山東微流控鍵合機

Plessey工程副總裁JohnWhiteman解釋說：“GEMINI系統(tǒng)的模塊化設計非常適合我們的需求。在一個系統(tǒng)中啟用預處理，清潔，對齊（對準）和鍵合，這意味著擁有更高的產量和生產量。EVG提供的有質服務對于快速有效地使系統(tǒng)聯(lián)機至關重要?！盓VG的執(zhí)行技術總監(jiān)PaulLindner表示：“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進的GEMINI系統(tǒng)來支持其雄心勃勃的技術開發(fā)路線圖和大批量生產計劃?！痹摴鏄酥局鳳lessey在生產級設備投資上的另一個重要里程碑，該設備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產品推向市場。 烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。山東微流控鍵合機

BONDSCALE?自動化生產熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術數據EVGBONDSCALE?自動化生產熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應用，包括工程化的基板制造和使用層轉移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應用于前端半導體處理中，并幫助解決內部設備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn)。結合增強的邊緣對準技術，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產率，并降低了擁有成本（CoO）。實際價格鍵合機實際價格EVG501晶圓鍵合機系統(tǒng)：真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng)，可實現(xiàn)醉高產量；研發(fā)和試生產的醉低購置成本。

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產時間和成本方面的優(yōu)勢，該技術在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。 

EVG®301技術數據晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉時整個晶片的輻射均勻性材質：不銹鋼和藍寶石刷子材質：PVA可編程參數：刷子和晶圓速度（rpm）可調參數（刷壓縮，介質分配） EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng)，擴展了現(xiàn)有標準，并擁有更高的生產率，更高的對準和涂敷精度。

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學，研發(fā)機構或小批量生產。鍵合室的基本設計在EVG的HVM（量產）工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉移，這樣可以輕松擴大生產量。 EVG鍵合機通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數鍵合過程。遼寧SmartView NT鍵合機

EVG鍵合機晶圓鍵合類型如下：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。山東微流控鍵合機

晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經濟利益。它允許晶圓制造，封裝和測試的集成，從而簡化制造過程。縮短的制造周期時間可提高生產量并降低每單位制造成本。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進一步降低生產成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高級產品中。晶圓級封裝的主要市場驅動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機，可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能。 山東微流控鍵合機