膜電極測(cè)試

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-10-25

MARPOSS可以用累積室中的氦氣對(duì)電池PACK進(jìn)行泄漏測(cè)試,待測(cè)零件在環(huán)境壓力下被放入密封室,然后充入氦氣,通過氦質(zhì)譜儀檢測(cè)是否有示蹤氣體從待測(cè)零件流到密封室里。這種零部件半成品和pack成品的泄漏測(cè)試技術(shù)是一種非??煽康姆椒?,可以確保產(chǎn)品整體密封性良好,從而防止水進(jìn)入電池pack內(nèi)部。使用示蹤氣體的泄漏測(cè)試方法可確保比較大的測(cè)試靈敏度,其可以識(shí)別極低的泄漏情況,適用于大容積部件和任何環(huán)境條件。我們?cè)诶鄯e室氦氣泄漏測(cè)試方案可以測(cè)量10-2-10-4SCC/sec的泄漏。憑借e.d.c.產(chǎn)品,馬波斯提供了一整套解決方案,專門用于任何類型電機(jī)的功能測(cè)試和下線測(cè)試。膜電極測(cè)試

檢測(cè)設(shè)備

Optoflash具有明顯的功能。一方面,高速測(cè)量。在不進(jìn)行Z軸運(yùn)動(dòng)的情況下對(duì)整個(gè)零件進(jìn)行光學(xué)采集—相對(duì)其它系統(tǒng)對(duì)測(cè)量要素逐一掃描測(cè)量來說—Optoflash測(cè)量系統(tǒng)測(cè)量只需一瞬間。另一方面,可靠耐用。固定位置的光學(xué)系統(tǒng),避免了軸向的機(jī)械磨損。測(cè)量系統(tǒng)擁有很強(qiáng)的計(jì)量性能,可在數(shù)百萬次的測(cè)量周期內(nèi),確保運(yùn)行的一致性和穩(wěn)定性。這一性能可比較大限度地減少對(duì)系統(tǒng)的維護(hù)保養(yǎng)。因此,可以看出Optoflash具有高測(cè)量精度和“閃電般”的測(cè)量循環(huán)時(shí)間。重慶新能源汽車檢測(cè)設(shè)備廠家在不同工藝階段對(duì)定子進(jìn)行的絕緣測(cè)試是評(píng)估組件質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵操作。

膜電極測(cè)試,檢測(cè)設(shè)備

在半導(dǎo)體的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,圓晶減薄是其中一個(gè)關(guān)鍵的生產(chǎn)環(huán)節(jié)。實(shí)際上,由于芯片已在圓晶上成形,減薄操作的任何失誤都可能影響芯片成品率和成本。在減薄加工中,可用接觸式或非接觸式傳感器測(cè)量,甚至可在去離子水中測(cè)量,進(jìn)行嚴(yán)格在線控制。馬波斯傳感器甚至可檢測(cè)到砂輪與圓晶接觸的瞬間或檢查任何過載。另外,馬波斯傳感器可控制的厚度從4μm到900μm(單側(cè)測(cè)量),智能處理厚度數(shù)據(jù),可正??刂瞥『穸群陀涗洈?shù)據(jù)(黑盒功能)。

在半導(dǎo)體行業(yè),圓晶減薄當(dāng)然是非常精密的加工過程。在減薄過程中,需要用接觸式或非接觸式傳感器嚴(yán)格控制加工過程。從步驟來看,封裝前,圓晶需要達(dá)到正確的厚度,這是半導(dǎo)體生產(chǎn)的關(guān)鍵。圓晶背面研磨(圓晶減?。┦且环N半導(dǎo)體生產(chǎn)工序,在此期間需要嚴(yán)格控制圓晶厚度,使圓晶達(dá)到超薄的厚度,可疊放和高密度封裝在微型電子器件中。馬波斯傳感器甚至可檢測(cè)到砂輪與圓晶接觸的瞬間或檢查任何過載。同時(shí),馬波斯傳感器可在干式和濕式環(huán)境中可靠地在線測(cè)量厚度。渦流探測(cè)(EC)是一系列無損技術(shù)(NDT),用于檢查被測(cè)組件的表面質(zhì)量和材料特性。

膜電極測(cè)試,檢測(cè)設(shè)備

Optoflash測(cè)量系統(tǒng)特別易于使用:開放式的裝載區(qū)域,符合人機(jī)工程學(xué)原理的尾架系統(tǒng),可方便地夾緊待測(cè)工件?;谟|屏顯示器的軟件用戶界面—可為用戶提供良好的操作體驗(yàn)。Optoflash可以實(shí)現(xiàn)一鍵操作啟動(dòng)測(cè)量循環(huán),同時(shí),智能聯(lián)結(jié)帶有7個(gè)USB集成端口,可方便地連接打印機(jī)、二維碼掃碼器、工廠網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)或其它外部存儲(chǔ)器等。Optoflash的顯示器可設(shè)置在一個(gè)活動(dòng)自如的臂架之上,可安裝于測(cè)量裝置的任意一側(cè)。Optoflash測(cè)量系統(tǒng)配備了馬波斯的軟件用戶界面。E.D.C.自1998年以來開發(fā)的用于局部放電絕緣測(cè)試的方法基于電容耦合技術(shù)??刂齐妷鹤x取

20多年的經(jīng)驗(yàn)和安裝的多個(gè)系統(tǒng),使e.d.c.能夠100%識(shí)別缺陷,甚至是潛在缺陷。膜電極測(cè)試

泄漏檢測(cè)是電芯生產(chǎn)中的必要工序,尤其是對(duì)新一代鋰離子電芯來說,更是如此。電解液通常含易燃溶劑,如果與空氣中的水分接觸,會(huì)產(chǎn)生有害物質(zhì)。為了避免電解液的泄漏,必須保證電芯的充分密封。此外,還需避免水分或其它外部污染物進(jìn)入電芯內(nèi)而影響電芯的正常工作。在傳統(tǒng)的電芯生產(chǎn)線上,一般會(huì)使用氦氣作為示蹤氣體來檢測(cè)泄漏,但該方法只能用于在電芯尚未完全密封的階段使用,或是在注液期間充入氦氣并將氦氣封存在電芯內(nèi),然而這種方法會(huì)影響生產(chǎn)工藝,也并不適用于所有類型的電芯。然而電解液示蹤技術(shù)可在生產(chǎn)過程EOL階段檢測(cè)電芯泄漏情況,即在電芯注液并密封后進(jìn)行檢測(cè)。膜電極測(cè)試