單相整流可控硅芯片廠家

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-14

    控制交流負(fù)載回路的通斷,通常會(huì)用到繼電器。繼電器是機(jī)械式觸點(diǎn)的電磁元器件,可以實(shí)現(xiàn)弱電控制強(qiáng)電的目的。但是在帶電流分?jǐn)嘭?fù)載回路時(shí),會(huì)產(chǎn)生電弧腐蝕觸點(diǎn),降低了繼電器的使用壽命,并且繼電器觸點(diǎn)的響應(yīng)時(shí)間在ms級(jí)別,不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來控制交流回路的通斷,那么可以考慮使用可控硅來實(shí)現(xiàn)。1什么是可控硅可控硅是具有四層結(jié)構(gòu)的PNPN型半導(dǎo)體器件,可以看作是由兩個(gè)三極管所構(gòu)成的元器件,可控硅的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如下圖所示??煽毓鑿膶?dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個(gè)電極分別是陽極A、陰極K和控制極G;雙向可控硅的三個(gè)電極分別為T1,T2以及控制G。可控硅的在導(dǎo)通后,及時(shí)將控制信號(hào)去掉,可控硅仍然處于導(dǎo)通狀態(tài)。在交流負(fù)載回路中,一般使用雙向可控硅。2可控硅控制回路的設(shè)計(jì)單片機(jī)控制可控硅回路的通斷時(shí),比較好使用光耦做隔離。所設(shè)計(jì)的可控硅控制電路如下圖所示。單片機(jī)的輸出端接三極管的基極,通過三極管來控制光耦的通斷,圖中以燈泡作為負(fù)載。當(dāng)單片機(jī)輸出高電平時(shí),光耦導(dǎo)通,此時(shí)可控硅的控制極有觸發(fā)信號(hào),并且T1和T2上的交流電源滿足導(dǎo)通條件。單片機(jī)輸出低電平時(shí),光耦截止。隔離開關(guān)應(yīng)能同時(shí)提供滿足負(fù)載的電流和蓄電池的再充電電流,并能承受較大的短路電流。單相整流可控硅芯片廠家

工作原理

本控制器輸出觸發(fā)脈沖必須同時(shí)具備兩個(gè)條件,分別是:控制輸入有效和可控硅兩端電壓為零,兩個(gè)條件缺其中任何一個(gè)都不能輸出觸發(fā)脈沖??刂菩盘?hào)有效的較早周波檢測(cè)過零,過零條件滿足即輸出觸發(fā)脈沖,在以后的控制信號(hào)有效的時(shí)間段內(nèi)持續(xù)輸出觸發(fā)脈沖。


性能特點(diǎn)

高可靠的可控硅電壓過零觸發(fā),三相**控制,脈沖隔離輸出,安全可靠。

有自同步功能,免去傳統(tǒng)可控硅電路認(rèn)定同步和相序的麻煩,使用與調(diào)試方便。

適用于阻性負(fù)載、感性負(fù)載、容性負(fù)載等類型。

一體化結(jié)構(gòu),接線簡(jiǎn)單,互換性好。

驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng),每路可以輸出600毫安的電流,6V觸發(fā)電壓,可以驅(qū)動(dòng)4000A可控硅。

工作可靠,有非常強(qiáng)的抗干擾能力,適用性強(qiáng),耐壓高。


山東通用可控硅可控硅調(diào)壓器是一種以可控硅(電力電子功率器件)為基礎(chǔ),以**控制電路為**的電源功率控制電器。

    主要應(yīng)用如下:◇以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制?!篼}浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度控制?!笳髯儔浩?、電爐變壓器一次側(cè)控制。◇真空鍍膜設(shè)備等◇三相力矩電動(dòng)機(jī)的速度控制?!箅妷?、電流、功率、燈光等無級(jí)平滑調(diào)節(jié)?!蠛銐?、恒流、恒功率控制?!鎏攸c(diǎn):*可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制。*采用移相式觸發(fā)方式、適用于阻性負(fù)載、感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)等各種負(fù)載類型。*能與國內(nèi)外各種控制儀表、微機(jī)的輸出信號(hào)直接接口。*一臺(tái)儀表可以同時(shí)控制多臺(tái)觸發(fā)板。*具有軟啟動(dòng)功能,減少對(duì)電網(wǎng)的沖擊干擾,使主電路更加安全可靠。*脈沖輸出對(duì)稱度小于。*同步電壓范圍寬。恒電壓反饋:電源電壓波動(dòng)±10%,負(fù)載阻抗變化10倍時(shí),負(fù)荷電壓保持恒定,輸出電壓與控制信號(hào)成線性關(guān)系恒電流反饋:電源電壓波動(dòng)±10%,負(fù)載阻抗變化10倍時(shí),負(fù)荷電流保持恒定,輸出電流與控制信號(hào)成線性關(guān)系恒功率反饋:電源電壓波動(dòng)±10%,負(fù)載阻抗變化10倍時(shí),負(fù)荷功率保持恒定,輸出功率與控制信號(hào)成線性關(guān)系■正常使用條件:*海拔不超過3000米。*工作環(huán)境溫度-30℃~55℃。*空氣比較大相對(duì)濕度不超過90%。

