固態(tài)繼電器（過零觸發(fā)電路）MOC3061實物圖：電路如圖3所示，圖中MOC3061為光電耦合雙向可控硅驅(qū)動器，也屬于光電耦合器的一種，用來驅(qū)動雙向可控硅BCR并且起到隔離的作用，R6為觸發(fā)限流電阻，R7為BCR門極電阻，防止誤觸發(fā)，提高抗干擾能力。當單片機80C51的，MOC3061導通，觸發(fā)BCR導通，接通交流負載。另外，若雙向可控硅接感**流負載時，由于電源電壓超前負載電流一個相位角，因此，當負載電流為零時，電源電壓為反向電壓，加上感性負載自感電動勢el作用，使得雙向可控硅承受的電壓值遠遠超過電源電壓。雖然雙向可控硅反向?qū)?，但容易擊穿，故必須使雙向可控硅能承受這種反向電壓。一般在雙向可控硅兩極間并聯(lián)一個RC阻容吸收電路，實現(xiàn)雙向可控硅過電壓保護，圖3中的C2、R8為RC阻容吸收電路。樣鑒別測試可控硅的好壞？鑒別可控硅三個極分別是什么？具體的方法和步驟如下：鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。當采用遠端溫度檢測器時，整流器/充電機應(yīng)自動調(diào)節(jié)蓄電池浮充電壓（一般按?5mv/只/℃）。南通可控硅廠家
如It12和It21所示，It12流向是從P2流入經(jīng)N2-P1-N1流出，It21從P1流入經(jīng)N2-P2-N32流出；G極觸發(fā)電流Ig+由P2流入或Ig-從N31流出。下面是所設(shè)計電路在四個象限的觸發(fā)導通工作過程。T2接電源Vt21正極，T1接通電源Vt21負此時當G極接Vg+為正電壓，Q4、Q5、Q6、Q7處于反向截止，Q1的B極和E極之間無正偏壓也處于截止狀態(tài)，Vg+由P2輸入后經(jīng)R3使Q2的B極和E極之間產(chǎn)生正偏電壓而導通，從而促使Q3導通，這時即使撤出Vg+，在電容C1的的作用下，Q2、Q3也仍然能處于導通狀態(tài)，只有當Vt21先反向或撤除才重回截止。當G極接Vg為負，Q4、Q5、Q6、Q7同樣處于反向截止狀態(tài)，Q1的B極和E極之間因Vg產(chǎn)生正偏電壓而導通，從而使Q3、Q2導通并得以保持導通狀態(tài)。T1接電源Vt12正極，T2接通負電源Vt12的負極此時G極接Vg為正，Q1因B極和E極之間處于反向偏壓而截止，Q3處于反向截止，Q2因B極和E極之間處于正向偏壓導通而導致Q4、Q7的導通，從而Q6、Q7導通并保持導通狀態(tài)，只有當Vt12先反向或撤除才重回截止。當G極接Vg為負，Q1、Q2、Q3和Q4處于反向截止，Q5的B極和E極之間因Vg而處于正偏導通，從而使Q6導通，繼而Q7、Q6導通并得以保持導通狀態(tài)。3電路制作與實驗驗證為了驗證所設(shè)計電路。英飛凌可控硅功率可控硅調(diào)整器采用移相式觸發(fā)方式、適用于阻性負載、感性負載、變壓器一次側(cè)等各種負載類型。
在有充分調(diào)節(jié)余量的前提下維持輸出電壓的恒定。觸發(fā)板還可以通過輔助控制功能實現(xiàn)軟起動、軟關(guān)斷，外部信號轉(zhuǎn)換等功能。恒功率特性觸發(fā)板，其內(nèi)環(huán)為電流環(huán)，外環(huán)為功率環(huán)，其原理與上相同。恒電流特性觸發(fā)板，只有一個電流調(diào)節(jié)環(huán)節(jié)。功能特點*采用移相觸發(fā)方式，適用于阻性、感性負載，變壓器一次側(cè)*具有多種控制信號選擇。*具有“自動限流”功能，負載電流大于額定值時，調(diào)壓器輸出電流被限制在額定值左右。*具有軟起動、軟關(guān)斷功能，減少對電網(wǎng)的沖擊和干擾，使主回路晶閘管更加安全可靠。*具有恒電壓、恒電流、恒功率三種反饋形式供用戶選擇。*具有輸入電源斷相、過電流、晶閘管過熱等保護功能，保護時相應(yīng)的發(fā)光二極管指示燈亮，同時故障報警輸出接點動作。*主電路和控制電路一體化結(jié)構(gòu)，體積小，重量輕，使用、維護十分方便詞條標簽：科技產(chǎn)品。
只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。只有當***陽極A1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。2.單向可控硅的檢測。萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應(yīng)不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。3.雙向可控硅的檢測。用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為***陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻。可控硅調(diào)整器可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制。
P3電位器調(diào)整。調(diào)整范圍*電壓限制：板內(nèi)P1電位器或外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍0~****電流限制（選件）：內(nèi)置電流變換器，外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍20%~****過流報警（選件）：內(nèi)置電流變換器，板內(nèi)P2電位器調(diào)整。調(diào)整范圍***~150%*散熱器超溫保護:75℃溫度開關(guān)，常閉接點動作時間：<10ms*起動/停止開關(guān):外接開關(guān)*調(diào)功/調(diào)壓切換(選件):外接開關(guān)*工作環(huán)境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無結(jié)露海拔高度2000m以下存儲溫度：-30~+60℃其它要求：通風良好，不受日光直射或熱輻射，無腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼，500VDC；**小控制板電源端與外殼，500VDC；控制輸入端與外殼，500VDC；控制板輸入端與電源端，500VDC*介電強度：模塊輸出端與外殼之間，2000VAC1分鐘；控制電源端與外殼之間，2000VAC1分鐘單相電力調(diào)整器是移相型閉環(huán)電力控制器，其**部件采用國外生產(chǎn)的高性能、高可靠性的**級可控硅觸發(fā)**集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調(diào)整?，F(xiàn)場調(diào)試一般不需要示波器即可完成。半導體PN結(jié)在正向偏置時電流很大，反向偏置時電流很小。南通可控硅廠家
嚴格控制貯存時間ts并恰當調(diào)整整機電路，就可以降低對hFE參數(shù)的依賴程度。南通可控硅廠家
用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。雙向可控硅的檢測。用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為***陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為***陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接***陽極A1，此時萬用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?；Q紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接***陽極A1。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發(fā)電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律。南通可控硅廠家
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