別場效應管的好壞測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進行檢測。（3）用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極Ｓ，黑表筆接漏極Ｄ，給場效應管加上Ｖ的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場效應管的柵極Ｇ，將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Iｂ都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化。鹽城逆變器可控硅
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