P3電位器調(diào)整。調(diào)整范圍*電壓限制：板內(nèi)P1電位器或外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍0~****電流限制（選件）：內(nèi)置電流變換器，外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍20%~****過流報(bào)警（選件）：內(nèi)置電流變換器，板內(nèi)P2電位器調(diào)整。調(diào)整范圍***~150%*散熱器超溫保護(hù):75℃溫度開關(guān)，常閉接點(diǎn)動(dòng)作時(shí)間：<10ms*起動(dòng)/停止開關(guān):外接開關(guān)*調(diào)功/調(diào)壓切換(選件):外接開關(guān)*工作環(huán)境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無(wú)結(jié)露海拔高度2000m以下存儲(chǔ)溫度：-30~+60℃其它要求：通風(fēng)良好，不受日光直射或熱輻射，無(wú)腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼，500VDC；**小控制板電源端與外殼，500VDC；控制輸入端與外殼，500VDC；控制板輸入端與電源端，500VDC*介電強(qiáng)度：模塊輸出端與外殼之間，2000VAC1分鐘；控制電源端與外殼之間，2000VAC1分鐘單相電力調(diào)整器是移相型閉環(huán)電力控制器，其**部件采用國(guó)外生產(chǎn)的高性能、高可靠性的**級(jí)可控硅觸發(fā)**集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對(duì)脈沖對(duì)稱度及限位進(jìn)行調(diào)整?，F(xiàn)場(chǎng)調(diào)試一般不需要示波器即可完成。整流器/充電機(jī)應(yīng)有蓄電池充電電流限流電路，將蓄電池充電電流限制到UPS額定輸出容量（KW）的15%。蘇州正高牌可控硅
用短線瞬間短接陽(yáng)極A和控制極G，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。雙向可控硅的檢測(cè)。用萬(wàn)用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無(wú)窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí)，該組紅、黑表所接的兩引腳為***陽(yáng)極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽(yáng)極A2。確定A1、G極后，再仔細(xì)測(cè)量A1、G極間正、反向電阻，讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為***陽(yáng)極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽(yáng)極A2，紅表筆接***陽(yáng)極A1，此時(shí)萬(wàn)用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無(wú)窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?；Q紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽(yáng)極A2，黑表筆接***陽(yáng)極A1。同樣萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無(wú)窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負(fù)的觸發(fā)電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律。蘇州正高牌可控硅大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。
門極關(guān)斷晶閘管的檢測(cè)1)判別各電極：門極關(guān)斷晶閘管三個(gè)電極的判別方法與普通晶閘管相同，即用萬(wàn)用表的R×100檔，找出具有二極管特性的兩個(gè)電極，其中一次為低阻值(幾百歐姆)，另一次阻值較大。在阻值小的那一次測(cè)量中，紅表筆接的是陰極K，黑表筆接的是門極G，剩下的一只引腳即為陽(yáng)極A。觸發(fā)能力和關(guān)斷能力的檢測(cè)：可關(guān)斷晶閘管觸發(fā)能力的檢測(cè)方法與普通晶閘管相同。檢測(cè)門極關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷能力時(shí)，可先按檢測(cè)觸發(fā)能力的方法使晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)，即用萬(wàn)用表R×1檔，黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，測(cè)得電阻值為無(wú)窮大。再將A極與門極G短路，給G極加上正向觸發(fā)信號(hào)時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通，其A、K極間電阻值由無(wú)窮大變?yōu)榈妥锠顟B(tài)。斷開A極與G極的短路點(diǎn)后，晶閘管維持低阻導(dǎo)通狀態(tài)，說(shuō)明其觸發(fā)能力正常。再在晶閘管的門極G與陽(yáng)極A之間加上反向觸發(fā)信號(hào)，若此時(shí)A極與K極間電阻值由低阻值變?yōu)闊o(wú)窮大，則說(shuō)明晶閘管的關(guān)斷能力正常，圖7是關(guān)斷能力的檢測(cè)示意圖。也可以電路來(lái)檢測(cè)門極關(guān)斷晶閘管的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力。電路中，EL為6．3V指示燈(小電珠)，S為轉(zhuǎn)換開關(guān)，VT為被測(cè)晶閘管。當(dāng)開關(guān)S關(guān)斷時(shí)，晶閘管不導(dǎo)通，指示燈不亮。將開關(guān)S的K1觸點(diǎn)接通時(shí)。