    只要用萬用表測(cè)出A極和G極即可。將萬用表置于R×1kΩ檔,兩表筆任接被測(cè)晶閘管的某兩個(gè)引腳(測(cè)其正、反向電阻值),若測(cè)出某對(duì)引腳為低阻值時(shí),則黑表筆接的陽極A,而紅表筆接的是門極G,另外一個(gè)引腳即是陰極K。(2)判斷其好壞:用萬用表R×1kΩ檔測(cè)量BTG晶閘管各電極之間的正、反向電阻值。正常時(shí),陽極A與陰極K之間的正、反向電阻均為無窮大;陽極A與門極G之間的正向電阻值(指黑表筆接A極時(shí))為幾百歐姆至幾千歐姆,反向電阻值為無窮大。若測(cè)得某兩極之間的正、反向電阻值均很小,則說明該晶閘管已短路損壞。(3)觸發(fā)能力檢測(cè):將萬用表置于R×1Ω檔,黑表筆接陽極A,紅表筆接陰極K,測(cè)得阻值應(yīng)為無窮大。然后用手指觸摸門極G,給其加一個(gè)人體感應(yīng)信號(hào),若此時(shí)A、K極之間的電阻值由無窮大變?yōu)榈妥柚?數(shù)歐姆),則說明晶閘管的觸發(fā)能力良好。否則說明此晶閘管的性能不良。在雙變換UPS中,此裝置既為逆變器供電,又給蓄電池充電,故稱為整流器/充電機(jī)。

   門極關(guān)斷晶閘管的檢測(cè)1)判別各電極:門極關(guān)斷晶閘管三個(gè)電極的判別方法與普通晶閘管相同,即用萬用表的R×100檔,找出具有二極管特性的兩個(gè)電極,其中一次為低阻值(幾百歐姆),另一次阻值較大。在阻值小的那一次測(cè)量中,紅表筆接的是陰極K,黑表筆接的是門極G,剩下的一只引腳即為陽極A。觸發(fā)能力和關(guān)斷能力的檢測(cè):可關(guān)斷晶閘管觸發(fā)能力的檢測(cè)方法與普通晶閘管相同。檢測(cè)門極關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷能力時(shí),可先按檢測(cè)觸發(fā)能力的方法使晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài),即用萬用表R×1檔,黑表筆接陽極A,紅表筆接陰極K,測(cè)得電阻值為無窮大。再將A極與門極G短路,給G極加上正向觸發(fā)信號(hào)時(shí),晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,其A、K極間電阻值由無窮大變?yōu)榈妥锠顟B(tài)。斷開A極與G極的短路點(diǎn)后,晶閘管維持低阻導(dǎo)通狀態(tài),說明其觸發(fā)能力正常。再在晶閘管的門極G與陽極A之間加上反向觸發(fā)信號(hào),若此時(shí)A極與K極間電阻值由低阻值變?yōu)闊o窮大,則說明晶閘管的關(guān)斷能力正常,圖7是關(guān)斷能力的檢測(cè)示意圖。也可以電路來檢測(cè)門極關(guān)斷晶閘管的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力。電路中,EL為6.3V指示燈(小電珠),S為轉(zhuǎn)換開關(guān),VT為被測(cè)晶閘管。當(dāng)開關(guān)S關(guān)斷時(shí),晶閘管不導(dǎo)通,指示燈不亮。將開關(guān)S的K1觸點(diǎn)接通時(shí)。 可控硅觸發(fā)板用于水泵、風(fēng)機(jī)等軟啟動(dòng)控制,調(diào)速節(jié)能控制等。通用可控硅定做

大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。單相整流可控硅芯片廠家

    可控硅檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)可控硅(SCR)國際通用名稱為Thyyistoy,中文簡(jiǎn)稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作,具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn),它是大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中。1.可控硅的特性??煽毓璺謫蜗蚩煽毓琛㈦p向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有***陽極A1(T1),第二陽極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向。單相整流可控硅芯片廠家

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