選用具有溫度補(bǔ)償特性的2CW234系列硅穩(wěn)壓管作為基準(zhǔn)源，并選擇其穩(wěn)定電壓為6．4V。由特性較好的三端集成穩(wěn)壓器供電，限流電阻采用精密金屬膜電阻R（溫度系數(shù)約為±1×10－5／℃）。為了減小噪聲的影響，將穩(wěn)壓管封裝在盛油的小容器里，噪聲指標(biāo)將會(huì)有明顯的改善。電壓取樣如圖2所示。分別將調(diào)整管的集－射極電壓經(jīng)電阻分壓，并將分壓后的射極電壓通過一電阻送入比較放大器反相端；在集電極電壓的取樣電路中串入一穩(wěn)壓管，由該管決定調(diào)整管壓降大小。此處選3．3V。并將集電極電壓減去穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值后分壓送入比較放大器的同相端。為保證取樣精度，應(yīng)使集－射極采樣電阻完全對(duì)稱，并選取溫度特性較好、同一型號(hào)的精密金屬膜電阻。比較放大器采用集成運(yùn)放并接成負(fù)反饋。令R1＝R3，R2＝R4；設(shè)分壓系數(shù)n＝R2／（R1＋R2）；集成運(yùn)算放大器輸出為Uo；放大系數(shù)為K；調(diào)整管集電極電壓為UC；調(diào)整管發(fā)射極電壓為UE；A點(diǎn)電壓為UA；B點(diǎn)電壓為UB；有：當(dāng)調(diào)整管壓降增大，UcE上升，使Uo增大，即觸發(fā)器的控制電壓Ub增大，而集成觸發(fā)器KJ785是負(fù)極型的：控制電壓增大，導(dǎo)通角減小。因此，觸發(fā)脈沖后移，整流輸出減小?？煽毓枵鲹?dān)任***步的穩(wěn)壓工作。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對(duì)脈沖對(duì)稱度及限位進(jìn)行調(diào)整。
控制交流負(fù)載回路的通斷，通常會(huì)用到繼電器。繼電器是機(jī)械式觸點(diǎn)的電磁元器件，可以實(shí)現(xiàn)弱電控制強(qiáng)電的目的。但是在帶電流分?jǐn)嘭?fù)載回路時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電弧腐蝕觸點(diǎn)，降低了繼電器的使用壽命，并且繼電器觸點(diǎn)的響應(yīng)時(shí)間在ms級(jí)別，不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來(lái)控制交流回路的通斷，那么可以考慮使用可控硅來(lái)實(shí)現(xiàn)。1什么是可控硅可控硅是具有四層結(jié)構(gòu)的PNPN型半導(dǎo)體器件，可以看作是由兩個(gè)三極管所構(gòu)成的元器件，可控硅的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如下圖所示?？煽毓鑿膶?dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個(gè)電極分別是陽(yáng)極A、陰極K和控制極G；雙向可控硅的三個(gè)電極分別為T1，T2以及控制G?？煽毓璧脑趯?dǎo)通后，及時(shí)將控制信號(hào)去掉，可控硅仍然處于導(dǎo)通狀態(tài)。在交流負(fù)載回路中，一般使用雙向可控硅。2可控硅控制回路的設(shè)計(jì)單片機(jī)控制可控硅回路的通斷時(shí)，比較好使用光耦做隔離。所設(shè)計(jì)的可控硅控制電路如下圖所示。單片機(jī)的輸出端接三極管的基極，通過三極管來(lái)控制光耦的通斷，圖中以燈泡作為負(fù)載。當(dāng)單片機(jī)輸出高電平時(shí)，光耦導(dǎo)通，此時(shí)可控硅的控制極有觸發(fā)信號(hào)，并且T1和T2上的交流電源滿足導(dǎo)通條件。單片機(jī)輸出低電平時(shí)，光耦截止?？煽毓枵{(diào)壓器是一種以可控硅（電力電子功率器件）為基礎(chǔ)，以**控制電路為**的電源功率控制電器。蘇州正高牌可控硅
業(yè)界推出的節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器**三極管都十分注重對(duì)貯存時(shí)間的控制。蘇州正高牌可控硅
只要用萬(wàn)用表測(cè)出A極和G極即可。將萬(wàn)用表置于R×1kΩ檔，兩表筆任接被測(cè)晶閘管的某兩個(gè)引腳(測(cè)其正、反向電阻值)，若測(cè)出某對(duì)引腳為低阻值時(shí)，則黑表筆接的陽(yáng)極A，而紅表筆接的是門極G，另外一個(gè)引腳即是陰極K。(2)判斷其好壞：用萬(wàn)用表R×1kΩ檔測(cè)量BTG晶閘管各電極之間的正、反向電阻值。正常時(shí)，陽(yáng)極A與陰極K之間的正、反向電阻均為無(wú)窮大；陽(yáng)極A與門極G之間的正向電阻值(指黑表筆接A極時(shí))為幾百歐姆至幾千歐姆，反向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得某兩極之間的正、反向電阻值均很小，則說(shuō)明該晶閘管已短路損壞。(3)觸發(fā)能力檢測(cè)：將萬(wàn)用表置于R×1Ω檔，黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，測(cè)得阻值應(yīng)為無(wú)窮大。然后用手指觸摸門極G，給其加一個(gè)人體感應(yīng)信號(hào)，若此時(shí)A、K極之間的電阻值由無(wú)窮大變?yōu)榈妥柚?數(shù)歐姆)，則說(shuō)明晶閘管的觸發(fā)能力良好。否則說(shuō)明此晶閘管的性能不良。蘇州正高牌可控硅
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